個(gè)人簡(jiǎn)介
2015年6月在法國(guó)雷恩國(guó)立應(yīng)用科學(xué)學(xué)院 （INSA-Rennes） 光電子物理學(xué)獲得博士學(xué)位。博士期間在法國(guó)巴黎高等電信學(xué)院 （Télécom ParisTech） 做合作研究十八個(gè)月，并在德國(guó)柏林工業(yè)大學(xué)和意大利都靈理工大學(xué)分別交流三個(gè)月。2015年10月加入香港城市大學(xué)電氣工程系從事博士后 （Senior Research Assistant） 研究工作。2016年4月加入上�？萍即髮W(xué)信息科學(xué)與技術(shù)學(xué)院。截止目前已發(fā)表學(xué)術(shù) （期刊，會(huì)議） 論文四十余篇，引用次數(shù)達(dá)二百多次。
研究方向
半導(dǎo)體光電子
量子點(diǎn)激光器和量子級(jí)聯(lián)激光器
光注入鎖定和光反饋動(dòng)力學(xué)
主要研究?jī)?nèi)容
研究領(lǐng)域是新型半導(dǎo)體激光器件的物理，表征和應(yīng)用。主要包括量子點(diǎn)激光器和量子級(jí)聯(lián)激光器的動(dòng)力學(xué)和非線性動(dòng)力學(xué)分析，面向的應(yīng)用領(lǐng)域?yàn)楦咚俟饫w通信網(wǎng)絡(luò)和光載無線電通信系統(tǒng)。
代表性論文
[1] C. Wang, R. Raghunatahn, K. Schires, S. u2013C. Chan, L. F. Lester, and F. Grillot, “Optically injected InAs/GaAs quantum dot laser for tunable photonic microwave generation,” Opt. Lett. 41, 1153 （2016）.
[2] C. Wang, M. E. Chabi, H. M. Huang, D. Erasme, P. J. Poole, J. Even, and F. Grillot, “Linewidth enhancement factor in nanostructure semiconductor lasers subject to optical injection,” Opt. Express 23, 21761 （2015）.
[3] C. Wang, M. Osiński, J. Even, and F. Grillot, “Phase-amplitude coupling characteristics in directly modulated quantum dot lasers,” Appl. Phys. Lett. 105, 221114 （2014）.
[4] C. Wang, B. Lingnau, K. Lüdge, J. Even, and F. Grillot, “Enhanced dynamic performance of quantum dot semiconductor lasers operating on the excited state,” IEEE J. Quantum Electron. 50, 723 （2014）.
[5] C. Wang, F. Grillot, F. Y. Lin, I. Aldaya, T. Batte, C. Gosset, E. Decerle, and J. Even, “Nondegenerate four-wave mixing in a dual-mode injection-locked InAs/InP（100） nanostructure laser,” IEEE Photon. J. 6, 1500408 （2014）.
[6] C. Wang, F. Grillot,V. I. Kovanis, J. D. Bodyfelt, and J. Even, “Modulation properties of optically injection-locked quantum cascade lasers,” Opt. Lett. 38, 1975 （2013）.
[7] C. Wang, F. Grillot, V. Kovanis, and J. Even, “Rate equation analysis of injection-locked quantum cascade lasers,” J. Appl. Phys. 113, 063104 （2013）.
[8] C. Wang, F. Grillot, and J. Even, “Impacts of wetting layer and excited state on the modulation response of quantum-dot lasers,” IEEE J. Quantum Electon. 4, 1144 （2012）.
[9] F. Grillot, C. Wang, N. A. Naderi, and J. Even, “Modulation properties of self-injected quantum-dot semiconductor diode lasers,” IEEE J. Sel. Topics in Quantum Electron. 19, 1900812 （2013）.
[10] X. Yu, C. Wang, F. Chen, R. P. Yan, Y. F. Ma, and X. D. Li, “Performance improvement of high repetition rate electro-optical cavity-dumping Nd:GdVO4 laser,” Appl. Phys. B 106, 309 （2012）.
