基本內(nèi)容
研究方向
過分多個
科研成果
1、數(shù)字圖像處理
紅外目標(biāo)檢測對醫(yī)學(xué)圖像處理、農(nóng)作物病蟲害監(jiān)視、污染物探測、地域性干旱調(diào)查以及地下礦藏勘查是十分重要的,同時在軍事上它還是紅外搜索跟蹤系統(tǒng)、紅外成象制導(dǎo)導(dǎo)彈、和紅外告警系統(tǒng)的核心技術(shù),是提高作用距離和檢測概率等關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)的重要途徑,是進一步提高系統(tǒng)性能的關(guān)鍵技術(shù)環(huán)節(jié),國內(nèi)外一直將這一問題作為紅外圖像處理的研究重點和難點。五年來主要研究的課題包括:機載紅外搜索跟蹤系統(tǒng)(O9905H04,第三人),風(fēng)動起爆器預(yù)警系統(tǒng)(O0005h04,第一人),直升飛機著艦引導(dǎo)系統(tǒng)圖象處理(O0005h07,第一人),水上競賽電子裁判設(shè)備研制(O0205P04,第一人),木工數(shù)控機床樣機研究(09804H01,第二人),STZ—1B轉(zhuǎn)臺控制器研究(O0004h01,第二人)等。該課題方向以《紅外與可見光成像跟蹤研究》為題,獲1999年1月28日西安市人民政府頒發(fā)的西安市科技進步三等獎。
2、 半導(dǎo)體圓片上缺陷的光電診斷方法研究
在VLSI生產(chǎn)過程中,缺陷的探測和分類是關(guān)乎生產(chǎn)成品率的重要問題。半導(dǎo)體制造業(yè)的急劇發(fā)展對生產(chǎn)管理中的測量與檢測系統(tǒng)提出更高的要求。對圓片質(zhì)量進行有效的實時在線自動診斷已成為保證VLSI質(zhì)量的關(guān)鍵技術(shù)手段。缺陷診斷關(guān)鍵步驟是對缺陷光散射顯微成像,因而理論分析缺陷的散射特性及其相應(yīng)的光學(xué)探測系統(tǒng)設(shè)計至關(guān)重要。該方向的研究工作在國內(nèi)尚處于起步階段。主要研究課題有:表面上不規(guī)則微粒缺陷的光散射計算(03003,第一人)。成果有:第十二屆全國光散射學(xué)術(shù)會議發(fā)表論文4篇,光散射學(xué)報發(fā)表論文4篇。
3、 MOCVD薄膜生長過程的光電監(jiān)控技術(shù)
由于目前我校開發(fā)研制的MOCVD設(shè)備主要用于生長寬禁帶半導(dǎo)體材料(GaN,SiC等),對沉積過程中的薄膜生長率、薄膜應(yīng)力等控制要求嚴(yán)格。目前設(shè)備還無法對薄膜生長過程監(jiān)測,只能依靠操作人員經(jīng)驗安排沉積進程。因此,本研究方向?qū)㈤_展MOCVD薄膜生長過程參數(shù)監(jiān)測方法研究,以解決該系統(tǒng)薄膜生長率、薄膜應(yīng)力精確現(xiàn)場測量的問題。該研究將使目前MOCVD設(shè)備生長控制方式改善,從而能制造高性能的半導(dǎo)體材料和器件,產(chǎn)生的社會和經(jīng)濟效益,在理論和實際兩方面取得明顯成果。該方向的研究工作在國內(nèi)尚處于起步階段。主要研究的課題包括:MOCVD系統(tǒng)控制模式和方法研究(陜西省自然基金,2002F13,第二人)。論文成果有:《半導(dǎo)體光電》論文一篇:用光反射測量方法實時檢測薄膜應(yīng)力的一種新裝置,《半導(dǎo)體學(xué)報》論文一篇:基于自會聚多光束陣列的薄膜應(yīng)力傳感器。