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  • 王啟明

    王啟明

    王啟明,1933年7月5日生,國(guó)際著名的光電子學(xué)家。祖籍石獅。1956年畢業(yè)于復(fù)旦大學(xué)物理系。研究員、博士生導(dǎo)師,中科院院士。中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 研究員,曾任該所所長(zhǎng)。參與籌建中國(guó)半導(dǎo)體測(cè)試基地,建立了一系列材料測(cè)試系統(tǒng)。1963年開(kāi)始致力于半導(dǎo)體光電子學(xué)研究,在中國(guó)首先研制成連續(xù)激射的室溫半導(dǎo)體激光器,先后使短波長(zhǎng)和長(zhǎng)波長(zhǎng)激光器壽命突破10萬(wàn)小時(shí),達(dá)到實(shí)用水平。發(fā)現(xiàn)了雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)激光器中出現(xiàn)反常自脈動(dòng),正向負(fù)阻開(kāi)關(guān)和記憶開(kāi)關(guān)等現(xiàn)象,提出了雙光絲Q開(kāi)關(guān)機(jī)制,界面態(tài)載流子陷落存貯機(jī)制以及自摻雜反向擊穿機(jī)制等,為深入研究提供了理論基礎(chǔ)。


    人物簡(jiǎn)介

      1985-1995曾任中科院半導(dǎo)體研究所所長(zhǎng),先后多次獲國(guó)家級(jí)和院級(jí)科技進(jìn)步一、二等獎(jiǎng)。1986年始曾連續(xù)三次被評(píng)授予國(guó)家級(jí)有突出貢獻(xiàn)中青年專家稱號(hào),1999年榮獲何梁何利基金“科學(xué)與技術(shù)進(jìn)步獎(jiǎng)”,2001年被中國(guó) 光學(xué)學(xué)會(huì)、電子學(xué)會(huì)和通信學(xué)會(huì)聯(lián)合提名獲我國(guó)光通信與集成光學(xué)杰出貢獻(xiàn)獎(jiǎng)。培養(yǎng)了50多名碩士和博士研究生。研制成量子阱激光器、調(diào)制器和光雙穩(wěn)激光器及開(kāi)關(guān)器件,對(duì)發(fā)展光信息處理、光開(kāi)關(guān)、光交換技術(shù)以及新一代光電子器件做出了貢獻(xiàn)。現(xiàn)兼職中國(guó) 光學(xué)學(xué)會(huì)常務(wù)理事,并受聘為廈門(mén)大學(xué)、浙江大學(xué)、中國(guó)科技大學(xué)、北京工業(yè)大學(xué)等多所兼職教授。

      目前主要從事半導(dǎo)體光電子器件物理、光子集成及其在光網(wǎng)絡(luò)通信中的應(yīng)用,尤其關(guān)注Si基光子器件和Si基光電子集成的發(fā)展。

      王啟明院士的代表性主要科研與學(xué)術(shù)成績(jī):

      主持研制成功我國(guó)第一臺(tái)CW運(yùn)作10萬(wàn)小時(shí)的GaAs DH激光器,發(fā)現(xiàn)了雙光絲自調(diào)Q效應(yīng),異質(zhì)結(jié)界面電荷存儲(chǔ)記憶效應(yīng)和雙向負(fù)阻效應(yīng)。

      國(guó)際同步開(kāi)展了雙穩(wěn)態(tài)(CCTS)半導(dǎo)體激光器研究,提出增益鎖定的概念和相關(guān)注入的技術(shù),獲得了ps窄脈沖序列的光輸出,實(shí)現(xiàn)了波長(zhǎng)變換與鎖定,指導(dǎo)研究了SEED光雙穩(wěn)態(tài)開(kāi)關(guān)。

    王啟明

      主持開(kāi)展了SiGe/Si 量子阱、量子點(diǎn)的生長(zhǎng)與應(yīng)用研究。首次采用共振腔增強(qiáng)(RCE)結(jié)構(gòu)研究成功可用於光通信1.3m m波長(zhǎng)窄帶響應(yīng)光電子探測(cè)器,成功生長(zhǎng)了Ge/Si量子點(diǎn)相干陣列,發(fā)現(xiàn)了自覆蓋效應(yīng)。

