個人簡歷
劉新宇，男，曾任中國科學(xué)院微電子研究所所長助理、微波器件與集成電路研究室（四室）主任 ，2011年5月任中國科學(xué)院微電子研究所副所長 。還擔(dān)任中國科學(xué)院微電子器件與集成技術(shù)重點實驗室副主任，電子學(xué)會青年工作委員會委員，是國家“核高基”重大專項“十二五”編寫組專家。
學(xué)習(xí)經(jīng)歷
1991——1995年，安徽師范大學(xué)物理系 學(xué)士
1995——1998年，航天部771所微電子專業(yè) 碩士
1998——2000年，中國科學(xué)院微電子研究所微電子專業(yè) 博士
研究方向
主要研究領(lǐng)域為：III-V族化合物（GaAs、InP、GaN）半導(dǎo)體器件和電路工藝，微波MMIC設(shè)計和研制，以及微波功率模塊研究。
學(xué)科類別
微波器件、模塊與集成電路
承擔(dān)科研項目情況
1998-2001年作為主要負責(zé)人參與國家九五攻關(guān)項目（亞微米CMOS/SOI器件與電路研究）和院重點創(chuàng)新項目（CMOS/SOI 64Kb靜態(tài)隨機存儲器研制），負責(zé)電路設(shè)計和工藝開發(fā)總體工作，“亞微米CMOS/SOI器件與電路研究”已通過國家驗收，并在國內(nèi)首次研發(fā)出大規(guī)模CMOS/SOI 64Kb靜態(tài)隨機存儲器電路。
2000年，作為負責(zé)人之一參加院重點創(chuàng)新項目（8×10Gb/s DWDM光纖通信光電發(fā)射模塊研究），負責(zé)工藝開發(fā)工作。
2001年，主持國內(nèi)首條4英寸GaAs生產(chǎn)線建設(shè)，成功開發(fā)4英寸GaAs HBT和HEMT工藝流程。
2002年，作為首席專家助理參加973項目“新一代化合物半導(dǎo)體電子器件與電路研究”，協(xié)助首席科學(xué)家錢鶴研究員開展項目整體協(xié)調(diào)，負責(zé)科研進度管理和財務(wù)稽查，同時負責(zé)重點子課題“AlGaN/GaN微波功率器件”。
2002年11月，作為首席科學(xué)家（錢鶴研究員）助理參加院重點創(chuàng)新項目，成功研制出國內(nèi)領(lǐng)先的GaN基功率器件和InP基超高頻器件和電路，部分成果達到國際先進水平。
2006年，作為首席科學(xué)家負責(zé)重點創(chuàng)新項目“X波段寬禁帶半導(dǎo)體功率器件和材料研究”。
2008年，作為負責(zé)人之一負責(zé)自然基金重大項目“氮化鎵基毫米波器件和材料基礎(chǔ)與關(guān)鍵問題研究”。
2009年，作為首席科學(xué)家?guī)ьI(lǐng)團隊獲973項目“超高頻、大功率化合物半導(dǎo)體器件與集成技術(shù)基礎(chǔ)研究”滾動支持。
事跡簡介
他師從著名科學(xué)家吳德馨院士，主要從事抗輻照SOI CMOS電路和化合物半導(dǎo)體微波器件、電路及模塊的研究與開發(fā)。先后參加和主持國家級項目9項，科研經(jīng)費達到1.3億元。2000年，在國內(nèi)首次研發(fā)出大規(guī)模CMOS/SOI 64Kb靜態(tài)隨機存儲器電路和萬門級全耗盡門陣列電路。2002年，年僅29歲的他被破格提升為研究員。2004年，擔(dān)任“973”項目“新一代化合物半導(dǎo)體電子器件與電路研究”首席科學(xué)家。2006年，接任973項目首席科學(xué)家。2007年5月，作為首席科學(xué)家負責(zé)院重點創(chuàng)新項目。 2009年，作為首席科學(xué)家的“973”項目“超高頻、大功率化合物半導(dǎo)體器件與集成技術(shù)基礎(chǔ)研究”獲得科技部的滾動支持，獲得國防科技一等獎一項。他先后在國內(nèi)外重要學(xué)術(shù)刊物上發(fā)表學(xué)術(shù)論文90余篇，申請國家發(fā)明專利26項。他是微電子所重點培養(yǎng)的青年后備干部。
