馬佐平 , 男, 美國(guó)國(guó)籍，微納電子科學(xué)家。1945年11月生于甘肅省蘭州市。1974年獲得美國(guó)耶魯大學(xué)博士學(xué)位 。現(xiàn)任美國(guó)耶魯大學(xué)教授。2003年當(dāng)選為美國(guó)工程院院士。當(dāng)時(shí)獲選的77人中，馬佐平是唯一的華裔院士。

　　對(duì)金屬/氧化物/半導(dǎo)體(MOS)的科學(xué)認(rèn)知及技術(shù)發(fā)展，尤其是在MOS柵介質(zhì) (包括高介電常數(shù)的柵介質(zhì)）的科技領(lǐng)域做出重要貢獻(xiàn)。1970年始他在做超�。ā�4納米）柵氧化硅研究中指出隧穿電流對(duì)MOS特性的重要影響，發(fā)現(xiàn)了輻射效應(yīng)或熱載子效應(yīng)所產(chǎn)生的界面陷阱與在界面附近的應(yīng)變分布有直接的關(guān)聯(lián)，而據(jù)此提出一個(gè)“柵誘導(dǎo)的應(yīng)變分布”模式來(lái)解釋實(shí)驗(yàn)的結(jié)果，推出在柵氧化硅內(nèi)摻入極小量的諸如氟、氯或氮等雜質(zhì)來(lái)促成應(yīng)變的弛豫以降低輻射或熱載子效應(yīng)的方法。發(fā)現(xiàn)了一個(gè)在經(jīng)歷輻照MOS內(nèi)的界面陷阱的轉(zhuǎn)型現(xiàn)象，并隨后對(duì)此做了系統(tǒng)的研究。他最先提出用氮化硅(Si3N4)做MOS柵介質(zhì)以取代二氧化硅(SiO2)的概念并首先用實(shí)驗(yàn)證明其可行性，推動(dòng)了近年引入用更高介電常數(shù)的柵介質(zhì)的理念，進(jìn)而推展未來(lái)的MOS科技。最近Intel、IBM等公司宣布量產(chǎn)High-k Gate Dielectrics的芯片， 正式實(shí)踐了馬佐平早期理念。最近，他的研究小組創(chuàng)先使用“非彈性電子隧道譜”（IETS）的方法來(lái)探測(cè)超薄高介電常數(shù)的介質(zhì)內(nèi)的微結(jié)構(gòu)、微缺陷及雜質(zhì)。IETS有望將來(lái)被廣泛使用，從而進(jìn)一步推動(dòng)MOS柵介質(zhì)的研究及發(fā)展。

　　在耶魯大學(xué)培養(yǎng)了大批華裔微電子科技專家，其中40多位中國(guó)學(xué)生在他指導(dǎo)下獲得博士學(xué)位。1993年以來(lái)，他幾乎每年都回國(guó)，多次到中國(guó)航天技術(shù)院、中國(guó)科學(xué)院、清華大學(xué)、北京大學(xué)、山東大學(xué)、天津大學(xué)、復(fù)旦大學(xué)、上海交通大學(xué)、廈門(mén)大學(xué)等科研機(jī)構(gòu)和大學(xué)講學(xué)。1994年至2000年間，馬佐平研究小組與中科院新疆物理所的輻射效應(yīng)小組密切合作，促使中科院新疆物理所成為中國(guó)的半導(dǎo)體器件的輻射效應(yīng)中心之一。2002年到2005年，與清華大學(xué)共同研發(fā)制造先進(jìn)的閃存器件，對(duì)清華大學(xué)閃存科研的進(jìn)展有較大的貢獻(xiàn)。2005年，馬佐平與北大微電子學(xué)研究院王陽(yáng)元共同成立了北大-耶魯微納電子合作研究中心，合作研討微電子及納米電子領(lǐng)域的最先進(jìn)的科學(xué)課題。馬佐平受聘為福建省信息產(chǎn)業(yè)專家委員會(huì)委員，福建省政府顧問(wèn)，蘇州工業(yè)園區(qū)微電子業(yè)首席顧問(wèn)。2010年，馬佐平將與國(guó)內(nèi)同行專家在中國(guó)合作主辦第十屆國(guó)際固態(tài)和集成電路技術(shù)會(huì)議（ICSICT）。

美國(guó)國(guó)家工程院院士

　　耶魯大學(xué)電機(jī)系講座教授

　　耶魯大學(xué)電機(jī)系系主任

　　耶魯大學(xué)微電子研究中心共同主任

　　北京大學(xué)－耶魯大學(xué)微電子及納米技術(shù)聯(lián)合研究中心共同主任

　　馬佐平院士也是IBM, Intel, HP, 日立, 東芝, 臺(tái)積電,旺宏電子等國(guó)際大公司的高級(jí)科技顧問(wèn).

