男，華東師范大學信息科學技術(shù)學院電子工程系教授，博士生導師

研究方向

光電子材料、器件與物理

半導體材料及其低維結(jié)構(gòu)的光學與電子性質(zhì)

鐵電以及鐵磁極化材料的光電特性等社會兼職

德國洪堡學者（Humboldt Fellow）u201a兼任《Advanced Materials》、《Physical Review Letters》以及《Physical Review B》等國際著名學術(shù)期刊的評審員。

2004年3月在中國科學院上海技術(shù)物理研究所獲理學博士學位u201a導師褚君浩院士。2004年3月至2007年2月分別在美國佐治亞州州立大學（Georgia State University）和德國海德堡大學（University of Heidelberg）從事博士后研究工作。2007年4月起任華東師范大學信息科學技術(shù)學院教授u201a博士生導師u201a現(xiàn)任電子工程系系主任。在PRB、APL以及JAP等著名期刊上發(fā)表SCI收錄國際學術(shù)刊物論文80多篇（其中影響因子3.0以上有24篇）u201a引用近200次u201a其中他引100多次。出版國際英文學術(shù)專著章節(jié)2章。2007年入選上海市"浦江人才計劃"u201a2008年入選教育部"新世紀優(yōu)秀人才支持計劃"u201a2010年入選上海市"曙光學者計劃"。

目前承擔的主要科研項目：

5. 國家重大科學研究計劃（973項目）：鐵電和碳基微納結(jié)構(gòu)中光電耦合和光誘導集體激發(fā)的調(diào)控 （2011.01-2015.12）

4. 國家自然科學基金（面上項目）：外場對鈣鈦礦型多鐵材料光電動力學行為的調(diào)控規(guī)律 （2011.01-2013.12）

3. 上海市科委基礎(chǔ)研究重大項目：鐵電單晶薄膜制備及其材料器件特性 （2010.10-2012.09）

2. 國家自然科學基金（青年項目）：納米尺度下鐵電材料的極化機制及其與光場的耦合規(guī)律 （2010.01-2012.12）

1. 國家重大科學研究計劃（973項目）：窄禁帶半導體低維結(jié)構(gòu)的自旋調(diào)控和自旋光場耦合效應(yīng) （2007.07-2011.12）

代表性著作：

02. Z.G. Huu201a Y.W. Liu201a W.W. Liu201a J.J. Zhuu201a M. Zhuu201a Z.Q. Zhuu201a and J.H. Chuu201a Optical properties and electronic band structures of perovskite-type ferroelectric and conductive metallic oxide filmsu201a Ferroelectrics edited by Indrani Coondoou201a Chapter 4u201a page: 63-88u201a ISBN: ISBN 978-953-307-439-9 （INTECH Open Access Publishersu201a Viennau201a 2010）.

01. Z.G. Huu201a Z.M. Huangu201a and J.H. Chuu201a Optical characterizations of ferroelectric Bi3.25La0.75Ti3O12 thin films from NIR to UV regions using spectroscopic ellipsometryu201a Trends in Semiconductor Research edited by Thomas B. Elliotu201a Chapter 5u201a page: 111-136u201a ISBN: 1-59454-414-X （Nova Science Publishersu201a Inc. NYu201a 2005）.

代表性論文：

22. W.L. Yuu201a K. Jiangu201a J.D. Wuu201a J. Ganu201a M. Zhuu201a Z.G. Hu*u201a and J.H. Chuu201a Electronic structures and excitonic transitions in nanocrystalline iron-doped tin dioxide diluted magnetic semiconductor films: An optical spectroscopic studyu201a Phys. Chem. Chem. Phys. xx （xx）: xxxx-xxxx （2011）.

21. J.J. Zhuu201a W.W. Liu201a G.S. Xuu201a K. Jiangu201a Z.G. Hu*u201a M. Zhuu201a and J.H. Chuu201a Abnormal temperature dependence of interband electronic transitions in relaxor-based ferroelectric （1-x）Pb（Mg1/3Nb2/3）O3-xPbTiO3 （x=0.24 and 0.31） single crystalsu201a Appl. Phys. Lett. 98 （09）: 0919xx （1-3） （2011）.

