吉林大學電子科學與工程學院微電子學系教授。半導體物理與器件研究方向。

1. 近五年來講授的主要課程：

⑴《半導體器件物理與實驗》（1）專業(yè)基礎課4學時/周 4屆 350人

⑵《半導體器件物理與實驗》（3） 專業(yè)基礎課 3學時/周 2屆 150人

⑶《半導體物理》 研究生專業(yè)基礎課 3學時/周 5屆 500人

⑷《半導體器件物理》 研究生專業(yè)基礎課 3學時/周 5屆 500人

2.承擔的實踐性教學：

畢業(yè)設計/論文20人

3. 主持的教學研究課題

1) 主編《半導體器件物理》教材（修訂版） 科學出版社十五教材建設項目（2008年年底出版）

2) 《半導體器件物理與實驗》精品課程建設，吉林大學，四年，課程負責人

3) 《半導體器件物理與實驗》精品課程建設，吉林省，四年，課程負責人

4. 出版的教材

《半導體器件物理》，主編，（41.8萬字），科學出版社，2005年1月，第一次印刷；2005年7月，第二次印刷,2006年3月第三次印刷。

學術研究課題

（1）新型結構高活性納米TiO2 可見光催化劑制備，國家自然科學基金委員會（批準號：50472035），(項目負責人，3年)

（2）HVPE方法制備GaN多晶薄膜及GaN藍色與紫外發(fā)光管，合作項目，與北京大學“寬禁帶半導體研究中心”合作， (項目負責人，3年)

（3）立方氮化硼單晶半導體特性研究 吉林省科技廳，（主要參加人，3年）

（1）聚苯胺/TiO2/ITO薄膜電極光致界面電荷轉移, Chem. J. Chin. Univ., 2004，第一作者。

（2）Sn4+ 慘雜對TiO2納米顆粒膜光催化降解苯酚活性的影響，Chem. J. Chin. Univ., 2001，第一作者。

（3）Effect of Plasma Treatment on Surface Properties of TiO2 Nonparticulate Films, Colloids and Surfaces A,2005,262:181-186 第二作者,指導教師。

(4). Measurement of the linear electro-optic coefficient of a minute cBN sample ，Science in China Ser.E Engineering &Materials Science ，2005，第二作者

（5）Energy Band Structure of Alq3/TCAQ Heterostructure Complex Film Determined by Surface photo-Voltage Spectroscopy Chem. Res. Chin. Univ.,2003 第一作者

《半導體器件物理》

本書結合一些基礎的、主要的、常用的半導體器件，介紹了半導體器件的基本結構、主要工藝技術和物理原理。全書內容包括：半導體物理基礎、PN結、金屬-半導體結、結型場效應晶體管、金屬-氧化物-半導體場效應晶體管、半導體太陽電池和光電二極管、半導體發(fā)光管和激光器、集成器件和電荷耦合器件等。

本書可作為高等院校微電子、光電子、電子科學與技術等專業(yè)本科生和研究生的教材，也可供有關專業(yè)的研究人員和工程技術人員參考。

序言

前言

主要符號表

第一章半導體物理基礎

1.1半導體中的電子狀態(tài)

1.2載流子的統(tǒng)計分布

1.3簡并半導體

1.4載流子的散射

1.5　載流子的輸運

1.6非平衡載流子

第二章　PN結

2.1　熱平衡PN結

2.2　加偏壓的PN結

2.3　理想PN結的直流電流-電壓特性

2.4　空間電荷區(qū)的復合電流和產生電流

2.5　隧道電流

2.6　I-V特性的溫度依賴關系

2.7　耗盡層電容求雜質分布和變容二極管

2.8　小信號交流分析

2.9　電荷貯存和反向瞬變

2.10　PN結擊穿

第三章雙極結型晶體管

3.1　雙極結型晶體管的結構

3.2　基本工作原理

3.3　理想雙極結型晶體管中的電流傳輸

3.4　埃伯斯-莫爾方程

3.5　緩變基區(qū)晶體管

3.6基區(qū)擴展電阻和電流集聚

3.7基區(qū)寬度調變效應

3.8　晶體管的頻率響應

3.9　混接π型等效電路

3.10　晶體管的開關特性

3.11　擊穿電壓

3.12　P-N-P-N結構

3.13異質結雙極晶體管

3.14　幾類常見的HBT

第四章　金屬-半導體結

4.1肖特基勢壘

4.2　界面態(tài)對勢壘高度的影響

4.3　鏡像力對勢壘高度的影響

4.4肖特基勢壘二極管的電流-電壓特性

4.5　肖特基勢壘二極管的結構

4.6　金屬-絕緣體-半導體肖特基勢壘二極管

4.7　肖特基勢壘二極管和PN結二極管之間的比較

4.8　肖特基勢壘二極管的應用

4.9　歐姆接觸

第五章結型場效應晶體管和金屬-半導體場效應晶體管

5.1　JFET的基本結構和工作過程

5.2　理想JFET的I-V特性

5.3　靜態(tài)特性

5.4　小信號參數(shù)和等效電路

5.5　JFET的截止頻率

5.6　夾斷后的JFET性能

5.7　金屬-半導體場效應晶體管

5.8　JFET和MESFET的類型

5.9　異質結MESFET和I-IEMT

第六章　金屬-氧化物-半導體場效應晶體管

6.1　理想MOS結構的表面空間電荷區(qū)

6.2　理想MOS電容器

6.3　溝道電導與閾值電壓

6.4　實際MOS的電容-電壓特性

6.5　MOS場效應晶體管

6.6　等效電路和頻率響應

6.7　亞閾值區(qū)

6.8　MOS場效應晶體管的類型

6.9　影響閾值電壓的其余因素

6.10　器件尺寸比例

第七章　太陽電池和光電二極管

7.1　半導體中的光吸收

7.2　PN結的光生伏打效應

7.3　太陽電池的I-V特性

7.4　太陽電池的效率

7.5　光產生電流和收集效率

7.6　提高太陽電池效率的考慮

7.7肖特基勢壘和MIS太陽電池

7.8　非晶硅(a-Si)太陽電池

7.9　光電二極管

7.10　光電二極管的特性參數(shù)

第八章　發(fā)光二極管與半導體激光器

8.1　輻射復合與非輻射復合

8.2　LED的基本結構和工作過程

8.3　LED的特性參數(shù)

8.4　可見光LED

8.5紅外LED

8.6　異質結LED

8.7　半導體激光器及其基本結構

8.8　半導體受激發(fā)射的條件

8.9　結型半導體激光器的特性

8.10　異質結激光器

第九章　集成器件

9.1　雙極集成器件的隔離工藝

9.2　集成電路中的無源元件

9.3　雙極型反相器

9.4　集成注入邏輯

9.5　NMOS邏輯門電路

9.6　NMOS存儲器件

9.7　CMOS反相器

9.8砷化鎵集成電路

第十章電荷轉移器件

10.1　電荷轉移

10.2　深耗盡狀態(tài)和表面勢阱

10.3　MOS電容的瞬態(tài)特性

10.4　信息電荷的輸運轉換效率

10.5　電極排列和CCD制造工藝

10.6　體內(埋入)溝道CCD

10.7　電荷的注入、檢測和再生

10.8　集成斗鏈器件

10.9　電荷耦合圖像器件

參考文獻

附錄A　物理常數(shù)

附錄B　重要半導體的性質

附錄C硅、鍺和砷化鎵的性質