馮玉春博士，深圳大學(xué)光電工程學(xué)院高級(jí)工程師，女，1961年2月生，湖南人，碩士導(dǎo)師。1982年1月畢業(yè)于湖南大學(xué)半導(dǎo)體專業(yè)，獲學(xué)士學(xué)位，1988年7月畢業(yè)于西安交通大學(xué)半導(dǎo)體物理與器件專業(yè)，獲碩士學(xué)位，1996年10月畢業(yè)于西安交通大學(xué)半導(dǎo)體物理與器件專業(yè)，獲博士學(xué)位。1999年9月調(diào)入深圳大學(xué)光電子學(xué)研究所。 長(zhǎng)期從事半導(dǎo)體材料與器件的研制與開發(fā)工作。

先后主持國(guó)家“八·五”科技攻關(guān)項(xiàng)目“MCT研究”，研制出10A、1000V、關(guān)斷時(shí)間達(dá)1.5微秒的MCT樣品，并通過國(guó)家“八·五”鑒定驗(yàn)收；參加了國(guó)家“八·五”攻關(guān)項(xiàng)目“IGBT研究”，研制出了35A/1200V IGBT單管和50A～200A，600V～1200V二單元IGBT摸塊，并通過國(guó)家“八·五”攻關(guān)鑒定驗(yàn)收。研制了非晶硅和非晶氮化硅材料，所研制的非晶場(chǎng)效應(yīng)晶體管通態(tài)與斷態(tài)電流比達(dá)六個(gè)數(shù)量級(jí)。 參加了大功率可控硅及其快速晶閘管的研制與生產(chǎn)，如《舟山直流輸電用可控硅的研制》、《高可靠性可控硅》和《特大功率晶閘管的研制》等課題，并從事產(chǎn)品ISO9001系統(tǒng)的建立。曾獲陜西省機(jī)械局科學(xué)技術(shù)進(jìn)步獎(jiǎng)二等獎(jiǎng)2項(xiàng)、陜西省機(jī)械局科學(xué)技術(shù)進(jìn)步獎(jiǎng)一等獎(jiǎng)1項(xiàng)、西安市科學(xué)技術(shù)進(jìn)步獎(jiǎng)三等獎(jiǎng)1項(xiàng)、西安市科學(xué)技術(shù)進(jìn)步獎(jiǎng)二等獎(jiǎng)1項(xiàng)、陜西省科學(xué)技術(shù)進(jìn)步獎(jiǎng)三等獎(jiǎng)1項(xiàng)。發(fā)表論文十余篇。 調(diào)入深圳大學(xué)后，負(fù)責(zé)半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)室的籌建和設(shè)備調(diào)研、定購(gòu)與安裝調(diào)試工作。目前正在從事氮化鎵基材料與器件的研制，研究如何有效地提高LED的外量子效率，在建立相關(guān)理論模型的基礎(chǔ)上進(jìn)行CAD輔助設(shè)計(jì)，優(yōu)化LED輸出層結(jié)構(gòu)圖形和材料；研究氮化鎵基LED的發(fā)光機(jī)制，氮化鎵基材料的MOCVD外延生長(zhǎng)技術(shù)、緩沖層的影響以及在不同襯底上優(yōu)質(zhì)異型外延材料的生長(zhǎng)。

先后承擔(dān)了市科技項(xiàng)目《光子晶體在藍(lán)、綠光LED中的應(yīng)用》、《納米圖形化硅襯底GaN外延生長(zhǎng)技術(shù)研究》,省重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室啟動(dòng)項(xiàng)目《GaN紫外發(fā)光二極管的研究》;參加 廣東省關(guān)鍵領(lǐng)域重點(diǎn)突破項(xiàng)白《光LED器件和應(yīng)用產(chǎn)品關(guān)鍵技術(shù)研究與產(chǎn)業(yè)化》和國(guó)家863計(jì)劃引導(dǎo)項(xiàng)目《大功率白光LED器件產(chǎn)業(yè)關(guān)鍵技術(shù)研究與開發(fā)》，并為子項(xiàng)目負(fù)責(zé)人。