教育經(jīng)歷
2010年本科畢業(yè)于復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)專業(yè)；
2014年博士畢業(yè)于香港科技大學(xué)電子計(jì)算機(jī)工程專業(yè)。
工作經(jīng)歷
2014年在香港科技大學(xué)獲得電子計(jì)算機(jī)工程博士學(xué)位后，先后在香港科技大學(xué)擔(dān)任客座助理教授，在英國(guó)劍橋大學(xué)做博士后。
2016年回國(guó)后，進(jìn)入浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院，擔(dān)任“百人計(jì)劃”研究員。
學(xué)術(shù)論文
近五年來(lái)在本領(lǐng)域權(quán)威期刊IEEE EDL、IEEE T-ED、APL，電子器件和功率半導(dǎo)體頂級(jí)會(huì)議IEDM、ISPSD等
?共發(fā)表60余篇論文（其中SCI論文30余篇），編寫英文專著章節(jié)一章，其中一篇論文被德國(guó)Wiley-VCH期刊PSSA選為封面，受邀在IWNu20192012、RFITu20192015、ISCSu20192016、IFWSu20192016、MOCVDu20192016等會(huì)議上做特邀報(bào)告。作為第一作者的研究成果被包括美國(guó)工程院院士、歐洲科學(xué)院院士、英國(guó)皇家工程院院士、中國(guó)科學(xué)院院士等著名學(xué)者，以及Infineon、TSMC、NXP等國(guó)際領(lǐng)先半導(dǎo)體公司多次引用和正面評(píng)價(jià)，多次被Compound Semiconductor和Semiconductor Today產(chǎn)業(yè)雜志專題報(bào)道。
IEEE和EDS、PELS會(huì)員；IEEE EDL、IEEE T-ED、APL、PSS等國(guó)際期刊審稿人，被IEEE EDL（2015-2017年）和IEEE T-ED（2014-2017年）評(píng)為金牌審稿人。
研究領(lǐng)域
研究領(lǐng)域?yàn)橄乱淮咝誓芰哭D(zhuǎn)換系統(tǒng)中的GaN半導(dǎo)體器件核心技術(shù)及物理機(jī)理。GaN，即氮化鎵，屬于第三代半導(dǎo)體材料。
主要從事寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件的設(shè)計(jì)、微納制造、分析表征以及可靠性研究。在氮化鎵MIS器件界面優(yōu)化、硅基氮化鎵器件緩沖層陷阱效應(yīng)物理機(jī)制、基于同質(zhì)外延的垂直型氮化鎵電力電子器件等方向開展了一系列工作。
