姓 名: 王盛凱

性 別: 男

職 稱(chēng): 研究員

學(xué) 歷:博士

通訊地址: 北京市朝陽(yáng)區(qū)北土城西路3號(hào)

高頻高壓器件與集成研發(fā)中心

2008.10-2011.9東京大學(xué)材料工程系 博士

2006.9-2008.9哈爾濱工業(yè)大學(xué)材料物理與化學(xué)系碩士

2002.9-2006.8 哈爾濱工業(yè)大學(xué) 材料物理與化學(xué)系學(xué)士

2020.7-至今　中科院微電子研究所 研究員，課題組長(zhǎng)

2015.8-2020.7　中科院微電子研究所 副研究員，課題組長(zhǎng)

2015.4-2015.7　東京大學(xué)　材料工程系　公派訪問(wèn)學(xué)者

2013.10-2015.3 中科院微電子研究所 副研究員

2011.10-2013.9 中科院微電子研究所 助理研究員

1.Nanoscience & Nanotechnology-Asia Section Editor (2020-至今)

2.中科院青年創(chuàng)新促進(jìn)會(huì) 微電子所組長(zhǎng)(2020-至今)，副組長(zhǎng)(2019-2020)

3. 科技部國(guó)家中長(zhǎng)期技術(shù)預(yù)測(cè)-海洋與信息、材料、人工智能交叉子領(lǐng)域秘書(shū)(2019-至今)

MOS表面與界面科學(xué)(SiC、Ge、III-V等),仿生智能器件與應(yīng)用

1.2020,北京市技術(shù)發(fā)明二等獎(jiǎng) “高電流密度SiC電力電子器件”

2.2018，中科院微電子所優(yōu)秀共產(chǎn)黨員

3.2018，中科院微電子所科普大賽一等獎(jiǎng)

4.2017，中科院微電子所科普大賽一等獎(jiǎng)

5.2017，中國(guó)科學(xué)院青年創(chuàng)新促進(jìn)會(huì)會(huì)員

6.2011, Young Researcher Award, IEEE-IWDTF2011, Japan.

7.2009-2011, Global Center of Excellence Scholarship, Japan.

8.2008，哈爾濱工業(yè)大學(xué)優(yōu)秀畢業(yè)生－金牌

9. 2006，國(guó)防科工委優(yōu)秀畢業(yè)生

發(fā)表期刊和會(huì)議論文84篇(一作32篇,通訊作者15篇)，H因子15，總引用821

(數(shù)據(jù)來(lái)源Google Scholar 2020-07)

代表論文(第一作者)

1.S.-K. Wang*,Q. Huang, J. Zhao, Y. Zhou, X. L. Zhao, P. L. Yao, X. Y. Liu, X. L. Liang,Electro-chemiresistive Functionalization of SWCNT-TFT by PCz and Its“Electronic Hourglass”Application with Zero-static Power Consumption, ACS Applied Energy Materials, 2,11(2019) 8253.

2.S.-K. Wang*, B. Sun, M.-M. Cao, H.-D. Chang, Y.-Y. Su, H.-O. Li, and H.-G. Liu*,“Modification of Al2O3/InP interfaces using sulfur and nitrogen passivations,”J. Appl. Phys., 121 (2017) 184104.

3.S. K. Wang*, M. Cao, B. Sun, H. Li, H. G. Liu,“Reducing the interface trap density in Al2O3/InP stacks by low-temperature thermal process”, Appl. Phys. Express 8, 091201 (2015).

4.S. K. Wang, H.-G. Liu*, and A. Toriumi,“Kinetic Study of GeO Disproportionation into GeO2/Ge System Using X-ray Photoelectron Spectroscopy”, Appl. Phys. Lett. 101, 5 (2012).

5.S. K. Wang*, K. Kita, C. H. Lee, T. Tabata, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi,“Desorption kinetics of GeO from GeO2/Ge structure”,J. Appl. Phys. 108, 054104 (2010).

代表論文(通訊作者)

1.X. Y. Liu*, J. L. Hao, N. N. You, Y. Bai, Y. D. Tang, C. Y. Yang,S. K. Wang*, High mobility SiC MOSFET with low Dit using high pressure microwave plasma oxidation, Chin. Phys. B,29 (2020) 037301.

2.Y. Xu,S. K. Wang*, P. L. Yao, Y. H. Wang, D. P. Chen, An air-plasma enhanced low-temperature wafer bonding method using high-concentration water glass adhesive layer, Appl. Surf. Sci. 500 (2019) 144007.

3.X. Y. Liu*, J. L. Hao, N. N. You, Y. Bai,S. K. Wang*, High pressure microwave plasma oxidation of 4H-SiC with low interface trap density, AIP Advances, 9 (2019) 125150.

