基本情況
1974年畢業(yè)于北京工業(yè)大學(xué)無線電系半導(dǎo)體物理與器件專業(yè)并留校任教，1991年在北京工業(yè)大學(xué)在職研究生畢業(yè)。因本人在科研方面的突出成績(jī)，于1998年獲中華人民共和國(guó)國(guó)務(wù)院特殊津貼獎(jiǎng)勵(lì)。1996—2000年作為訪問學(xué)者分別在美國(guó)伊利諾依大學(xué)（UIUC）和弗吉尼亞州立大學(xué)（VCU）從事氮化鎵（GaN）基器件的研究，獲得了當(dāng)時(shí)世界領(lǐng)先的AlGaN/GaN MODFET(調(diào)制摻雜場(chǎng)效應(yīng)晶體管)、GaN P-I-N 紫外光探測(cè)器科研成果，并發(fā)表了相應(yīng)的論文。因本人在出國(guó)留學(xué)期間發(fā)表的高水平科研論文、在此期間取得的科研成果及所創(chuàng)造的經(jīng)濟(jì)效益，于2005年獲第二屆北京市留學(xué)人員創(chuàng)業(yè)獎(jiǎng)。
主要研究
方向：
AlGaN/GaN MODFET、GaN基紫外探測(cè)器等新型半導(dǎo)體器件的設(shè)計(jì)及制造；半導(dǎo)體器件、集成電路熱阻的測(cè)試研究；電子元器件、集成電路可靠性及加速壽命試驗(yàn)的研究。
在研課題：
GaN/AlGaN HFET的結(jié)構(gòu)材料生長(zhǎng)和器件設(shè)計(jì)制造基礎(chǔ)技術(shù)；GaN基紫外探測(cè)器研究；軍用半導(dǎo)體分立器件加速壽命試驗(yàn)新方法的應(yīng)用研究。
科研成果
1．獲北京市、電子工業(yè)部科技進(jìn)步獎(jiǎng)7項(xiàng)，其中有“功率晶體管峰值結(jié)溫非破壞性測(cè)量技術(shù)”“砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管溝道溫度精確測(cè)量技術(shù)”“稅務(wù)數(shù)據(jù)自動(dòng)化采集和計(jì)算機(jī)讀卡接收系統(tǒng)”等。
2．獲國(guó)家發(fā)明專利4項(xiàng)，實(shí)用新型專利1項(xiàng)。
3．與他人合著《超大規(guī)模集成電路設(shè)計(jì)技術(shù)－從電路到芯片》、譯著《半導(dǎo)體器件電子學(xué)》《低成本倒裝芯片技術(shù)》。