人物經(jīng)歷
2002年7月畢業(yè)于中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所，獲博士學(xué)位。博士畢業(yè)后分別工作于中國(guó)科學(xué)院物理研究所（博士后）、源順國(guó)際有限公司（應(yīng)用科學(xué)家及地區(qū)經(jīng)理）、德國(guó)Nanofilm公司等、中國(guó)石油大學(xué)（副教授）、智利Universidad Técnica Federico Santa María（研究助理）及臺(tái)灣國(guó)立中興大學(xué)（研究人員）。2009年3月加入中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所，現(xiàn)為項(xiàng)目研究員。
研究方向
一直從事氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）和砷化鎵（GaAs）等半導(dǎo)體薄膜和量子阱（QW）結(jié)構(gòu)的生長(zhǎng)、材料性能分析與器件工藝方面的研究。另外，在圖形硅襯底上進(jìn)行過(guò)碳納米管的定向和選擇性化學(xué)氣相沉積生長(zhǎng)以及非占據(jù)電子能態(tài)的超高真空反向光電發(fā)射譜、掃描隧道顯微鏡分析。目前的研究興趣包括III-V族化合物半導(dǎo)體太陽(yáng)能電池和發(fā)光二極管（LED）器件以及相應(yīng)材料的金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積（MOCVD）生長(zhǎng)和性能分析。
主要貢獻(xiàn)
設(shè)計(jì)和制備了具有良好特性的p-i-n雙異質(zhì)結(jié)InGaN/GaN太陽(yáng)能電池，填充因子達(dá)81%；高品質(zhì)GaN薄膜的MOCVD生長(zhǎng)；GaAs與InGaAs單結(jié)太陽(yáng)能電池的設(shè)計(jì)、MOCVD生長(zhǎng)以及高導(dǎo)熱銅襯底上“薄膜”電池的制備；在圖形化藍(lán)寶石襯底上制備了雙面粗化并轉(zhuǎn)移至硅襯底上之具有良好散熱、大功率GaN基“薄膜”結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管LED；提出了一種直接測(cè)量GaN薄膜扭轉(zhuǎn)角的方法，避免了復(fù)雜的數(shù)學(xué)計(jì)算和擬合，此方法也適用其它具有馬賽克結(jié)構(gòu)的薄膜；從布拉格定律出發(fā)，提出了GaN晶格常數(shù)的直接測(cè)量方法，該測(cè)量思想適合多種外延體系；詳細(xì)分析了優(yōu)化量子阱生長(zhǎng)參數(shù)對(duì)藍(lán)、綠光InGaN/GaN之LED光學(xué)和結(jié)構(gòu)特性的變化；GaAsP應(yīng)變補(bǔ)償GaAsSb/GaAs QWs以及SiC、SiGe材料的性能分析。已在Appl. Phys. Lett., IEEE J. Quantum Electron., Phys. Rev. B, J. Appl. Phys., Semi. Sci. & Technol., J. Crystal Growth, Jap. J. Appl. Phys., Thin Solid Films以及《中國(guó)科學(xué)》、《半導(dǎo)體學(xué)報(bào)》上發(fā)表論文近五十篇，其中第一作者十七篇，臺(tái)灣專利一項(xiàng)。