4.Z. Y. Peng,S. K. Wang*, Y. Bai, Y. D. Tang, X. M. Chen, C. Z. Li, K. A. Liu, X. Y. Liu*,“High Temperature 1MHz Capacitance-Voltage Method for Evaluation of Border Traps in 4H-SiC MOS System”, J. Appl. Phys. 123 (2018) 135302.

5.X. Yang,S. K. Wang*, X. Zhang, B. Sun, W. Zhao, H. D. Chang, Z. H. Zeng, H. G. Liu*,“Al2O3/GeOxgate stack on germanium substrate fabricated by in situ cycling ozone oxidation method”, Appl. Phys. Lett. 105 (2014) 092101.

出版圖書(shū)章節(jié)

1.S. K. Wang*, H. G. Liu*,“Passivation and Characterization in High-k/III-V Interfaces”, in book entitled“Nanoscale Semiconductor Devices, MEMS, and Sensors: Outlook and Challenges”, Springer Publisher, New York, USA, 2017.

綜述文章&國(guó)際會(huì)議邀請(qǐng)報(bào)告

1.S. K. Wang*,“Turbo charging the channel (Invited)”, Compound Semiconductor, 1, 22-30, (2016).

2.S. K. Wang,“Germanium and III-Vs for future logic (Invited)”,Compound Semiconductor International 2017, Brussels Belgium, (March 7-8, 2017)

3.S. K. Wang,“Rapid Growth of SiO2on SiC with Low Dit using High Pressure Microwave Oxygen Plasma (Invited)”,13thIEEE International Conference on ASIC,Chongqing, China, (Oct 9-Nov 1, 2019)

4.S. K. Wang，“Interfaces in Ge MOSFETs (Invited)”,8thNational Functional Materials and Application Conference，Harbin, China, (Aug.24-26, 2013).

代表性授權(quán)發(fā)明專(zhuān)利

1.Shengkai Wang, et al., Composite Gate Dielectric Layer Applied to Group III-V Substrate and Method for Manufacturing the same, 2019.1.29, US 15/539,597

2.Shengkai Wang, et al., Dual-Gate PMOS Field Effect Transistor With InGaAs Channel, 2020.2.26，US 15/539,478

3.王盛凱，姚沛林，納米發(fā)電機(jī)倍頻輸出結(jié)構(gòu)及供能器件，2020.4.21，中國(guó)，ZL 201810263391. 4

4.王盛凱，劉洪剛，孫兵，�；�東，趙威,一種鍺納米線疊層結(jié)構(gòu)的制作方法，2016.8.17，中國(guó)，ZL 201310741585.8

5.王盛凱，劉洪剛，孫兵,一種砷化鎵表面形貌控制方法，2018.12.25，中國(guó)，ZL 201611251389.2

1.國(guó)家自然科學(xué)基金面上基金項(xiàng)目(61974159)“基于有效離子半徑理論的SiC MOSFET柵介質(zhì)與界面配位調(diào)控研究” (2020-2023) 主持

2.中國(guó)科學(xué)院青年促進(jìn)會(huì)項(xiàng)目“SiC MOS柵介質(zhì)與界面研究”(2017-2020) 主持

3.中國(guó)工程物理研究院橫向項(xiàng)目3項(xiàng)(2016-2020) 主持

4.ASIC國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室開(kāi)放課題：仿生神經(jīng)元器件及細(xì)胞生物電行為模擬(2018-2019) 主持

5.中國(guó)科學(xué)院重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室開(kāi)放課題“二元系鐵電氧化物極化行為研究”(2015-2016) 主持

6.國(guó)家自然科學(xué)基金青年基金項(xiàng)目(61204103)“Ge-MOS技術(shù)中鑭系復(fù)合高k介質(zhì)與GeO2/Ge界面調(diào)控的研究” (2013-2015) 主持

7.中國(guó)科學(xué)院人才基金A類(lèi)重點(diǎn)項(xiàng)目-“基于光子晶體技術(shù)的硅基鍺紅外探測(cè)器研究” (2013-2014) 主持

參與科研項(xiàng)目情況：

1.國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃(2016YFA0202304)課題“二維原子晶體的材料制備和器件驗(yàn)證” (2016-2021)

2.國(guó)家973項(xiàng)目（2010CB327500）課題“超高頻化合物基CMOS器件和電路研究” (2010-2014)

3.國(guó)家973項(xiàng)目（2011CBA00600）課題“超低功耗高性能集成電路器件與工藝基礎(chǔ)研究” (2011-2015)

4.國(guó)家02科技重大專(zhuān)項(xiàng)課題（2011ZX02708-003）“高遷移率CMOS新結(jié)構(gòu)器件與工藝集成研究” (2011-2014)

85項(xiàng)專(zhuān)利申請(qǐng)(第一發(fā)明人34項(xiàng))，授權(quán)37項(xiàng)（含美國(guó)專(zhuān)利4項(xiàng))。