20. J.J. Zhuu201a W.W. Liu201a Y.W. Liu201a Y.D. Shenu201a Z.G. Hu*u201a and J.H. Chuu201a Effects of applied electrical field on electronic structures in LaNiO3 conductive metallic oxide film: An optical spectroscopic studyu201a Appl. Phys. Lett. 97 （21）: 211904 （1-3） （2010）.

19. W.W. Liu201a J.J. Zhuu201a J.D. Wuu201a J. Ganu201a Z.G. Hu*u201a M. Zhuu201a and J.H. Chuu201a Temperature dependence of electronic transitions and optical properties in multiferroic BiFeO3 nanocrystalline film determined from transmittance spectrau201a Appl. Phys. Lett. 97 （12）: 121102 （1-3） （2010）.

18. J.Z. Zhangu201a Y.D. Shenu201a Y.W. Liu201a Z.G. Hu*u201a and J.H. Chuu201a Composition dependence of microstructureu201a phonon modesu201a and optical properties in rutile TiO2:Fe nanocrystalline films prepared by a nonhydrolytic sol-gel routeu201a J. Phys. Chem. C 114 （35）:15157-15164（2010）.

17. W.W. Liu201a J.J. Zhuu201a J.D. Wuu201a J. Sunu201a M. Zhuu201a Z.G. Hu*u201a and J.H. Chuu201a Composition and temperature dependence of electronic and optical Properties in manganese doped tin dioxide films on quartz substrates prepared by pulsed laser depositionu201a ACS Appl. Mater. Interfaces 02 （08）: 2325-2332 （2010）.

16. W.W. Liu201a W.L. Yuu201a Y.J. Jiangu201a C.B. Jingu201a J.Y. Zhuu201a M. Zhuu201a Z.G. Hu*u201a X.D. Tangu201a and J.H. Chuu201a Structureu201a opticalu201a and room-temperature ferromagnetic properties of pure and transition-metal-（Cru201a Mnu201a and Ni）-doped ZnO nanocrystalline films grown by the sol-gel methodu201a J. Phys. Chem. C 114 （27）: 11951-11957 （2010）.

15. W.L. Yuu201a W.W. Liu201a J.D. Wuu201a J. Sunu201a J.J. Zhuu201a M. Zhuu201a Z.G. Hu*u201a and J.H. Chuu201a Far-infrared-ultraviolet dielectric functionu201a lattice vibrationu201a and photoluminescence properties of diluted magnetic semiconductor Sn1-xMnxO2/-sapphire nanocrystalline filmsu201a J. Phys. Chem. C 114 （18）: 8593-8600 （2010）.

14. W.W. Liu201a Z.G. Hu*u201a Y.W. Liu201a M. Zhuu201a Z.Q. Zhuu201a and J.H. Chuu201a Growthu201a microstructureu201a and infrared-ultraviolet optical conductivity of La0.5Sr0.5CoO3 nanocrystalline films on silicon substrates by pulsed laser depositionu201a ACS Appl. Mater. Interfaces 02 （03）: 896-902 （2010）.

13. W.W. Liu201a Z.G. Hu*u201a J.D. Wuu201a J. Sunu201a M. Zhuu201a Z.Q. Zhuu201a and J.H. Chuu201a Concentration dependence of optical properties in arsenic-doped ZnO nanocrystalline films grown on silicon （100） substrates by pulsed laser depositionu201a J. Phys. Chem. C 113 （42）: 18347-18352 （2009）.

12. Z.G. Huu201a W.W. Liu201a Y.W. Liu201a M. Zhuu201a Z.Q. Zhuu201a and J.H. Chuu201a Electronic properties of nanocrystalline LaNiO3 and La0.5Sr0.5CoO3 conductive films grown on silicon substrates determined by infrared to ultraviolet reflectance spectrau201a Appl. Phys. Lett. 94 （22）: 221104 （1-3） （2009）.

