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  • 顏世申

    顏世申

    顏世申,山東大學(xué)物理學(xué)院教授、博士生導(dǎo)師。國(guó)家杰出青年基金獲得者、山東省杰出青年基金獲得者、教育部新世紀(jì)優(yōu)秀人才、德國(guó)洪堡學(xué)者、973課題負(fù)責(zé)人。2008年獲山東省自然科學(xué)一等獎(jiǎng),2010年被評(píng)為山東省有突出貢獻(xiàn)的中青年專家。兼任國(guó)家自然科學(xué)基金委數(shù)理學(xué)部專家評(píng)審組成員、中科院物理所磁學(xué)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室學(xué)術(shù)委員會(huì)委員、中國(guó)電子學(xué)會(huì)應(yīng)用磁學(xué)分會(huì)委員。

    個(gè)人歷程

    1997年5月—2000年2月, 德國(guó)于利希研究中心,洪堡學(xué)者。(導(dǎo)師Peter Grünberg 教授,2007 年諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)獲得者)。

    1993年6月—1996 年6月,山東大學(xué)物理系, 博士(導(dǎo)師梅良模教授)。

    1990年6月—1993 年6月,山東大學(xué)物理系, 碩士(導(dǎo)師劉宜華教授)。

    1986年9月—1990 年6月,山東大學(xué)物理系, 學(xué)士。

    顏世申

    研究領(lǐng)域

    顏世申的研究領(lǐng)域是自旋電子學(xué),近幾年的主要研究方向是磁性半導(dǎo)體。研究工作的整體思路定位是以研制磁性半導(dǎo)體新材料為重點(diǎn),以解決材料中的物理問(wèn)題為關(guān)鍵,以材料在自旋電子器件中的應(yīng)用為目標(biāo)。圍繞自旋電子學(xué)領(lǐng)域的幾個(gè)重大問(wèn)題,爭(zhēng)取到了國(guó)家973項(xiàng)目(課題之一)、國(guó)家重大科學(xué)研究計(jì)劃項(xiàng)目(課題之一)、自然科學(xué)基金項(xiàng)目和教育部新世紀(jì)優(yōu)秀人才支持計(jì)劃項(xiàng)目的資助。研究成果已申請(qǐng)國(guó)家發(fā)明專利5項(xiàng),獲得國(guó)家發(fā)明專利2項(xiàng)。 發(fā)表SCI論文50多篇,其中18篇發(fā)表在《Physical Review B》和《Applied Physics Letters》上。主要研究成果如下: ● 發(fā)明了利用亞穩(wěn)相制備具有高過(guò)渡族金屬含量的磁性半導(dǎo)體(濃縮磁性半導(dǎo)體)的方法,首次成功在亞納米尺度制備了具有高過(guò)渡族金屬含量的Zn1-xCoxO、Ti1-xCoxO2、(In1-xFex)2O3等6種單一亞穩(wěn)相氧化物磁性半導(dǎo)體,發(fā)現(xiàn)這些材料具有高磁化強(qiáng)度、高自旋極化率、大磁電阻和巨磁光效應(yīng)等優(yōu)良的物理特性,并證實(shí)Zn1-xCoxO、(In1-xFex)2O3等氧化物磁性半導(dǎo)體的鐵磁性起源于氧空位傳遞的鐵磁交換耦合。這些用新方法制備的磁性半導(dǎo)體,不同于常規(guī)的稀磁半導(dǎo)體,有望成為高效的自旋注入源或半透明的磁光材料。 ● 在我們大量實(shí)驗(yàn)研究的基礎(chǔ)上,首次建立了自旋依賴的電子變程躍遷理論,不僅首次定量地描述了磁性半導(dǎo)體中的電阻隨溫度和磁場(chǎng)的變化,而且還提供了一個(gè)通過(guò)測(cè)量單層膜的磁電阻測(cè)量氧化物磁性半導(dǎo)體中輸運(yùn)電荷的自旋極化率的簡(jiǎn)便方法。這正是我們?cè)谧孕龢O化電子的輸運(yùn)理論和實(shí)驗(yàn)方法方面的創(chuàng)新。 ● 首次發(fā)現(xiàn)在Fe/Mn/Fe 單晶外延三層膜中,層間耦合隨著中介層Mn層厚度的增加表現(xiàn)出從鐵磁耦合逐漸過(guò)渡到反鐵磁耦合的現(xiàn)象(任意角度的層間耦合),并系統(tǒng)研究了Fe 單晶膜、 Fe/Mn/Fe 單晶三層膜、具有單軸磁各向異性軟磁/硬磁復(fù)合膜的磁化反轉(zhuǎn)機(jī)理。我們的研究為自旋電子器件中調(diào)控磁化反轉(zhuǎn)提供了有效的方法。

