科研項目
1.教育部高�；緲I(yè)務(wù)費項目：InGaN材料中的位錯和Ⅲ族空位缺陷對太陽能電池性能的影響及機理（2011.4-2012.12）（主持）
2.國家自然科學(xué)基金項目：位錯和點缺陷對日盲型AlGaN紫外探測器性能的影響機理（項目編號：60776047，2008.1~2010.12）（副主持）
3.國家重點實驗室開放課題：InGaN太陽能電池的結(jié)構(gòu)設(shè)計和器件物理（項目編號：IOSKL-KF200914，2009.9~2012.8）（主持）
4.青年教師科研項目：用于農(nóng)作物生長環(huán)境監(jiān)測的GaN基紫外探測器（2009.11-2010.12）（主持）
5.URP計劃：用于UVB波段紫外輻射強度檢測氮化鎵基探測器（2009.6-2010.6）（主持）
6.�？蒲袉踊穑阂环N光學(xué)生物化學(xué)傳感器－光子晶體微腔的研究（2006.6-2008.6）（主持）
著作論文
1.M. Zho M. Zhouet al, “A new method to measure the carrier concentration of p-GaN”,Acta Physica Sinica2011.3
2.M. Zho M. Zhouet al, “A new p-n structure ultraviolet photodetector with p-GaN active region”,Acta Physica Sinica2009.10
3.M. Zhouet al, “Effect of p-GaN layer thickness on the performance of p-i-n structure GaN ultraviolet photodetectors”,Acta Physica Sinica2008.7
4.M. Zhouet al, “A new method to reduce the dark current of GaN based Schottky barrier ultraviolet photodetector”,Acta Physica Sinica2008.4
5.M. Zhouet al, “A new Schottky barrier structure of GaN-based ultraviolet photodetector”,Acta Physica Sinica2007.9
6.M. Zhouet al, “Performance improvement of GaN based Schottky barrier ultraviolet photodetector by adding a thin AlGaN window layer”,Chinese Physics Letters2007.6
7.M. Zhouet al, “F-P filter for THz region”,Acta Physica Sinica2006.7
8.M. Zhouet al, “Tunble F-P Filters for Terahertz Frequency Range Based on a Disorder One-Dimensional Photonic Crystal”,IEEE international conference2006.9
教學(xué)工作
1、承擔(dān)了大一、大二的《大學(xué)物理》和《大學(xué)物理實驗》的教學(xué)工作，年教學(xué)量平均約為400課時。
2、承擔(dān)了大三的專業(yè)基礎(chǔ)課《工程光學(xué)基礎(chǔ)》及《工程光學(xué)基礎(chǔ)實驗》課程。
所獲獎項
2009年獲得年度優(yōu)秀職工
