朱長(zhǎng)飛（Zhu Changfei），男，漢族，教授，博士生導(dǎo)師，中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)副校長(zhǎng)。

         1962年6月生于安徽省廬江縣泥河鎮(zhèn)，1979至1990年在中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)學(xué)習(xí)，獲凝聚態(tài)物理博士學(xué)位，1991留校工作，先后多次去香港理工大學(xué)做訪問學(xué)者。2000年起任中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)教授，2004任材料科學(xué)與工程系執(zhí)行主任，2005任科學(xué)技術(shù)處常務(wù)副處長(zhǎng)，2006任科學(xué)技術(shù)處處長(zhǎng)，2008年11月任中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)校長(zhǎng)助理。2010年4月起任中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)副校長(zhǎng)。

         長(zhǎng)期從事材料物理教學(xué)和過渡金屬氧化物、寬帶隙半導(dǎo)體與新概念太陽能電池研究工作。在國際學(xué)術(shù)期刊上發(fā)表論文80余篇。

       1979年考入中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)物理系。

       1984年在中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)物理系獲得理學(xué)學(xué)士。

       1987年在中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)物理系獲得理學(xué)碩士。

       1991年在中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)物理系獲得理學(xué)博士。

        1999年和2004年先后兩次赴香港理工大學(xué)電子與工程系做高級(jí)訪問學(xué)者，歷時(shí)近三年。

        2000年任材料科學(xué)與工程系教授至今。

        1． 新型過渡金屬氧化物功能材料的制備、物性研究及其在信息和能源領(lǐng)域的應(yīng)用。

        2． 寬帶隙特種半導(dǎo)體（GaN，SiC，ZnO…..）薄膜與器件研究。

        3． 新型太陽能電池材料研究。

        1. Su JR, Zhu CF ,Raman scattering in the intermetallic compounds Sm1-xGdxAl2 (x=0, 0.01 and 0.02), MATER RES BULL 38 (15): 2025-2029 DEC 10 2003

         2. Temperature-dependent ultrasonic study on parity-violating phase transitions of D- and L-alanine single crystals, W. Q. Wang, W. Min, C. F. Zhu and F. Yi, Phys. Chem. Chem. Phys 5., 4000-4003(2003).

        3. A way to obtain visible blue light emission in porous silicon, Q. W. Chen, D.L.Zhu, C. Zhu, J. Wang and Y. G. Zhang, Appl. Phys. Lett. 82, 1018-1020(2003)

         4. Characterizations of GaN films grown with indium surfactant by RF-plasma assisted molecular beam epitaxy, W.K. Fong, C.F. Zhu, B.H. Leung, C. Surya, b. Sundaravel, E.Z. Luo, J.B. Xu, I. H. Wilson, Microelectronics Reliability 42, 1179-1184(2002)

        5. Charge transport and ultrasonic properties in La0.57Ca0.43MnO3 perovskite, Zheng RK, Zhu CF, Xie JQ, Huang RX, Li XG, MATERIALS CHEMISTRY AND PHYSICS ,75 (1-3): 121-124 Sp. Iss. SI APR 28 (2002)

        6. Study of Low-Frequency Noise in Ga-Polarity GaN Epitaxial Layers, J. Q. Xie, W. K. Fong, B. H. Leung, C. F. Zhu and C. Surya, K. H. Wong, Fluctuation and Noise Letters, 1:(4)R163-R174(2001).

         7. Low-frequency noise in GaN thin films deposited by rf-plasma assisted molecular-beam epitaxy, Leung BH, Fong WK, Zhu CF, and Surya C., J APPL PHYS 91 (6): 3706-3710 MAR 15 (2002).

         8. Characterization of deep levels in Pt-GaN Schottky diodes deposited on intermediate-temperature buffer layers, Leung BH, Chan NH, Fong WK, Zhu CF, Ng SW, Lui HF, Tong KY, Surya C, Lu LW, Ge WK, IEEE T ELECTRON DEV 49 (2): 314-318 FEB (2002).

       9. Study of GaN thin films grown on intermediate-temperature buffer layers by molecular beam epitaxy, L.W. Lu, W.K. Fong, C.F. Zhu, Leung BH, Surya C, Wang J, Ge WK, J CRYST GROWTH 234(1): 99-104 JAN (2002).