    研究項(xiàng)目

    (1)國(guó)家重大科學(xué)研究計(jì)劃項(xiàng)目,,高品質(zhì)半導(dǎo)體磁性異質(zhì)結(jié)構(gòu)分子束外延生長(zhǎng)和磁性研究,2007年-2011年,課題第二負(fù)責(zé)人(合作單位課題負(fù)責(zé)人),分擔(dān)經(jīng)費(fèi)390 萬(wàn)元(項(xiàng)目總經(jīng)費(fèi)約2600 萬(wàn)元),正在進(jìn)行。 (2)國(guó)家自然科學(xué)面上基金項(xiàng)目, ,非勻質(zhì)化合物磁性半導(dǎo)體的自旋極化和電子輸運(yùn),2006.1-2008.12,項(xiàng)目負(fù)責(zé)人,27萬(wàn)元,正在進(jìn)行。 (3)國(guó)家973項(xiàng)目,自旋電子注入的材料結(jié)構(gòu)、過(guò)程和控制, 2002年4月—2006年10月,課題負(fù)責(zé)人,236 萬(wàn)元,已完成。 (4)教育部新世紀(jì)人才支持計(jì)劃,,亞納米尺寸復(fù)合磁性半導(dǎo)體材料的制備、結(jié)構(gòu)和性能;2005.1-2007.12,項(xiàng)目負(fù)責(zé)人,50 萬(wàn)元,已完成。 (5) 山東大學(xué)人才基金項(xiàng)目,新型氧化物基磁性半導(dǎo)體研究, 2003.1-2005.12, 項(xiàng)目負(fù)責(zé)人,20 萬(wàn)元, 已完成。

    科研成果

    (1)研制了具有獨(dú)立自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的ZnCoO等6種高含量過(guò)渡金屬元素的氧化物磁性半導(dǎo)體,發(fā)現(xiàn)這類新材料具有高居里點(diǎn)、高自旋極化率、巨磁光克爾效應(yīng)等優(yōu)良物理特性,有望成為高效的自旋注入源。

    (2)提出了自旋相關(guān)的電子變程躍遷理論模型,定量解釋了磁性半導(dǎo)體的磁電阻起源,提供了測(cè)量自旋極化率的新方法。

    (3)在金屬Fe/Mn/Fe三層膜中發(fā)現(xiàn)了任意角度的層間耦合。

    (4)提出了外邊界磁化自由轉(zhuǎn)動(dòng)的疇壁位移模型,解決了幾種磁性薄膜的磁化反轉(zhuǎn)機(jī)理。

    獲授權(quán)國(guó)家發(fā)明專利4項(xiàng),發(fā)表SCI 論文72篇,其中APL 11篇,PRB 11 篇,JAP 13篇。57篇論文總引用443次,他引338次。部分成果已被他人寫(xiě)進(jìn)了教科書(shū)和特邀綜述文章,并被許多研究組廣泛采用。

    科研經(jīng)歷

    2002年10月—至今,教授,博導(dǎo), 山東大學(xué)物理學(xué)院。

    設(shè)計(jì)和組建自旋電子學(xué)實(shí)驗(yàn)室,新添了分子束外延系統(tǒng)、脈沖激光沉積系統(tǒng)、

    超導(dǎo)量子干涉磁強(qiáng)計(jì)、交流梯度磁強(qiáng)計(jì)、光致發(fā)光譜儀等大型儀器。

    研究過(guò)渡金屬化合物磁性半導(dǎo)體和自旋電子注入半導(dǎo)體。

    2000年2月—2002 年10 月,研究員,美國(guó)亞拉巴馬大學(xué)和美國(guó)國(guó)家高磁場(chǎng)實(shí)驗(yàn)室。

    研究軟磁/硬磁雙相復(fù)合的金屬磁性多層膜。

    1997年5 月— 2000 年2 月,洪堡學(xué)者, 德國(guó)于利希研究中心。

    研究分子束外延金屬Fe/Mn/Fe 三層膜的層間耦合、磁疇結(jié)構(gòu);

    研究分子束外延單晶金屬磁性薄膜的磁化反轉(zhuǎn)機(jī)理。

    1996年6月-2000年2月,講師(1996),副教授(1998),山東大學(xué)物理系。

    研究磁性金屬多層膜的結(jié)構(gòu)、磁性、層間耦合、巨磁電阻。

    榮譽(yù)稱號(hào)

    2008年,山東省自然科學(xué)一等獎(jiǎng)(磁性金屬和磁性半導(dǎo)體薄膜的自旋和輸運(yùn)調(diào)控)。

    1997-2000年,洪堡學(xué)者,德國(guó)于利希研究中心。

    2005-2007年,入選教育部新世紀(jì)優(yōu)秀人才計(jì)劃。

    TAGS: 行業(yè)人物 科研人員 教授 教師
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