高級工程師。男，1939年6月出生，山西大同人。1965年畢業(yè)于天津南開大學物理系。1965年8月至今任職于中國科學院半導體研究所新材料中心。主要業(yè)績：專業(yè)特長：晶體生長、材料物理、電子學及相關設備加工。參加工作后，合作從事區(qū)域熔化提純硅，完成了國家下達的多次區(qū)熔后，硅單晶電阻率、少數(shù)載流子壽命雙過千的單晶生長任務。后獨立開創(chuàng)了以下三方面的工作：從異質外延界面結合能考慮，提出藍寶石上異質外延硅（硅/藍寶石或SOS）的成核半徑小于硅/尖晶石，SOS薄膜的質量要高于硅l尖晶石，重新點起探討SOS異質外延的火花。接著校正了國內藍寶石的晶向相圖，繼之克服了藍寶石硬度大、難加工的困難，進行了切割、研磨、拋光，研制出適合制作SOS－CMOS的完美晶體表面，即原子面平的藍寶石表面。其后制訂了一套完整的切磨拋工藝以及檢測手段，使藍寶石切磨拋成為SOS加工工藝的成熟工序。同時，自加工了不銹鋼硬接外延系統(tǒng)。從此，SOS研究組的研究走上正規(guī)。80年代中期研制出適合制作SOS－CMOS器件研制的SOS薄膜，通過了所級鑒定。其后，中國科學院半導體研究所SOS－CMOS器件研究成為國內一項獨立的工藝體系，完成國家下達的長壽命衛(wèi)星用CMOS集成電路、抗輻照加固CMOSISOS集成電路等，獲中國科學院科技進步二、三等獎。受材料室委托獨立設計并加工一臺水平、常壓MOVPE設備，完成Gase單晶外延生長，通過了所級鑒定，至今被材料開放實驗室用于外延生長藍光GaN膜。負責承擔"八五"國家重大基金項目，設計加工一臺低壓、超高真空兼用立式MOCVD設備，并用其研制出雙異質外延Si/γ-AI2O3/Si薄膜。退休前半導體所微電子中心用St/γ－AI2O3/Si薄膜研制出MOS單管和CMOS六倒相器電路。發(fā)表文章《藍寶石-硅和尖晶石-硅界面層寬度的俄歐分析》、《硅的位錯核心結構無懸掛鍵》、《γ-AI2O3/Si薄膜高真空MOCVD異質外延生長》、《半導體制冷恒溫浴槽》等。