中國(guó)科學(xué)院名譽(yù)教授

　　清華大學(xué)，天津大學(xué)，山東大學(xué)，福州大學(xué)名譽(yù)教授

　　北京大學(xué)客座教授

　　信產(chǎn)部十五，十一五規(guī)劃顧問(wèn)。

> Advanced Gate Dielectrics

　　> Flash Memory Devices

　　> MIS Devices Based on SiC, GaN, GaP, SiGe, and InAs

　　> Inelastic Electron Tunneling Spectroscopy (IETS)

　　> Ferroelectric Thin Films for Memory Technology

2003年當(dāng)選美國(guó)國(guó)家工程院院士， 為當(dāng)年獲選的77人中唯一的華裔院士。

　　2005年獲世界電子與電機(jī)工程學(xué)會(huì)“安德魯。葛洛夫大獎(jiǎng)”，此獎(jiǎng)每年只頒發(fā)給一名給對(duì)計(jì)算機(jī)科技有卓越貢獻(xiàn)的世界級(jí)研究者。

　　2006年獲美國(guó)半導(dǎo)體協(xié)會(huì)“大學(xué)研究大獎(jiǎng)”

a Harding Bliss Prize from Yale University

　　GE Whitney Lectureship from General Electric

　　Yankee Ingenuity Award from the State of Connecticut

　　BF Goodrich Collegiate Inventoru2019s Winneru2019s Advisor Award (twice)

　　the Paul Rappaport Award from the IEEE Electron Device Society

　　"Mobility Measurement and Degradation Mechanisms of MOSFETs Made with Ultra-Thin High-k Dielectrics," IEEE Trans. Electron Devices, VED-51(1), 98-105 (2004).

　　"Inelastic Electron Tunneling Spectroscopy Study of Ultra-thin HfO2 and HfAlO," Appl. Phys. Lett., 83(13), 2605 (2003).

　　"High Temperature (450 C) Reliable NMISFETs on P-type 6H-SiC," X. Wang, T.P. Ma, et al., paper 8.7, Technical Digest of International Electron Device Meeting, Washington DC., Dec. 5-8 (1999).

　　"Making Silicon Nitride Film a Viable Gate Dielectric," T.P. Ma, IEEE Trans. Electron Dev., 45, 680 (1998).

　　馬佐平獲世界電子與電機(jī)工程學(xué)會(huì)葛洛夫獎(jiǎng)

　　2005年8月22日

　　華聲報(bào)訊：據(jù)美國(guó)《世界日?qǐng)?bào)》報(bào)道，“世界電子與電機(jī)工程學(xué)會(huì)”(IEEE)日前宣布，將把今年度的安德魯·葛洛夫獎(jiǎng)?lì)C發(fā)給現(xiàn)任耶魯大學(xué)電機(jī)系及微電子中心華裔主任馬佐平教授，以表彰他在研發(fā)“互補(bǔ)性氧化金屬半導(dǎo)體”閘介極科技方面的卓越貢獻(xiàn)。

　　馬佐平8月17日對(duì)于獲得該獎(jiǎng)表示相當(dāng)興奮，但他也不忘將這份榮耀與共事研究的耶大電機(jī)系研究生分享。馬佐平指出，他的研究團(tuán)隊(duì)共有10位學(xué)生，其中除了一名為白人學(xué)生外，其它皆為來(lái)自大陸或臺(tái)灣的留學(xué)生，他表示這個(gè)獎(jiǎng)是該團(tuán)隊(duì)共同努力的成果。

　　馬佐平從1993年開(kāi)始研究互補(bǔ)性氧化金屬半導(dǎo)體，這個(gè)安裝在計(jì)算機(jī)內(nèi)存內(nèi)的半導(dǎo)體，主要有三項(xiàng)功能――省電、快速處理和節(jié)省成本。他舉例說(shuō)，一般計(jì)算機(jī)內(nèi)的半導(dǎo)體，若希望能加快其處理速度，則需要消耗較多的電能，但他的研究成果則讓未來(lái)類似的半導(dǎo)體在高速運(yùn)算的情形下使用較少的電能，這項(xiàng)科技還可運(yùn)用在一般生活中，如手機(jī)、收音機(jī)等家電上，他指出，未來(lái)的手機(jī)或許可以更精密且耗電量更少。

　　具有悠久歷史的世界電子與電機(jī)工程學(xué)會(huì)是目前全世界最大的職業(yè)科技機(jī)構(gòu)，現(xiàn)有會(huì)員約36萬(wàn)人，來(lái)自全世界170個(gè)國(guó)家，包含了航天、計(jì)算機(jī)科技、生化等各方面人才，葛洛夫獎(jiǎng)是特為紀(jì)念英特爾公司創(chuàng)辦人兼董事長(zhǎng)葛洛夫而設(shè)立，每年只頒發(fā)一名給對(duì)計(jì)算機(jī)科技有卓越貢獻(xiàn)的研究者。