高級(jí)工程師。男，1939年6月出生，山西大同人。1965年畢業(yè)于天津南開大學(xué)物理系。1965年8月至今任職于中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所新材料中心。主要業(yè)績：專業(yè)特長：晶體生長、材料物理、電子學(xué)及相關(guān)設(shè)備加工。參加工作后，合作從事區(qū)域熔化提純硅，完成了國家下達(dá)的多次區(qū)熔后，硅單晶電阻率、少數(shù)載流子壽命雙過千的單晶生長任務(wù)。后獨(dú)立開創(chuàng)了以下三方面的工作：從異質(zhì)外延界面結(jié)合能考慮，提出藍(lán)寶石上異質(zhì)外延硅（硅/藍(lán)寶石或SOS）的成核半徑小于硅/尖晶石，SOS薄膜的質(zhì)量要高于硅l尖晶石，重新點(diǎn)起探討SOS異質(zhì)外延的火花。接著校正了國內(nèi)藍(lán)寶石的晶向相圖，繼之克服了藍(lán)寶石硬度大、難加工的困難，進(jìn)行了切割、研磨、拋光，研制出適合制作SOS－CMOS的完美晶體表面，即原子面平的藍(lán)寶石表面。其后制訂了一套完整的切磨拋工藝以及檢測手段，使藍(lán)寶石切磨拋成為SOS加工工藝的成熟工序。同時(shí)，自加工了不銹鋼硬接外延系統(tǒng)。從此，SOS研究組的研究走上正規(guī)。80年代中期研制出適合制作SOS－CMOS器件研制的SOS薄膜，通過了所級(jí)鑒定。其后，中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所SOS－CMOS器件研究成為國內(nèi)一項(xiàng)獨(dú)立的工藝體系，完成國家下達(dá)的長壽命衛(wèi)星用CMOS集成電路、抗輻照加固CMOSISOS集成電路等，獲中國科學(xué)院科技進(jìn)步二、三等獎(jiǎng)。受材料室委托獨(dú)立設(shè)計(jì)并加工一臺(tái)水平、常壓MOVPE設(shè)備，完成Gase單晶外延生長，通過了所級(jí)鑒定，至今被材料開放實(shí)驗(yàn)室用于外延生長藍(lán)光GaN膜。負(fù)責(zé)承擔(dān)"八五"國家重大基金項(xiàng)目，設(shè)計(jì)加工一臺(tái)低壓、超高真空兼用立式MOCVD設(shè)備，并用其研制出雙異質(zhì)外延Si/γ-AI2O3/Si薄膜。退休前半導(dǎo)體所微電子中心用St/γ－AI2O3/Si薄膜研制出MOS單管和CMOS六倒相器電路。發(fā)表文章《藍(lán)寶石-硅和尖晶石-硅界面層寬度的俄歐分析》、《硅的位錯(cuò)核心結(jié)構(gòu)無懸掛鍵》、《γ-AI2O3/Si薄膜高真空MOCVD異質(zhì)外延生長》、《半導(dǎo)體制冷恒溫浴槽》等。