研究方向

過(guò)分多個(gè)

科研成果

1、數(shù)字圖像處理

紅外目標(biāo)檢測(cè)對(duì)醫(yī)學(xué)圖像處理、農(nóng)作物病蟲害監(jiān)視、污染物探測(cè)、地域性干旱調(diào)查以及地下礦藏勘查是十分重要的，同時(shí)在軍事上它還是紅外搜索跟蹤系統(tǒng)、紅外成象制導(dǎo)導(dǎo)彈、和紅外告警系統(tǒng)的核心技術(shù)，是提高作用距離和檢測(cè)概率等關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)的重要途徑，是進(jìn)一步提高系統(tǒng)性能的關(guān)鍵技術(shù)環(huán)節(jié)，國(guó)內(nèi)外一直將這一問(wèn)題作為紅外圖像處理的研究重點(diǎn)和難點(diǎn)。五年來(lái)主要研究的課題包括：機(jī)載紅外搜索跟蹤系統(tǒng)（O9905H04，第三人），風(fēng)動(dòng)起爆器預(yù)警系統(tǒng)（O0005h04，第一人），直升飛機(jī)著艦引導(dǎo)系統(tǒng)圖象處理（O0005h07，第一人），水上競(jìng)賽電子裁判設(shè)備研制（O0205P04，第一人），木工數(shù)控機(jī)床樣機(jī)研究（09804H01，第二人），STZ—1B轉(zhuǎn)臺(tái)控制器研究（O0004h01，第二人）等。該課題方向以《紅外與可見光成像跟蹤研究》為題，獲1999年1月28日西安市人民政府頒發(fā)的西安市科技進(jìn)步三等獎(jiǎng)。

2、 半導(dǎo)體圓片上缺陷的光電診斷方法研究

在VLSI生產(chǎn)過(guò)程中，缺陷的探測(cè)和分類是關(guān)乎生產(chǎn)成品率的重要問(wèn)題。半導(dǎo)體制造業(yè)的急劇發(fā)展對(duì)生產(chǎn)管理中的測(cè)量與檢測(cè)系統(tǒng)提出更高的要求。對(duì)圓片質(zhì)量進(jìn)行有效的實(shí)時(shí)在線自動(dòng)診斷已成為保證VLSI質(zhì)量的關(guān)鍵技術(shù)手段。缺陷診斷關(guān)鍵步驟是對(duì)缺陷光散射顯微成像，因而理論分析缺陷的散射特性及其相應(yīng)的光學(xué)探測(cè)系統(tǒng)設(shè)計(jì)至關(guān)重要。該方向的研究工作在國(guó)內(nèi)尚處于起步階段。主要研究課題有：表面上不規(guī)則微粒缺陷的光散射計(jì)算（03003，第一人）。成果有：第十二屆全國(guó)光散射學(xué)術(shù)會(huì)議發(fā)表論文4篇，光散射學(xué)報(bào)發(fā)表論文4篇。

3、 MOCVD薄膜生長(zhǎng)過(guò)程的光電監(jiān)控技術(shù)

由于目前我校開發(fā)研制的MOCVD設(shè)備主要用于生長(zhǎng)寬禁帶半導(dǎo)體材料（GaN,SiC等），對(duì)沉積過(guò)程中的薄膜生長(zhǎng)率、薄膜應(yīng)力等控制要求嚴(yán)格。目前設(shè)備還無(wú)法對(duì)薄膜生長(zhǎng)過(guò)程監(jiān)測(cè)，只能依靠操作人員經(jīng)驗(yàn)安排沉積進(jìn)程。因此，本研究方向?qū)㈤_展MOCVD薄膜生長(zhǎng)過(guò)程參數(shù)監(jiān)測(cè)方法研究，以解決該系統(tǒng)薄膜生長(zhǎng)率、薄膜應(yīng)力精確現(xiàn)場(chǎng)測(cè)量的問(wèn)題。該研究將使目前MOCVD設(shè)備生長(zhǎng)控制方式改善，從而能制造高性能的半導(dǎo)體材料和器件，產(chǎn)生的社會(huì)和經(jīng)濟(jì)效益，在理論和實(shí)際兩方面取得明顯成果。該方向的研究工作在國(guó)內(nèi)尚處于起步階段。主要研究的課題包括：MOCVD系統(tǒng)控制模式和方法研究（陜西省自然基金，2002F13，第二人）。論文成果有：《半導(dǎo)體光電》論文一篇：用光反射測(cè)量方法實(shí)時(shí)檢測(cè)薄膜應(yīng)力的一種新裝置，《半導(dǎo)體學(xué)報(bào)》論文一篇：基于自會(huì)聚多光束陣列的薄膜應(yīng)力傳感器。