簡(jiǎn)介
1985年、1988年在 吉林大學(xué)物理系固體物理專(zhuān)業(yè)獲理學(xué)學(xué)士、碩士學(xué)位，于1999年在中科院物理所凝聚態(tài)物理專(zhuān)業(yè)獲理學(xué)博士學(xué)位。1988至1996年于燕山大學(xué)任講師、副教授。2000年在中科院半導(dǎo)體所博士后出站后進(jìn)入 日本東北大學(xué)電氣通信研究所Hideo Ohno教授實(shí)驗(yàn)室做博士后，2002年9月至今在中科院半導(dǎo)體所 半導(dǎo)體超晶格國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室工作，任研究員。
2000年以來(lái)主要從事半導(dǎo)體自旋電子學(xué)研究工作，具體進(jìn)行磁性半導(dǎo)體、半金屬、鐵磁金屬及其異質(zhì)結(jié)構(gòu)的分子束外延生長(zhǎng)；半導(dǎo)體磁性量子結(jié)構(gòu)自旋調(diào)控；半導(dǎo)體自旋電子器件設(shè)計(jì)及其物理原理研究。帶領(lǐng)其研究團(tuán)隊(duì)取得了多項(xiàng)重要的前沿性成果，部分成果進(jìn)入國(guó)際先進(jìn)行列。例如，制備出高質(zhì)量的(Ga,Mn)As 磁性半導(dǎo)體薄膜，兩次刷新其居里溫度的國(guó)際紀(jì)錄，2011年達(dá)到200K，迄今仍居國(guó)際領(lǐng)先位置；利用Co FeAl與(Ga,Mn)As雙層膜界面處的磁近鄰效應(yīng)將界面處(Ga,Mn)As層中厚度約1.6 nm薄層中的Mn離子的鐵磁有序保持到400K；在GaAs上制備出了高質(zhì)量具有超大垂直磁各向異性 1 相Mn Ga單晶薄膜，該類(lèi)不含貴金屬和稀土的薄膜在制備高熱穩(wěn)定性、抗電磁干擾的半導(dǎo)體自旋電子器件方面具有較大潛力；國(guó)際上率先利用Ga液滴自催化方法Si上生長(zhǎng)出全閃鋅礦結(jié)構(gòu)GaAs/(Ga,Mn)As核-殼同軸納米線等。
2004年以來(lái)在 半導(dǎo)體自旋電子學(xué)方面的國(guó)際會(huì)議上做邀請(qǐng)報(bào)告25次，與美國(guó)、德國(guó)、法國(guó)和日本等國(guó)家的多個(gè)半導(dǎo)體自旋電子學(xué)領(lǐng)域著名實(shí)驗(yàn)室保持著密切合作的關(guān)系。迄今以第一作者、通訊作者和合作者身份在國(guó)內(nèi)外著名刊物上發(fā)表論文120 篇。其中PRL 1 篇，Nano Lett. 3 篇，Adv. Mater. 1 篇，APL 17 篇，PRB 3篇，邀請(qǐng)綜述 4 篇，邀請(qǐng)專(zhuān)著 1 章。SCI 引用600余次，單篇引用最高163 次。申請(qǐng)專(zhuān)利7 項(xiàng)，授權(quán)專(zhuān)利4 項(xiàng)。曾獲2000年國(guó)家技術(shù)發(fā)明二等獎(jiǎng)等多項(xiàng)省部級(jí)獎(jiǎng)勵(lì)。培養(yǎng)的研究生曾獲國(guó)家獎(jiǎng)學(xué)金、中科院院長(zhǎng)獎(jiǎng)學(xué)金優(yōu)秀獎(jiǎng)、美國(guó)超導(dǎo)獎(jiǎng)學(xué)金、北京市優(yōu)秀畢業(yè)生、中科院三好學(xué)生標(biāo)兵等獎(jiǎng)項(xiàng)。
現(xiàn)任中國(guó)物理學(xué)會(huì)磁學(xué)專(zhuān)業(yè)委員會(huì)委員，英國(guó)皇家物理學(xué)會(huì)出版社主辦的國(guó)際期刊《Semiconductor Science and Technology》編委，APL、JAP、CPL和中國(guó)科學(xué)等國(guó)內(nèi)外核心期刊審稿人。曾任固態(tài)器件與材料國(guó)際會(huì)議（SSDM2010-2012）自旋分會(huì)副主席（日本），2011 MMM （美國(guó)）、4th WUN（澳洲）、3rd WUN (美國(guó))、37th 和40th ISCS (日本)、 ICMFS 2012（中國(guó)）等國(guó)際會(huì)議組委會(huì)委員。
主要研究方向?yàn)榘雽?dǎo)體自旋電子學(xué)，具體進(jìn)行高品質(zhì)磁性半導(dǎo)體、半金屬、鐵磁金屬及其異質(zhì)結(jié)構(gòu)的分子束外延生長(zhǎng)和自旋相關(guān)物理性質(zhì)研究；半導(dǎo)體磁性量子結(jié)構(gòu)自旋調(diào)控；新一代高性能半導(dǎo)體自旋電子器件研發(fā)。
在研/完成主要項(xiàng)目
(1) 國(guó)家自然科學(xué)基金重點(diǎn)項(xiàng)目“新型半導(dǎo)體基垂直磁各向異性材料及器件” （2014-2018，主持）
(2) 國(guó)家自然科學(xué)基金專(zhuān)項(xiàng)基金項(xiàng)目“基于超導(dǎo)量子干涉儀的磁學(xué)和電學(xué)性質(zhì)同步測(cè)量系統(tǒng)研制” （2012-2015，主持）
(3) 國(guó)家重大科學(xué)研究計(jì)劃量子調(diào)控項(xiàng)目課題“基于鐵磁體/半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)的自旋量子器件”（2013-2017，參加。）
(4) 國(guó)家自然科學(xué)基金重大國(guó)際(中美)合作研究項(xiàng)目 “半導(dǎo)體/鐵磁體異質(zhì)納米結(jié)構(gòu)的磁性質(zhì)及依賴(lài)于自旋的電學(xué)性質(zhì)” （2010-2012，主持）
(5) 國(guó)家自然科學(xué)基金重點(diǎn)項(xiàng)目 “高品質(zhì)半導(dǎo)體自旋電子材料制備及其自旋量子調(diào)控”（2009-2012，主持）
