人物簡介
后來應(yīng)臺灣地區(qū)“國家科學(xué)委員會(huì)主委”陳履安等人的邀請轉(zhuǎn)入氣功、特異功能方面的研究,而使其學(xué)術(shù)地位充滿爭議性。李嗣涔為臺灣大學(xué)電機(jī)系、電子所固態(tài)組、電機(jī)所醫(yī)工組教授,并擔(dān)任幾個(gè)社團(tuán)的指導(dǎo)教授,先后有臺大星艦學(xué)院、臺大特異功能社。在臺大校務(wù)行政方面,其于1996年到2002年間擔(dān)任“國立”臺灣大學(xué)教務(wù)長,2005年通過臺灣地區(qū)“教育部”遴選,擔(dān)任“國立”臺灣大學(xué)校長。目前在做人體潛能方面的研究。
人物履歷
李嗣涔,1974年畢業(yè)于“國立”臺灣大學(xué)(臺大)電機(jī)系學(xué)士班,并于1977年及1980年于美國斯坦福大學(xué)電機(jī)系分別取得碩士及博士學(xué)位,主要研究 GaAs/AlGaAs 異質(zhì)接面元件的研究。 1980年到1982年間于Energy Conversion Devices Inc. 工作,從事非晶矽太陽電池的開發(fā),李嗣涔先生于1982年返臺,于臺大電機(jī)系擔(dān)任副教授。
主要學(xué)歷
1974.6 臺大電機(jī)系 學(xué)士
1977.6 美國斯坦福大學(xué)電機(jī)系 碩士
1980.1 美國斯坦福大學(xué)電機(jī)系 博士
主要經(jīng)歷
2005.6起
國立臺灣大學(xué)校長
2006.2起
國立大學(xué)校院協(xié)會(huì)理事長
2005.6起
亞太大學(xué)交流協(xié)會(huì)(UMAP)理事長
1986.6起
臺大電機(jī)系教授
2002.8-2003.2
美國史丹福大學(xué)訪問教授
1996.8-2002.7
臺大教務(wù)長
1989.8-1992.7
臺大電機(jī)系系主任
1982.8-1986.5
臺大電機(jī)系副教授
1980.8-1982.6
美國ECD公司研究員
相關(guān)經(jīng)歷
2001-2004
國科會(huì)工程處咨詢委員
1997-2000
國際電機(jī)電子工程學(xué)會(huì)中華民國分會(huì)理事
1997-1999
中國電機(jī)工程學(xué)會(huì)監(jiān)事
1996.1-2001
中國工程學(xué)刊編輯委員(電子組召集人)
1993.8-1995.7
中華生命電磁科學(xué)學(xué)會(huì)理事長
1992-1994
中國電機(jī)工程學(xué)會(huì)理事
1992.5-1998.2
國科會(huì)生物處生物能場召集人
1992.1-2004.12
“Materials Chemistry and Physics”雜志編輯委員
1991.1-1992.12
工研院電子研究所顧問
1991.11-1995.12
亞太科學(xué)技術(shù)協(xié)會(huì)電氣通訊委員會(huì)委員
1988.4-1993.3
國科會(huì)工程處微電子小組召集人
1987.8-1989.7
國科會(huì)光電小組研究員
1986.8-1989.7
工研院材料所顧問
1983.8-1986.7 工研院能礦所顧問
參與學(xué)會(huì)
國際電機(jī)電子工程學(xué)會(huì)會(huì)士 (IEEE Fellow)
中國工程師學(xué)會(huì)會(huì)員
中國電機(jī)工程學(xué)會(huì)會(huì)員
中國光電工程學(xué)會(huì)會(huì)員
中華生命電磁學(xué)會(huì)
曾獲得獎(jiǎng)勵(lì)及榮譽(yù)
1984 中國工程師學(xué)會(huì)論文獎(jiǎng)
1986-1996五屆十年國科會(huì)杰出研究獎(jiǎng)
1987 中山學(xué)術(shù)獎(jiǎng)(工科)
1987 中國工程師學(xué)會(huì)優(yōu)秀青年工程師
1995 著作《半導(dǎo)體元件物理》一書獲得第20屆金鼎獎(jiǎng)
1996-2002 國科會(huì)特約研究人員
1997 亞太材料學(xué)院院士
2000 IEEE Third Millennium Medal
2002 IEEE Fellow
2002 電機(jī)工程學(xué)會(huì)獎(jiǎng)?wù)?/p>
2003 教育部第47屆學(xué)術(shù)獎(jiǎng)(工程及應(yīng)用科學(xué))
2005 日本關(guān)西大學(xué)榮譽(yù)博士學(xué)位
人物專長
三五族化合物半導(dǎo)體AlGaAs/InGaAs/GaAs/InAs材料生長及元件制作
非晶矽氫薄膜電晶體及類神經(jīng)網(wǎng)路偵測器
奈米矽線場效電晶體周期金屬孔洞電漿子熱輻射源 (可發(fā)出中心波長位于極低頻區(qū)且頻寬極窄的單頻光光源,如紅外光發(fā)射器)
非晶矽及多晶矽太陽能電池
量子點(diǎn)量子環(huán)光偵測器
氣功及人體潛能(特異功能)
研究方向
半導(dǎo)體方面
1. 探討非晶矽氫(氘)及氮(氧)化矽之材料,pin太陽電池、X-光偵測器、類神經(jīng)網(wǎng)路偵測器及多晶矽薄膜電晶體(thin film transistor)之特性,發(fā)展準(zhǔn)分子雷射退火技術(shù)及金屬快速誘導(dǎo)多晶矽的制程,提供液晶顯示器(LCD)及有機(jī)發(fā)光二極體(OLED)更好的驅(qū)動(dòng)電晶體及電路。
2. 研制Si/Ge, Si, Ge, GaAs奈米粒子及制作Si/Ge量子點(diǎn)紅外線偵測器。
3. 研制矽奈米線場效電晶體。4. 研究InAs/(Al)GaAs量子點(diǎn)及量子環(huán)紅外線偵測器,具有接近室溫操作的特性。
5. 量子點(diǎn)偵測器,可以操作在接近室溫的紅外線(2~30μm)偵測特性。
6. 量子環(huán)偵測器,具有可以提供THz (~300μm)偵測波段的特性。
7. 電漿子熱輻射光源研制紅外線光激二極體、雷射。
相關(guān)論文
發(fā)表著作
相關(guān)出刊書籍
書籍:《半導(dǎo)體元件物理》(ISBN 9571422606)