基本內容
現(xiàn)任中國科學院半導體研究所微電子研究和發(fā)展中心主任，兼任研究所學術委員會副主任。自1964年起在中科院半導體研究所工作至今，是我國最早研制出MOSFET及JFET的主要研究人員之一。60年代后期至70年代中期，在優(yōu)質SiO2生長、檢測以及MOS呂件穩(wěn)定性和可靠性方面做了很多有意義的工作。1980-1981年在聯(lián)邦德國從事新CMOS器件的研究，提出并研制成功的離子注入氮形成隱埋的Si3N4層不用處延硅的CMOS/SOI器件是國際上開創(chuàng)性的工作。1990-1991在聯(lián)邦德國HMI研究所從事MOS器件抗輻射物理研究。已在國內外主要刊物上發(fā)表了40余篇論文，著有30萬字專著《CMOS集成電路原理、制造及應用》一本。1980年至今負責抗輻射集成電路及微傳感器研究，所負責的“抗輻射CMOS/SOS集成電路”及“長壽命衛(wèi)星用抗輻射集成電路”研究課題分別獲1987年及1991年中科院科技進步二等獎；1992年獲國防科工委光華基金個人二等獎；1995年負責的國防重點工程抗輻射加固CMOS/SOS集成電路獲中科院科技進步三等獎。擁有發(fā)明專利一項。
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