      指導(dǎo)開(kāi)展了Si基MOEMS和F-P腔TO型可調(diào)諧光學(xué)濾波器,獲得了可連續(xù)調(diào)諧90 nm范圍的最好結(jié)果。

      近期完成和在研的主要項(xiàng)目:

      國(guó)家自然科學(xué)基金重大項(xiàng)目:“半導(dǎo)體光子集成基礎(chǔ)研究”(1998-2002)

      國(guó)家重大基礎(chǔ)研究規(guī)劃(973)項(xiàng)目:“支撐高速、大容量信息網(wǎng)絡(luò)光子集成基礎(chǔ)研究”(2001-2005)

      國(guó)家自然科學(xué)基金委重大基礎(chǔ)研究計(jì)劃項(xiàng)目“光網(wǎng)絡(luò)及其節(jié)點(diǎn)功能研究”(2001-2006)

    技術(shù)成就

      國(guó)內(nèi)外同行公認(rèn)王啟明是中國(guó)信息光電子事業(yè)的主要開(kāi)拓者之一,在不同的階段他都為中國(guó)光電子事業(yè)的發(fā)展作出了杰出的貢獻(xiàn)。

      1.研制成功長(zhǎng)壽命GaAs半導(dǎo)體激光器率先主持研制成功我國(guó)第一支室溫連續(xù)波運(yùn)行10萬(wàn)小時(shí)的GaAs半導(dǎo)體激光器,推動(dòng)了我國(guó)光纖通信的發(fā)展。

      20世紀(jì)70年代初,美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室的第一支室溫連續(xù)波運(yùn)行的半導(dǎo)體激光器宣告問(wèn)世。1973年,中國(guó)科學(xué)院領(lǐng)導(dǎo)覺(jué)察到這一成就對(duì)發(fā)展我國(guó)光通信及光電子學(xué)事業(yè)的深遠(yuǎn)意義,立即部署半導(dǎo)體研究所作為院重點(diǎn)任務(wù)組織力量,加強(qiáng)研究。當(dāng)時(shí)正處于“文化大革命”期間,是非難分,人心渙散,要組織一支攻堅(jiān)隊(duì)伍很不容易。王啟明臨危受命,從研究室中抽調(diào)組織了近20名科研人員,立即開(kāi)展半導(dǎo)體激光器的研究。

      在接受這一難度極大的重點(diǎn)任務(wù)之后,王啟明提出并采取了一系列有效的技術(shù)措施。激光器的有源工作區(qū),僅有0.1μm的厚度,如何精確地可重復(fù)地控制它,首先決定于外延爐的控溫精度。他率領(lǐng)課題組的人員與當(dāng)時(shí)七機(jī)部的同志合作,在較短的時(shí)間內(nèi)研制成功我國(guó)第一臺(tái)高精度程控降溫外延爐,為優(yōu)質(zhì)外延生長(zhǎng)的實(shí)現(xiàn)奠定了基礎(chǔ)。他吸取諸家的長(zhǎng)處,與研究組的同事提出改進(jìn)設(shè)計(jì)了我國(guó)第一套全密封金屬化外延系統(tǒng),從根本上保證了外延材料的質(zhì)量。為了降低閾值及功耗,他提出一種高技術(shù)實(shí)現(xiàn)高熱穩(wěn)定隔離;在鍵合方面他還設(shè)計(jì)了新工藝,解決熱阻問(wèn)題。由于他抓住了研制技術(shù)中的關(guān)鍵,從根本上提出并解決了技術(shù)難題。他率領(lǐng)全組同志經(jīng)過(guò)五年艱苦奮斗,不斷改進(jìn)生長(zhǎng)技術(shù),提高器件質(zhì)量,激光器運(yùn)行壽命達(dá)到了萬(wàn)小時(shí)以上,并于1980年經(jīng)中國(guó)科學(xué)院組織鑒定,獲中國(guó)科學(xué)院重大成果二等獎(jiǎng)。

      王啟明的視野并不只局限于器件的研制與研究上,他更關(guān)心激光器的應(yīng)用。他和他的同事們積極參與北京市電話局的光纖通信建設(shè),把研制出的激光器用在市話局的光纖通信實(shí)驗(yàn)線路上,經(jīng)受住了長(zhǎng)時(shí)間工作的考驗(yàn),從而在我國(guó)揭開(kāi)了以半導(dǎo)體激光器為基礎(chǔ)的光纖通信事業(yè)的序幕。該器件及其應(yīng)用技術(shù)一并獲得1981年北京市科技成果一等獎(jiǎng)。