11. Z.G. Huu201a W.W. Liu201a J.D. Wuu201a J. Sunu201a Q.W. Shuu201a X.X. Zhongu201a Z.Q. Zhuu201a and J.H. Chuu201a Optical properties of pulsed laser deposited rutile titanium dioxide films on quartz substrates determined by Raman scattering and transmittance spectrau201a Appl. Phys. Lett. 93 （18）: 181910 （1-3） （2008）.

10. Z.G. Huu201a Y.W. Liu201a M. Zhuu201a Z.Q. Zhuu201a and J.H. Chuu201a Structure and optical properties of ferroelectric PbZr0.4Ti0.6O3 films grown on LaNiO3-coated platinized silicon determined by infrared spectroscopic ellipsometryu201a J. Phys. Chem. C 112 （26）: 9737-9743 （2008）.

09. Z.G. Huu201a Y.W. Liu201a M. Zhuu201a Z.Q. Zhuu201a and J.H. Chuu201a Composition dependence of dielectric functions in ferroelectric BaCoTi1-O3 films grown on quartz substrates by transmittance spectrau201a Appl. Phys. Lett. 92 （08）: 081904 （1-3） （2008）.

08. Y.W. Liu201a Z.G. Huu201a J.L. Sunu201a X.J. Mengu201a and J.H. Chuu201a Effect of LaNiO3 bottom electrode on structural and dielectric properties of CaCu3Ti4O12 thin films fabricated by sol-gel methodu201a Appl. Phys. Lett. 92 （04）: 042901 （1-3） （2008）.

07. Y.W. Liu201a Z.G. Huu201a F.Y. Yueu201a G.Y. Yangu201a W.Z. Shiu201a X.J. Mengu201a J.L. Sunu201a and J.H. Chuu201a Properties of highly （100） oriented Pb（Mg1/3u201aNb2/3）O3-PbTiO3 films on LaNiO3 bottom electrodesu201a Appl. Phys. Lett. 91 （23）: 232912 （1-3） （2007）.

06. Z.G. Huu201a Y.W. Liu201a F.Y. Yueu201a Z.Q. Zhuu201a and J.H. Chuu201a Temperature dependence of optical band gap in ferroelectric Bi3.25La0.75Ti3O12 films determined by ultraviolet transmittance measurementsu201a Appl. Phys. Lett. 91 （22）: 221903 （1-3） （2007）.

05. Z.G. Huu201a A.B. Weerasekarau201a N. Dietzu201a A.G.U. Pererau201a M. Strassburgu201a A. Asgharu201a M.H. Kaneu201a and I.T. Fergusonu201a Infrared optical anisotropy of diluted magnetic Ga1-MnN/-sapphire epilayers with a GaN buffer layer by metalorganic chemical vapor depositionu201a Phys. Rev. B 75 （20）: 205320 （1-8） （2007）.

04. Z.G. Huu201a and P. Hessu201a Optical constants and thermo-optic coefficients of nanocrystalline diamond films at 30-500 °Cu201a Appl. Phys. Lett. 89 （08）: 081906 （1-3） （2006）; Also appear in Virtual Journal of Nanoscale Science & Technology 14 （10） （2006）.

03. Z.G. Huu201a P. Pruniciu201a P. Patzneru201a and P. Hessu201a Infrared spectroscopic ellipsometry of -alkylthiol （C5-C18） self-assembled monolayers on goldu201a J. Phys. Chem. B 110 （30）: 14824-14831 （2006）.

02. Z.G. Huu201a M. Strassburgu201a A. Weerasekarau201a N. Dietzu201a A.G.U. Pererau201a M.H. Kaneu201a A. Asgharu201a and I.T. Fergusonu201a Lattice vibrations in hexagonal Ga1-MnN epitaxial films on c-plane sapphire substrates by infrared reflectance spectrau201a Appl. Phys. Lett. 88 （06）: 061914 （1-3） （2006）.

01. Z.G. Huu201a M. Strassburgu201a N. Dietzu201a A.G.U. Pererau201a A. Asgharu201a and I.T. Fergusonu201a Composition dependence of the infrared dielectric functions in Si-doped hexagonal AlxGa1-xN films on c-plane sapphire substratesu201a Phys. Rev. B 72 （24）: 245326 （1-10） （2005）.