1995年留所工作。研究論文曾獲《饒毓泰基礎(chǔ)光學(xué)》一等獎(jiǎng)。1997-1999年，美國(guó)橡樹嶺國(guó)家實(shí)驗(yàn)室和田納西大學(xué)博士后，合作導(dǎo)師美國(guó)科學(xué)院院士G. D. Mahan 教授。后回所工作。2001－2003年在瑞典LUND大學(xué)作博士后。2003年4月回所工作。先后出訪韓國(guó)工業(yè)大學(xué)、瑞典Lund大學(xué)、香港科技大學(xué)、日本東京大學(xué)、澳大利亞Wollongong大學(xué)、香港大學(xué)等并建立相關(guān)學(xué)術(shù)合作關(guān)系�，F(xiàn)擔(dān)任L03課題組組長(zhǎng)，中科院光物理重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室學(xué)術(shù)秘書。

榮獲中科院院長(zhǎng)獎(jiǎng)學(xué)金特等獎(jiǎng)，獲國(guó)家科技進(jìn)步三等獎(jiǎng)1項(xiàng)，中科院科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)1項(xiàng)，北京市科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)1項(xiàng)。

低維體系中量子效應(yīng)，界面效應(yīng)等在電子自旋輸運(yùn)，光子輻射等物理過程中的重要作用。

1）將Fano共振機(jī)制推廣到半導(dǎo)體體系中。既將Fano共振理論推廣到半導(dǎo)體薄膜，量子阱，超晶格里的光吸收，Raman散射，以及光電導(dǎo)過程中，建立了新理論框架，預(yù)言了該體系Fano效應(yīng)的存在，并被實(shí)驗(yàn)完全證實(shí)。

2）闡明了量子限制效應(yīng)在低維生長(zhǎng)中關(guān)鍵作用。從電子能量的角度研究了表面異質(zhì)成型機(jī)制，建立了表面成型穩(wěn)定性倚賴于尺寸效應(yīng)的理論；引入量子限制效應(yīng)，對(duì)金屬引發(fā)的硅表面條狀再構(gòu)現(xiàn)象給出一個(gè)全新的物理解釋。

3）澄清了Bloch震蕩導(dǎo)致太赫茲輻射的爭(zhēng)議。對(duì)多多年來存在爭(zhēng)議的電場(chǎng)下半導(dǎo)體超晶格體系Bloch震蕩導(dǎo)致的太赫茲輻射機(jī)制給出與實(shí)驗(yàn)完全符合的理論證實(shí)。

4）揭示了氧化物p－n異質(zhì)結(jié)正巨磁電阻機(jī)制根源。針對(duì)最新實(shí)驗(yàn)中發(fā)現(xiàn)的氧化物異質(zhì)結(jié)中的奇異正磁電阻特性，建立了理論模型， 提出了系統(tǒng)中界面區(qū)域自旋極化電子的能態(tài)分布的不同乃是正的巨磁電阻產(chǎn)生的根源， 初步解釋了實(shí)驗(yàn)中正磁電阻隨電壓，溫度，組分變化規(guī)律。

以上工作發(fā)表SCI收錄論文50余篇，其中約有半數(shù)發(fā)表在Phys. Rev. Lett.，Phys. Rev. B，和Appl. Phys. Lett. 刊物上。

國(guó)家重大基礎(chǔ)研究計(jì)劃（973）課題負(fù)責(zé)人，國(guó)家基金委面上項(xiàng)目負(fù)責(zé)人和創(chuàng)新群體項(xiàng)目的主要參加者。

1）氧化物低維體系自旋極化輸運(yùn)機(jī)制研究。

2）氧化物體系光電效應(yīng)機(jī)制研究。

3）超晶格中太赫茲（Thz）輻射研究。

4）量子阱中發(fā)光制冷機(jī)制研究。