      在1985年第一次組織評(píng)審國(guó)家 科技進(jìn)步獎(jiǎng)時(shí),這一重大成就又作為我國(guó)“短波長(zhǎng)光通信器件研制”的全國(guó)聯(lián)合項(xiàng)目,被評(píng)為二等獎(jiǎng),王啟明被公推為第一受獎(jiǎng)?wù)。與此同時(shí),由他主持的長(zhǎng)波長(zhǎng)InGaAsP激光器的研制成功,又獲得“六五”攻關(guān)國(guó)家重獎(jiǎng)。在此期間他在學(xué)術(shù)會(huì)議和學(xué)術(shù)刊物上公開(kāi)發(fā)表的論文、報(bào)告有《雙異質(zhì)激光器退化觀察》、《A1GaAs/GaAs DH激光器退化特性及L-I特性》、《GaAlAs/GaAs DH激光器的L-I特性》等10多篇。

      1981年在美國(guó)舊金山召開(kāi)的國(guó)際光通信和集成光學(xué)會(huì)議上,他受邀擔(dān)任會(huì)議程序委員會(huì)委員并作了《中國(guó)的光通信》的特邀報(bào)告。由于他的成就和在國(guó)際學(xué)術(shù)界的影響,自1983年起連續(xù)被邀擔(dān)任三屆國(guó)際半導(dǎo)體激光會(huì)議和兩屆國(guó)際光通信與集成光學(xué)會(huì)議及國(guó)際電光會(huì)議的程序委員會(huì)委員。

      2.研制成功新型pnpn雙向負(fù)阻激光器深入研究雙異質(zhì)結(jié)激光器物理,提出了雙光絲可飽和吸收機(jī)制、異質(zhì)結(jié)界面態(tài)電荷存儲(chǔ)記憶效應(yīng)和pnpn夾層負(fù)阻擊穿機(jī)制,解釋了激光器出現(xiàn)的異,F(xiàn)象,也為新器件的研究提出了新思路。

      出于嚴(yán)謹(jǐn)?shù)目茖W(xué)態(tài)度和實(shí)事求是的精神,王啟明對(duì)器件所表現(xiàn)的異,F(xiàn)象非常重視并開(kāi)展了細(xì)致深入的研究。他和他的同事發(fā)現(xiàn)了某些激光器的異常瞬態(tài)輸出響應(yīng),他首先發(fā)現(xiàn)由于Al組分不均勻?qū)е录す馇粌?nèi)雙光絲發(fā)光,并據(jù)此提出了導(dǎo)致復(fù)雜瞬態(tài)行為的物理機(jī)制,論文發(fā)表在國(guó)際雜志IEEE QE(《量子電子學(xué)》)1992年第18卷第4期上,為后來(lái)雙區(qū)共腔可飽和吸收調(diào)Q激光器的研究提供了思路。

      他還發(fā)現(xiàn)某些激光二極管呈現(xiàn)的反常雙向負(fù)阻行為,提出是由于制備工藝熱過(guò)程帶來(lái)的自摻雜效應(yīng)導(dǎo)致的反向結(jié)引入造成的。根據(jù)這一思路,后來(lái)成功地發(fā)展了一種新型pnpn雙向負(fù)阻激光器。

      3.研制成功雙區(qū)共腔(CCTS)雙穩(wěn)態(tài)激光器系統(tǒng)地發(fā)展了雙區(qū)共腔(CCTS)雙穩(wěn)態(tài)激光器,為數(shù)字光電子學(xué)的發(fā)展打下了基礎(chǔ)。數(shù)字光電子學(xué)的發(fā)展必須具備有源和無(wú)源的光邏輯器件,這是80年代初人們開(kāi)始關(guān)注的重要課題。

