基本內(nèi)容
郭維廉 1929年生，天津市靜�？h人。1952年畢業(yè)于清華大學(xué)物理系。天津大學(xué)電子工程系微電子技術(shù)專業(yè)學(xué)術(shù)帶頭人，教授。長期從事半導(dǎo)體器件研究。主要成果有：首次在國內(nèi)研制成PECVD氮化硅抗反射膜 MIS硅單晶和多晶太陽電池；提出 P—N結(jié)擊穿電壓蠕變新的物理模型，達(dá)到國際領(lǐng)先水平，并以此作指導(dǎo)解決了變?nèi)荻䴓O管的電壓蠕變問題；在澳大利亞訪問時研制成當(dāng)時hFE最高(30000)的 MIS隧道發(fā)射極硅晶體管，可用于提高增益電路；采用多晶硅發(fā)射極結(jié)構(gòu)研制出在一55℃、100℃范圍內(nèi) hFE溫度系數(shù)小于13％的寬溫區(qū)晶體管和在77K、 hFE近300的硅低溫晶體管，后者可用于 CdTeHg探測器前放電路；曾提出并研制成一種具有雙負(fù)阻特性，正阻易調(diào)，與 CMOS工藝相近的新型三端負(fù)陽器件；并研制成大功率LBT負(fù)阻器件；發(fā)現(xiàn)了 DUBAT負(fù)阻器件的雙負(fù)阻特性和壓(流)控調(diào)頻效應(yīng)，此類器件可用于逆變電源、節(jié)能燈、電機(jī)調(diào)速等領(lǐng)域。曾獲得天津市科技進(jìn)步二等獎、三等獎各1次。
