基本內(nèi)容
現(xiàn)任中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所微電子研究和發(fā)展中心主任，兼任研究所學(xué)術(shù)委員會(huì)副主任。自1964年起在中科院半導(dǎo)體研究所工作至今，是我國(guó)最早研制出MOSFET及JFET的主要研究人員之一。60年代后期至70年代中期，在優(yōu)質(zhì)SiO2生長(zhǎng)、檢測(cè)以及MOS呂件穩(wěn)定性和可靠性方面做了很多有意義的工作。1980-1981年在聯(lián)邦德國(guó)從事新CMOS器件的研究，提出并研制成功的離子注入氮形成隱埋的Si3N4層不用處延硅的CMOS/SOI器件是國(guó)際上開(kāi)創(chuàng)性的工作。1990-1991在聯(lián)邦德國(guó)HMI研究所從事MOS器件抗輻射物理研究。已在國(guó)內(nèi)外主要刊物上發(fā)表了40余篇論文，著有30萬(wàn)字專著《CMOS集成電路原理、制造及應(yīng)用》一本。1980年至今負(fù)責(zé)抗輻射集成電路及微傳感器研究，所負(fù)責(zé)的“抗輻射CMOS/SOS集成電路”及“長(zhǎng)壽命衛(wèi)星用抗輻射集成電路”研究課題分別獲1987年及1991年中科院科技進(jìn)步二等獎(jiǎng)；1992年獲國(guó)防科工委光華基金個(gè)人二等獎(jiǎng)；1995年負(fù)責(zé)的國(guó)防重點(diǎn)工程抗輻射加固CMOS/SOS集成電路獲中科院科技進(jìn)步三等獎(jiǎng)。擁有發(fā)明專利一項(xiàng)。
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