      王啟明在提出雙光絲調(diào)Q效應(yīng)解釋激光器中反常自脈動(dòng)成功之后,隨即考慮如何有意識(shí)地研制這種器件,把普通的雙異質(zhì)激光器分為兩段,保持在一個(gè)諧振腔中。這種雙區(qū)共腔激光器的輸出特性出現(xiàn)了光強(qiáng)回滯特性,即光雙穩(wěn)態(tài)特性。光雙穩(wěn)態(tài)特性正是光邏輯器件的基礎(chǔ)。王啟明和他的同事于1985年在中國(guó)《物理學(xué)報(bào)》發(fā)表了《InGaAsP質(zhì)子轟擊內(nèi)調(diào)Q雙穩(wěn)態(tài)激光器》的論文,并與日本東京大學(xué)開(kāi)展合作研究。

      他和他的學(xué)生系統(tǒng)研究了雙穩(wěn)激光器自調(diào)準(zhǔn)單穩(wěn)頻特性,穩(wěn)頻度優(yōu)于10-5。研究了光觸發(fā)增強(qiáng)放大特性,發(fā)現(xiàn)了輸入光譜的單模純正效應(yīng)和光學(xué)混沌特性,并利用截取技術(shù)獲得10ps光脈沖。他指導(dǎo)學(xué)生提出一種獲得更窄光脈沖的“相關(guān)注入”新概念,并作了計(jì)算模擬研究。

      由于王啟明領(lǐng)導(dǎo)的小組對(duì)雙穩(wěn)態(tài)激光器進(jìn)行系統(tǒng)深入研究所取得的成就,他曾三次在國(guó)際半導(dǎo)體激光會(huì)議上作報(bào)告,并在國(guó)際光電子學(xué)專集上特邀發(fā)表了總結(jié)性論文。這種器件已在國(guó)內(nèi)被應(yīng)用于信息光交換系統(tǒng)技術(shù)。作為階段性成果,于1987年被評(píng)為中國(guó)科學(xué)院自然科學(xué)二等獎(jiǎng)。

      1986年他在《中國(guó)通信學(xué)報(bào)》上發(fā)表了《共腔雙區(qū)CCTS 激光器的研究》一文,被中國(guó)通信學(xué)會(huì)評(píng)為優(yōu)秀論文一等獎(jiǎng)。 積極部署推動(dòng)開(kāi)展新一代量子阱光電子器件的研究,為我國(guó)“863”光電子高技術(shù)計(jì)劃的制訂與實(shí)施作出了重要貢獻(xiàn)。

      1984年擔(dān)任半導(dǎo)體所副所長(zhǎng)時(shí),他全力支持并協(xié)助名譽(yù)所長(zhǎng)黃昆院士爭(zhēng)取建立半導(dǎo)體超晶格國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室。1985年他和他的同事合作指導(dǎo)的研究生在國(guó)內(nèi)做出了第一支GaAs量子阱激光器,為量子阱光電子器件的發(fā)展,邁出了關(guān)鍵的一步。

      1985年起,他擔(dān)任半導(dǎo)體所所長(zhǎng)持續(xù)十年之久,大量的所務(wù)工作壓在他的肩上,讓他付出了很大的精力。與此同時(shí),他又始終抓住光電子學(xué)發(fā)展的脈搏,并發(fā)揮他在所長(zhǎng)崗位上所具有的國(guó)內(nèi)外影響和作用,大力推進(jìn)新一代光電子器件的發(fā)展。

      他和研究生開(kāi)展了量子阱自電光效應(yīng)雙穩(wěn)態(tài)光開(kāi)關(guān)的研究、量子阱高速電光調(diào)制器的研究、量子阱面發(fā)射激光器的研究,并取得了重大進(jìn)展,自電光效應(yīng)雙穩(wěn)態(tài)光開(kāi)關(guān)器件,獲1992年中國(guó)科學(xué)院科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)。量子阱長(zhǎng)波長(zhǎng)雙穩(wěn)態(tài)激光器獲1995 年中國(guó)科學(xué)院科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)。

      1987年2月,中央批準(zhǔn)我國(guó)“863”高技術(shù)計(jì)劃,光電子技術(shù)為當(dāng)時(shí)計(jì)劃項(xiàng)目之一。經(jīng)過(guò)老一輩專家和中國(guó)科學(xué)院院領(lǐng)導(dǎo)的推薦,以及國(guó)家科委的嚴(yán)格考核,王啟明被遴選為“863”計(jì)劃信息領(lǐng)域第一屆專家委員會(huì)委員,并分工負(fù)責(zé)光電子主題的工作。他滿腔熱情地投入了光電子主題的建設(shè)工作,以準(zhǔn)確銳利的眼光,提出了以光通信器件為主,光互連、光計(jì)算器件為輔的主題戰(zhàn)略目標(biāo),以發(fā)展新一代量子阱光電子器件為主導(dǎo)的研究路線;同時(shí),有遠(yuǎn)見(jiàn)地提出建設(shè)一個(gè)全國(guó)性的、開(kāi)放的,以量子尺寸(納米)工藝為主體的光電子器件研制工藝基地。

