鄧福渠,男，漢族，1964年生于新疆。中國科學(xué)院新疆理化技術(shù)研究所研究員，碩士生導(dǎo)師。中國電子學(xué)會及中國核學(xué)會核電子學(xué)與核探測技術(shù)分會委員。

　　長期從事電子元器件輻射效應(yīng)、輻射損傷機理、模擬試驗技術(shù)和空間輻射環(huán)境在軌測量技術(shù)研究；先后主持863等國家級科研項目十余項；獲新疆維吾爾自治區(qū)科技進步二等獎2項，中國科學(xué)院和新疆維吾爾自治區(qū)科技進步三等獎各1 項；獲國家發(fā)明專利授權(quán)一項；在國內(nèi)外期刊發(fā)表論文數(shù)十篇。

　　半導(dǎo)體器件和集成電路總劑量輻射效應(yīng)機理、模擬試驗方法、空間輻射環(huán)境在軌測量技術(shù)等研究。

　　1. 新型半導(dǎo)體器件和集成電路總劑量輻射效應(yīng)機理研究

　　研究光電器件、大規(guī)模集成電路等的總劑量輻射效應(yīng)規(guī)律和輻射損傷物理機制，為新型器件和集成電路的空間輻射效應(yīng)模擬試驗和抗輻射加固技術(shù)提供理論依據(jù)和支撐。

　　2. 新型電子元器件總劑量輻射效應(yīng)模擬試驗方法

　　光電成像器件、大規(guī)模集成電路輻射效應(yīng)測試技術(shù)研究、損傷失效模式、輻射損傷表征方法、模擬試驗技術(shù)和評估方法研究。

　　3. 空間輻射環(huán)境在軌測量技術(shù)研究

　　利用半導(dǎo)體器件、材料和電離輻射效應(yīng)研制開發(fā)適用于空間環(huán)境在軌測量的輻射劑量監(jiān)測技術(shù)和設(shè)備。

　　1. SiGe HBT與Si BJT的60Coγ射線總劑量輻照效應(yīng)比較，牛振紅， 鄧福渠，任迪遠，劉剛，高嵩, 固體電子學(xué)研究與進展， 2007（27）3。

　　2. 多結(jié)太陽電池輻射損傷的電致發(fā)光研究，牛振紅， 鄧福渠，任迪遠，高嵩，劉剛，戴康，固體電子學(xué)研究與進展，2008（28）1。

　　3. 一種國產(chǎn)GaInP/GaAs/Ge三結(jié)太陽電池的電子輻照特性，牛振紅， 鄧福渠，任迪遠，劉剛，高嵩，徐壽巖，孫彥錚，肖志斌，核技術(shù)，2007（30）1。

　　4. SiGe HBT 60Coγ射線輻照效應(yīng)及退火特性，牛振紅， 鄧福渠，任迪遠，劉剛，高嵩, 半導(dǎo)體學(xué)報，2006（27）9。

　　5. 大規(guī)模存貯器電離輻射試驗方法，匡治兵， 鄧福渠，吾勤之，任迪遠，陸嫵, 微電子學(xué)，2005（35）5。

　　6. 80C31單片機電路總劑量效應(yīng)研究，匡治兵， 鄧福渠，任迪遠，李愛武，汪東，微電子學(xué)， 2005（35）6。

　　7. 劑量率對PMOS劑量計輻射響應(yīng)的影響，孫靜， 鄧福渠，張軍，任迪遠，陸嫵，余學(xué)鋒，文林，王改麗，鄭玉展，微電子學(xué)，2009（39）1。

研究領(lǐng)域

　　物理學(xué)