(6) 國(guó)家重大科學(xué)研究計(jì)劃項(xiàng)目 "半導(dǎo)體量子結(jié)構(gòu)中的自旋量子調(diào)控" 課題"高品質(zhì)半導(dǎo)體磁性異質(zhì)結(jié)構(gòu)分子束外延生長(zhǎng)和磁性研究"（2007-2011，主持）
(7) 中科院知識(shí)創(chuàng)新工程三期重要方向項(xiàng)目"半導(dǎo)體自旋量子結(jié)構(gòu)中的器件物理效應(yīng)" （2007-2010， 主持）
(8) 國(guó)家自然科學(xué)基金重點(diǎn)項(xiàng)目："磁性半導(dǎo)體、半金屬及其異質(zhì)結(jié)構(gòu)的生長(zhǎng)制備和自旋相關(guān)現(xiàn)象的研究"�。�2004-2008，主持）
代表性論文目錄
(1) S. H. Nie, Y. Y. Chin,W. Q. Liu, J. C. Tung, J. Lu, H. J. Lin,G. Y. Guo*, K. K. Meng, L. Chen,L. J. Zhu,D. Pan,C. T. Chen,Y. B. Xu, W. S. Yan,and J. H. Zhao*, erromagnetic Interfacial Interaction and the Proximity Effect in a Co2FeAl/(Ga,Mn)As Bilayer, Phys. Rev. Lett. 111 (2013) 027203
(2) X. Z. Yu, H. L. Wang, D. Pan, J. H. Zhao*, J. Misuraca, S. von Molnár, and P. Xiong, All zinc-blende GaAs/(Ga,Mn)As core-shell nanowires with ferromagnetic ordering, Nano Lett., 13 (2013) 1572
(3) L. J. Zhu, and J. H. Zhao*, Perpendicularly magnetized Mn Ga films: promising material for future spintronic devices, magnetic recording and permanent magnets, Appl. Phys. A 111 (2013) 379 ( invited review)
(4) L. J. Zhu , S. H. Nie , K. K. Meng , D. Pan , J. H. Zhao* and H. Z. Zheng, Multifunctional 1 -Mn Ga Films with Ultrahigh Coercivity, Giant Perpendicular Magnetocrystalline Anisotropy and Large Magnetic Energy Product, Adv. Mater. 24 (2012) 4547
(5) X. Z. Yu, H. L. Wang, J. Lu, J. H. Zhao*, J. Misuraca, P. Xiong, and S. von Molnár, Evidence for Structural Phase Transitions Induced by the Triple Phase Line Shift in Self-Catalyzed GaAs Nanowires, Nano Lett., 12 ( 2012) 5435
(6) L. Chen, X. Yang, F.H. Yang, J.H. Zhao*, J. Misuraca, P. Xiong, and S. von Molnár, Enhancing the Curie Temperature of Ferromagnetic Semiconductor (Ga,Mn)As to 200 K via Nanostructure Engineering, Nano Lett., 11 ( 2011) 2584
(7) K. K. Meng, S. L. Wang, P. F. Xu, L. Chen, W. S. Yan and J. H. Zhao*, Magnetic properties of full-Heusler alloy Co Fe Mn Al films grown by molecular-beam epitaxy, ., 97 (2010) 232506
(8) K. K. Meng, J. Lu, S. L. Wang, H. J. Meng, J. H. Zhao*, J. Misuraca, P. Xiong, and S. von Molnár, Magnetic anisotropies of laterally confined structures of epitaxial Fe films on GaAs (001), Appl. Phys. Lett, 97 (2010) 072503
(9) P. F. Xu, S. H. Nie, K. K. Meng, S. L. Wang, L. Chen, and J. H. Zhao*, Co doping enhanced giant magnetocaloric effect in Mn Co As films epitaxied on GaAs (001), Appl. Phys. Lett., 97 (2010) 042502
(10) L. Chen, S. Yan, P. F. Xu, J. Lu, W. Z. Wang, J. J. Deng, X. Qian, Y. Ji, and J. H. Zhao*, Low-temperature magnetotransport behaviors of heavily Mn-doped (Ga,Mn)As films with high ferromagnetic transition temperature, Appl. Phys. Lett., 95 (2009) 182505