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  • 秦會斌

    秦會斌

    人物簡介:

    1961年3月出生,山東人,F(xiàn)為杭州電子科技大學(xué)新型電子器件與應(yīng)用研究所所長,教授。電路與系統(tǒng),微電子學(xué)與固體電子學(xué)專業(yè)碩士生導(dǎo)師,電子科技大學(xué)博士生導(dǎo)師。

    1979年考入山東大學(xué)物理系,1983年畢業(yè)并獲理學(xué)學(xué)士學(xué)位。1987年考入電子科技大學(xué)電子材料與器件專業(yè)研究生,分別于1990年3月、1996年6月獲工學(xué)碩士和工學(xué)博士學(xué)位并在電子科技大學(xué)任教,先后任電子顯微學(xué)實(shí)驗(yàn)室主任、分析中心副主任。1997年由電子科技大學(xué)調(diào)入杭州電子工業(yè)學(xué)院,先后任科研處處長、院學(xué)術(shù)委員會秘書長、信息工程學(xué)院副院長,電子信息學(xué)院院長、CAE研究所所長。


    研究方向

    主要研究方向:新型電子器件及ASIC設(shè)計(jì)、現(xiàn)代傳感器設(shè)計(jì)及應(yīng)用。

    個(gè)人成就

    主要從事電子信息材料與電子信息器件的分析、設(shè)計(jì)與研制工作,智能化、集成化傳感技術(shù)為主要研究方向之一。先后主持和參加了國家和省部各類項(xiàng)目20余項(xiàng),主持在研的國家和省部各類項(xiàng)目6項(xiàng)。在材料與器件研究方面開展了一系列具有創(chuàng)新性的研究工作,例如在國內(nèi)較全面地開展了對薄膜中柱狀微結(jié)構(gòu)的研究,在國際上最早得出TbFeCo薄膜中的柱狀微結(jié)構(gòu)是由密度調(diào)制形成的結(jié)論和直接證據(jù)。在國內(nèi)外學(xué)術(shù)刊物上發(fā)表學(xué)術(shù)論文100余篇,2001年被評為浙江省中青年學(xué)術(shù)骨干,2002入選浙江省“新世紀(jì)151人才工程” 。

    為中國電子裝備委員會科研院所工作委員會理事,浙江省電子顯微分析學(xué)會理事,國防科技進(jìn)步獎(jiǎng)評審專家。

    秦會斌

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