       10. Study of low-frequency excess noise in GaN thin films deposited by RF-MBE on intermadiate-temperature buffer layers, B.H. Leung, W.K. Fong, C.F. Zhu, C. Surya, IEEE Transactions on Electron Devices 48: (10), 2400-2404(2001).

        11. Structural change and charge ordering correlated ultrasonic anomalies in La1-xCaxMnO3 (x=0.5,0.83) perovskite, R. K. Zheng, C. F. Zhu, J. Q. Xie and X. G. Li, Physical Review B, 63 (2): art. no. 024427 JAN 1 2001.

        12. Characterization of high quality MBE-grown GaN films on intermediate-temperature buffer layers, C. F. Zhu, W. K. Fong, B. H. Leung, and C. Surya, Appl. Phys. A72, 495-497(2001).

        13. Effects of rapid thermal annealing on the structural propertied of GaN thin films, C. F. Zhu, W. K. Fong, B. H. Leung, C. C. Cheng, and C.surya, IEEE Transactions on Electron Devices 48: (6), 1225-1230(2001).

        14. Study of low-frequency excess noise in RTA annealed n-type gallium nitride，Zhu, C.F.; Fong, W.K.; Leung, B.H.; Cheng, C.C.; Surya, C.; Proceedings of the IEEE Hong Kong Electron Devices Meeting, 24-29 (2000)

        15. Study of the effects of rapid thermal annealing in generation-recombination noise in MBE grown GaN thin films, C. Surya, C. F. Zhu, B. H. Leung, W. K. Fong, C. C. Cheng, J. K. O. Sin, Microelectronics Reliability, 40, 1905-1909(2000).

        16. Ultrasonic anomalies in La0.67Ca0.33Mn03 near the Curie temperature, Changfei Zhu, Renkui Zheng, Jinrui Su, Jiang He, Applied Physics Letters, Vol.74:(23), 3504-3506(1999).

       17. Ultrasonic evidence for magnetoclastic coupling in La0.60Y0.07Ca0.33MnO3 perovskites, Changfei Zhu, Renkui Zheng , Physical Review B, Vol.59:(17), 11169-11171(1999)

      18. Ultrasonic study on charge ordering, magnetic, and structural changes in La0.25Ca0.75Mn0.93Cr0.07O3, X.G.Li, H.Chen, C.F.Zhu, H.D.Zhou, R.K.Zheng and J.H.Zhang, Applied Physics Letters 76(9), 1173-1175(2000).

        19. Ultrasonic behaviors near different phase transitions in La1-xCaxMnO3, Changfei Zhu, Renkui Zheng, Jinrui Su and Wenhai Shong, Journal of Physics: Condense Matter 12:(6), 823-828(2000).

       20. Ultrasonic anomalies in La0.67Ca0.33Mn1-xZnxO3 Perovskites, Changfei Zhu, and Renkui Zheng, J. Phys. Condens. Matter 11:(43), 8505-8510(1999)

        21. Studies of Ultrasonic Properties of Triglycine Sulfate(TGS) Single Crystal, J. R. Su, C. F. Zhu, M. Wang, and Z. G. Zhu, Materials Research Bulletin 34:(12-13), 1885-1890(1999).

         22. Experimental Evidence for the Unusual Damping Parameter in L-Arginine Phosphate Monohydrate Single Crystal, J. R. Su, C. F. Zhu, Z. G. Zhu, D. Xu, D. R. Yuan, Materials Research Bulletin, 35: (6), 977-983(2000).

        23. Elastic-moduli and ultrasonic attenuation anomalies near antiferromagnetic phase transitions in La1-xCaxMnO3, Changfei Zhu, Renkui Zheng, Journal of Applied Physics 87:(7), 3579-3581(2000).

         2016年3月28日上午，中科大先研院—合肥市包河區(qū)戰(zhàn)略合作簽約暨包河區(qū)融媒體中心成立儀式在包河區(qū)舉行。中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)副校長(zhǎng)朱長(zhǎng)飛，安徽新媒體集團(tuán)總經(jīng)理章理中，省互聯(lián)網(wǎng)宣傳管理辦公室主任范榮暉，省新聞出版廣電局副局長(zhǎng)朱訓(xùn)義，市委常委、宣傳部部長(zhǎng)鐘俊杰及省直相關(guān)單位負(fù)責(zé)人出席儀式。