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  • 李雪松

    李雪松(電子科大教授)

    李雪松:男,電子科技大學(xué)教授。畢業(yè)于美國Rensselaer Polytechnic Institute見面,獲得清華大學(xué),機械工程專業(yè),學(xué)士學(xué)位,清華大學(xué),材料加工工程專業(yè),碩士學(xué)位,美國Rensselaer Polytechnic Institute,材料工程專業(yè),博士學(xué)位。


    人物履歷

    教育經(jīng)歷

    1996.09-2000.07 清華大學(xué),機械工程專業(yè),學(xué)士學(xué)位

    2000.09-2003.07 清華大學(xué),材料加工工程專業(yè),碩士學(xué)位

    2003.08-2007.05 美國Rensselaer Polytechnic Institute,材料工程專業(yè),博士學(xué)位

    工作經(jīng)歷

    2007.05-2010.09 美國德州大學(xué)奧斯汀分校,博士后

    2010.10-2012.01 美國IBM T. J. Watson研究中心,資深博士后

    李雪松

    2012.02-2012.06 美國Bluestone Global Tech Ltd.,合伙創(chuàng)始人

    2012.07-2014.05 美國Bluestone Global Tech Ltd.,合伙創(chuàng)始人、副總裁

    2014.07-2014.12 美國耶魯大學(xué),副研究員

    2014.06-2015.07 美國LasLumin LLC.,創(chuàng)始人、CEO

    2015.07- 至今 電子科技大學(xué),教授

    學(xué)術(shù)兼職

    Member of the Graphene Technology Editorial Board

    榮譽獎勵

    2010年美國Semiconductor Research Corporation Inventor Recognition Award

    2013年IBM Pat Goldberg Memorial Best Paper Award

    研究領(lǐng)域

    石墨烯薄膜的制備

    通過化學(xué)氣相沉積的方法,使含碳?xì)怏w在金屬或非金屬基底上裂解沉積形成石墨烯薄膜。主要研究各反應(yīng)條件/參數(shù)對石墨烯缺陷、單晶尺寸、層數(shù)等的影響,理解石墨烯生長的熱/動力學(xué)機制和過程,從而實現(xiàn)對石墨烯生長的可控。研究方向包括:

    1)大面積石墨烯單晶的快速生長;

    2)大面積石墨烯薄膜的連續(xù)、低成本制備;

    3)多層石墨烯薄膜的可控制備;

    4)石墨烯的缺陷控制;

    5)石墨烯的低溫制備;

    6)石墨烯在非金屬基底上的直接生長。

    在電子、光電子、傳感器等領(lǐng)域的應(yīng)用

    1)石墨烯太赫茲器件;

    2)石墨烯紅外探測器;

    3)石墨烯壓力傳感器;

    4)石墨烯氣體傳感器。

    三、新型二維材料的制備

    學(xué)術(shù)成果

    發(fā)表包括Science、Nature Nanotechnology、Nature Materials、Nature Photonics、Nano Letters、JACS等在內(nèi)的SCI英文文章46余篇,他引次數(shù)總計15000多次,其中第1作者論文15篇,引用次數(shù)8000多次。研究工作多次被Nature、ScienceDaily、Phys.org、AZonano.com等刊物和網(wǎng)站專題評論。發(fā)表在2009年Science上關(guān)于大面積石墨烯薄膜制備的成果被Science選為當(dāng)年重大科技突破之一。在2010諾貝爾物理學(xué)獎獲獎演講中該工作被重點引述,并被認(rèn)為是推動石墨烯研究與應(yīng)用進(jìn)程的重要因素之一。該工作迄今為止已被引用5000多次。該發(fā)明是當(dāng)前石墨烯薄膜制備的核心技術(shù),在科研和工業(yè)生產(chǎn)中均被廣泛使用。

    Selected Publications

    1.Li X.S.*,Colombo L.*, Ruoff R.S.*, “Synthesis of graphene films on copper foils by chemical vapor deposition”,Advanced Materials,28, 6264-6252, (2016) (back cover)

    2.Li X.S., Deng B.C., Wang X.M., Chen S.Z., Vaisman M., Karato S.-I., Pan G., Lee M.L., Cha J., Wang H., Xia F.N., “Synthesis of thin-film black phosphorous on a flexible substrate”,2D Materials,2031002 (2015)

    3.Li X.S., Magnuson C.W., Venugopal A., Tromp R.M., Hannon J.B., Vogel E.M., Colombo L. and Ruoff R.S. "Large area graphene single crystals grown by low pressure chemical vapor deposition of methane on copper"Journal of the American Chemical Society133, 2816-2819 (2011)

    4.Li X.S., Magnuson C.W., Venugopal A., An J.H., Suk J.W., Han B.Y., Borysiak M., Cai W.W., Velamakanni A., Zhu Y.W., Fu L.F., Vogel E.M., Voelkl E., Colombo L. and Ruoff R.S. "Graphene films with large domain size by a two-step chemical vapor deposition process"Nano Letters104328-4334 (2010)

    5.Li X.S., Zhu Y.W., Cai W.W., Borysiak M., Han B.Y., Chen D., Piner R., Colombo L. and Ruoff R.S. "Transfer of large-area graphene films for high-performance transparent conductive electrodes"Nano Letters94359-4363 (2009)

    6.Li X.S., Cai W.W., Colombo L. and Ruoff R.S. "Evolution of graphene growth on Ni and Cu by carbon isotope labeling"Nano Letters94268-4272 (2009)

    7.Li X.S., Cai W.W., An J.H., Kim S., Nah J., Yang D.X., Piner R., Velamakanni A., Jung I., Tutuc E., Banerjee S.K., Colombo L. and Ruoff R.S. "Large-area synthesis of high-quality and uniform graphene films on copper foils"Science3241312-1314 (2009)

    Granted Patents

    1. Colombo L.,Li X.S. and Ruoff R.S. “Graphene synthesis by chemical vapor deposition” 美國, 專利號: US 8,470,400 B2, 授權(quán)公告日: 2013/06/25

    2.Li X.S.,Lin Y-M., Song C-Y., “Method for synthesizing a thin film”, 美國, 專利號: US 8,728,575, B2,授權(quán)公告日: 2014/05/20

    3. Zhao X.,Li X.S., Lin Y-M. “Graphene hybrid structures for energy storage applications”, 美國,專利號: US 9,053,843, 授權(quán)公告日: 2015/06/09

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