人物經(jīng)歷
1978.2 －1982.1華中工學(xué)院固體電子學(xué)系本科畢業(yè)，獲工學(xué)學(xué)士學(xué)位；
1982.2 －1984.9 華中工學(xué)院固體電子學(xué)系碩士畢業(yè)，獲工學(xué)碩士學(xué)位；
1989.9 －1993.11華中理工大學(xué)固體電子學(xué)系博士畢業(yè)，獲工學(xué)博士學(xué)位；
1984.9 －1986.10 華中工學(xué)院固體電子學(xué)系 助教；
1986.11 －1994.5 華中理工大學(xué)固體電子學(xué)系 講師；
1994.6 －2000.1 華中理工大學(xué)固體電子學(xué)系 副教授；
1995.12－1997.6香港大學(xué)電機(jī)電子工程學(xué)系資深研究員；
1997.7 －1999.6 香港大學(xué)電機(jī)電子工程學(xué)系博士后研究員；
2000.2 － 2012.6華中科技大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)系 教授，博導(dǎo)；
2012.6 －華中科技大學(xué)光學(xué)與電子信息學(xué)院教授，博導(dǎo)。
主講課程
光學(xué)與電子信息。
主要貢獻(xiàn)
近幾年來（2001-2008），作為訪問教授每年赴香港大學(xué)從事2-3個(gè)月的合作研究。九四年晉升為副教授，二000年二月晉升為教授，二00二年六月被評(píng)聘為博士生導(dǎo)師。自一九八四年以來，一直從事微電子器件、物理、工藝以及集成技術(shù)方面的教學(xué)與研究工作。作為負(fù)責(zé)人主持國家自然科學(xué)基金項(xiàng)目?jī)身?xiàng)，徐靜平教授已完成國家自然科學(xué)基金項(xiàng)目三項(xiàng)、教育部骨干教師基金一項(xiàng)、湖北省自然科學(xué)基金兩項(xiàng)以及國際合作項(xiàng)目三項(xiàng)。
率先在國際上提出了采用N2O和NO直接熱氧化法制備SiC MOS器件柵氧化物以及采用NH3進(jìn)行表面鈍化處理的先進(jìn)技術(shù)，獲得了SiC/SiO2界面質(zhì)量和器件可靠性的極大改進(jìn)；提出并采用濕氮或濕NO退火技術(shù)制備高k柵介質(zhì)Ge基MOS器件，獲得好的高k介質(zhì)/Ge界面特性。有關(guān)成果在IEEE EDL、Appl Phys Lett.等重要國際期刊上發(fā)表,多次被同行專家引用。在國際國內(nèi)重要期刊雜志上共發(fā)表學(xué)術(shù)論文80余篇（其中國際期刊40余篇），被SCI收錄38篇，EI收錄35篇。
國家自然科學(xué)基金，湖北省自然科學(xué)基金評(píng)委；Microelectronics Reliability、物理學(xué)報(bào)、中國物理（英文）；半導(dǎo)體學(xué)報(bào)審稿人。