      他的設(shè)想,成為后來(lái)“863”光電子主題發(fā)展的基礎(chǔ)框架。他起草了實(shí)現(xiàn)主題研究的全面課題分解,為光電子主題工作的開(kāi)展打下了重要的基礎(chǔ)。隨后他又被聘任為“863”計(jì)劃光電子工藝中心學(xué)術(shù)委員會(huì)主任。

      1986年,他作為發(fā)起人之一,與教委部門(mén)聯(lián)合積極籌建了集成光電子學(xué)國(guó)家重點(diǎn)聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室,先后被聘任為聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室副主任和學(xué)術(shù)委員會(huì)主任。

    簡(jiǎn)歷

      1934年7月3日 出生于福建省泉州市。

      1952-1956年 在復(fù)旦大學(xué)物理系學(xué)習(xí)。

      1956-1960年 任中國(guó)科學(xué)院物理研究所,實(shí)習(xí)研究員。

      1960-1978年 任中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所助理研究員,課題組長(zhǎng),研究室副主任。

      1978-1985年 任中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體所副研究員,研究室主任/副所長(zhǎng)。

      1985-1994年 任中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體所,研究員,博導(dǎo),所長(zhǎng),第一屆“863”計(jì)劃信息領(lǐng)域?qū)<椅瘑T會(huì)委員,兼第一、第二屆光電子主題專家組成員,國(guó)家光電子技術(shù)研究中心學(xué)術(shù)委員會(huì)主任。

      1991年 當(dāng)選為中國(guó)科學(xué)院院士。

      2002年 任廈門(mén)大學(xué)機(jī)電物理學(xué)院教授,國(guó)家自然科學(xué)基金委信息科學(xué)領(lǐng)域?qū)<易稍兾瘑T會(huì)委員。

    主要論文

      Qiming Wang, Liqing Zhao, Wanru Zhuang, Jingming Chang, ChunShan Chang, Zhenqiu Wu. Superhigh differential quantum efficiency and strong self-sustained pulsation in CW DH laser diodes, IEEE Journal of Quantum Electronics, 18(4), 595-601, 1982  Qiming Wang, Jianmeng Li. Computer simulations for a common-cavity two section (CCTS) bistable laser, Optical and Quantum Electronics, 19, 83-91, 1987

      Qiming Wang, Ronghan Wu, Shiming Lin, Jianmong Li, Feike Xiong, Quansheng Zhang. An investigation of multi-functional semiconductor bistable laser. International J. of High Speed Electronics & Systems, 7(3), 43-57, 1996.

      Qiming Wang. Reseach progress on semiconductor photonic integration. Progress in Nature Sciences, 7(2), 136-141, 1997

      Qiming Wang, Qinqing Yang, Yuqing Zhu, Junjie Si, Yuliang Liu, Hongbing Lei, Buwen Cheng, Jinzhong Yu. Si-based optoelectronic devices and their attractive applications. Czech. J. Phys., 49, 837-848, 1999.

      Qiming Wang, Cheng Li, Buwen Cheng, Qinqing Yang. Si-based resonant-cavity-enhanced photodetector. Optical Engineering, 40(7), 1192-1195, 2001.

      Qiming Wang. State of the art and future prospect in development of optoelectronic devices applied in optical communication network, Bulletin of the Chinese Academy of Sciences (BCAS), 17(2), 89-94 (2002).

      Qiming Wang. Nano-Technology and energy band engineering to promote the high efficient luminescence of Si. Progress in Physics, 2002, 22(4), 359-370.

      Qiming Wang. The physical effects of semiconductors and high-tech optoelectronics industry. Physics, 2002, 31(7), 409-414.

      Qiming Wang. Investigation progress on key photonic integration for application in optical communication network, Science in China, 40(1), 59-66, (2003)

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