人物簡介
1992年7月獲大連理工大學(xué)應(yīng)用物理系學(xué)士學(xué)位；
1995年7月獲北京師范大學(xué)物理系凝聚態(tài)物理專業(yè)碩士學(xué)位；
1998年7月獲中科院半導(dǎo)體研究所半導(dǎo)體材料與物理專業(yè)博士學(xué)位；
1998年8月至2011年1月，中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所集成光電子國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室工作。
2011年1月，加入中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所納米加工平臺。
科研經(jīng)歷
參與研制國內(nèi)首臺能同時生長3C-SiC和厚膜GaN材料的高溫CVD/HVPE復(fù)合淀積系統(tǒng)。在其基礎(chǔ)上完成了自然科學(xué)基金項(xiàng)目“藍(lán)色發(fā)光二極管用SiC 材料生長的基礎(chǔ)研究”。承擔(dān)中國科學(xué)院應(yīng)用研究與發(fā)展重點(diǎn)項(xiàng)目“GaN/SiC/Si 異質(zhì)外延材料的生長與研究”以及863 項(xiàng)目“高亮度藍(lán)光、綠光LED 的產(chǎn)品開發(fā)和規(guī)�；a(chǎn)關(guān)鍵技術(shù)的研究”中“氮化物立方GaN 藍(lán)、綠光發(fā)光器件研制與產(chǎn)品開發(fā)”子課題，并順利完成。參與和承擔(dān)“氮化鎵激光器”、“氮化鎵紫外探測器”“GaN/Si基材料生長與研究”等多項(xiàng)863 項(xiàng)目的研究，主要從事GaN/Si(111)材料、GaN/Al2O3、AlGaN/GaN 超晶格材料以及InGaN/GaN 量子阱的生長與分析。把質(zhì)量管理中常用的試驗(yàn)設(shè)計(jì)方法引入到GaN基材料與器件結(jié)構(gòu)的外延生長，成功制備了GaN 基激光器結(jié)構(gòu)外延片；在此基礎(chǔ)上中科院半導(dǎo)體所實(shí)現(xiàn)了中國大陸第一只GaN基脈沖激射和室溫連續(xù)工作激光器的成功研制。承擔(dān)863項(xiàng)目“高效大功率半導(dǎo)體燈用近紫外LED生產(chǎn)技術(shù)研究”，順利完成。承擔(dān)自然科學(xué)基金項(xiàng)目“AlInN 材料的MOCVD 生長與應(yīng)用研究”（批準(zhǔn)號 60576003，2006,1-2008,12），順利完成，最終評定結(jié)果為優(yōu)承擔(dān)中科院重大科研裝備研制項(xiàng)目“III族氮化物生長用原子層化學(xué)氣相淀積系統(tǒng)”，設(shè)計(jì)并研制成功了兼具原子層外延和MOCVD外延優(yōu)點(diǎn)的外延生長系統(tǒng)，尤其適合于生長高Al組份的三族氮化物，順利通過中科院專家組的驗(yàn)收。參與創(chuàng)建蘇州納維科技有限公司，主要負(fù)責(zé)HVPE設(shè)備的設(shè)計(jì)、研制以及HVPE生長工藝的開發(fā)。主持設(shè)計(jì)了水平和垂直兩種HVPE生長設(shè)備，成功用于GaN自支撐襯底的生長。
研究方向
未來五年擬開展的工作主要是生產(chǎn)型金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積（MOCVD）系統(tǒng)及相關(guān)配套設(shè)備的研制與生產(chǎn)。該種設(shè)備主要針對III族氮化物基光電子、微電子器件結(jié)構(gòu)材料的外延生長進(jìn)行結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。同時，結(jié)合先進(jìn)的在位監(jiān)測手段，集成多種工藝和技術(shù)，致力于提高設(shè)備的生產(chǎn)能力，降低設(shè)備生產(chǎn)成本和使用成本，提高原材料的利用率，減少對環(huán)境的污染。該設(shè)備的工程化研究具體內(nèi)容主要包括：（1）反應(yīng)室的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、模擬、仿真及虛擬制造技術(shù)；（2）高控制精度、低響應(yīng)時間的MOCVD系統(tǒng)氣路設(shè)計(jì)和加工技術(shù)；（3）系統(tǒng)的自動化、智能化控制技術(shù)和人機(jī)操作系統(tǒng)、數(shù)據(jù)記錄與挖掘系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與開發(fā)；（4）綠色尾氣處理系統(tǒng)和氣體循環(huán)利用系統(tǒng)的研制；（5）能提供閉環(huán)控制能力的在位監(jiān)測系統(tǒng)的的設(shè)計(jì)與制造；（6）MOCVD外延生長工藝開發(fā)、材料生長的熱力學(xué)、動力學(xué)過程的理論與實(shí)驗(yàn)研究、模擬與仿真，同時開展材料生長的計(jì)算機(jī)實(shí)驗(yàn)技術(shù)研究。（7）MOCVD裝備的穩(wěn)定性、重復(fù)性、可靠性測試分析技術(shù)與保障系統(tǒng)的研究；（8）功能拓展能力強(qiáng)的開放式MOCVD架構(gòu)研究等。通過五年的研究，預(yù)期形成滿足LED以及功率電子器件等量產(chǎn)需求的MOCVD設(shè)備研制和生產(chǎn)能力。
