黃芊芊，江西上饒姑娘黃芊芊，生于1989年。2006年畢業(yè)于上饒一中，并以優(yōu)異的成績(jī)考入北京大學(xué)信息科學(xué)技術(shù)學(xué)院。

當(dāng)完成本科學(xué)業(yè)后，她沒(méi)有選擇出國(guó)留學(xué)，而是繼續(xù)留在北大深造。5年時(shí)間，黃芊芊順利獲得了北京大學(xué)理學(xué)博士學(xué)位。就讀博士期間，她綜合素質(zhì)排名第一，先后獲得教育部博士研究生學(xué)術(shù)新人獎(jiǎng)、北京大學(xué)學(xué)術(shù)十杰、北京市優(yōu)秀畢業(yè)生、中國(guó)電子學(xué)會(huì)優(yōu)秀博士論文等多項(xiàng)獎(jiǎng)勵(lì)和榮譽(yù)。

2017年，黃芊芊入選“未來(lái)女科學(xué)家計(jì)劃”獎(jiǎng)項(xiàng)。在這一年，她也正式入職北大，成為了微納電子學(xué)系的研究員、博士生導(dǎo)師。。

30歲獲得IEEE（電氣電子工程師學(xué)會(huì)）青年成就獎(jiǎng)。

2019年的北大新生對(duì)黃芊芊印象深刻。北京大學(xué)邀請(qǐng)了“敦煌女兒”樊錦詩(shī)、“開(kāi)啟北大新百年的校長(zhǎng)”許智宏等七位不同時(shí)代杰出的“北大新生”親手寫下書信，為本科新生表達(dá)祝福，講述他們的“北大情緣”，作為給新生的特別禮物與全新改版的錄取通知書一同寄出。黃芊芊是這七位杰出的“北大新生”之一。

2012年，獲教育部博士研究生學(xué)術(shù)新人獎(jiǎng)。

2014年，獲北京大學(xué)信息科學(xué)技術(shù)學(xué)院學(xué)術(shù)十杰榮譽(yù)稱號(hào)。

2015年，獲北京大學(xué)研究生學(xué)術(shù)十杰榮譽(yù)稱號(hào)。

2015年，獲北京大學(xué)優(yōu)秀畢業(yè)生榮譽(yù)稱號(hào)。

2015年，獲北京大學(xué)優(yōu)秀博士學(xué)位論文。

2016年，獲中國(guó)電子學(xué)會(huì)優(yōu)秀博士論文。

2016年，獲北京大學(xué)優(yōu)秀博士后榮譽(yù)稱號(hào)。

2016年，獲中國(guó)博士后科學(xué)基金特別資助項(xiàng)目資助。

2017年，入選中國(guó)未來(lái)女科學(xué)家計(jì)劃（年度全國(guó)共4人）。

2018年，獲國(guó)家優(yōu)秀青年科學(xué)基金項(xiàng)目資助。

2019年，當(dāng)選中國(guó)電子學(xué)會(huì)青年女科學(xué)家俱樂(lè)部第一屆理事會(huì)理事。

2019年，入選北京市科技新星計(jì)劃。

2019年，獲北京大學(xué)楊芙清-王陽(yáng)元院士教師獎(jiǎng)優(yōu)秀獎(jiǎng)。

2019年10月，黃芊芊因其在超低功耗微納電子器件基礎(chǔ)研究領(lǐng)域的重要貢獻(xiàn)，獲得了IEEEElectron Devices Society Early Career Award（IEEE電子器件學(xué)會(huì)青年成就獎(jiǎng)）。

黃芊芊在接受采訪時(shí)表示，這次獲獎(jiǎng)是對(duì)她十多年來(lái)的科研成果的肯定。她表示：“做科研并且能出科研成果，一定是首先你對(duì)它足夠熱愛(ài)，然后足夠想把這件事情做好，才能真正做出一些有用的東西。這樣的全身心投入是不分晝夜的，也只有這樣，才能真正做到踏石留印、抓鐵有痕�！�

2019年10月17日，黃芊芊入選2019福布斯中國(guó)30位30歲以下精英榜。

2020年度“求是杰出青年學(xué)者獎(jiǎng)”遴選結(jié)果日前揭曉。經(jīng)求是科技基金會(huì)審慎評(píng)選，北京大學(xué)微納電子學(xué)系黃芊芊特聘研究員因其在半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)的出色工作，獲得2020年度“求是杰出青年學(xué)者獎(jiǎng)”。

2020年，獲中國(guó)電子學(xué)會(huì)優(yōu)秀科技工作者榮譽(yù)稱號(hào)。

2020年，獲求是科技基金會(huì)求是杰出青年學(xué)者獎(jiǎng)。

2020年9月25日，第二屆“科學(xué)探索獎(jiǎng)”公布了50位青年科學(xué)家獲獎(jiǎng)名單，黃芊芊入選。

后摩爾時(shí)代超低功耗微納電子器件及其在邏輯電路、新型計(jì)算等領(lǐng)域的應(yīng)用。

研制出的新機(jī)理超低功耗器件打破了國(guó)際上硅基隧穿器件的亞閾擺幅紀(jì)錄，器件綜合性能為國(guó)際報(bào)道中同類器件最高，相關(guān)成果被國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)路線指南（ITRS）及國(guó)際器件與系統(tǒng)路線指南（IRDS）引用，并與中芯國(guó)際合作研制了世界上首個(gè)基于現(xiàn)行標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝平臺(tái)的互補(bǔ)隧穿器件集成技術(shù)。

已發(fā)表/合作發(fā)表論文60余篇，其中以第一作者/通訊作者身份在微電子領(lǐng)域頂級(jí)國(guó)際會(huì)議IEDM與VLSI上發(fā)表論文9篇（含一作6篇）。已申請(qǐng)/合作申請(qǐng)專利70余項(xiàng)，已獲國(guó)際授權(quán)專利10余項(xiàng)、國(guó)內(nèi)授權(quán)專利40余項(xiàng)，部分成果轉(zhuǎn)移到中芯國(guó)際。2020年獲求是科技基金會(huì)求是杰出青年學(xué)者獎(jiǎng)，2019年獲IEEE Electron Devices Society Early Career Award，2018年獲國(guó)家優(yōu)秀青年科學(xué)基金項(xiàng)目資助，2017年入選中國(guó)未來(lái)女科學(xué)家計(jì)劃。