個(gè)人履歷
□ 工作單位： 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所
□ 所在學(xué)部： 中國工程院 信息與電子工程學(xué)部
□ 專業(yè)特長：半導(dǎo)體材料
梁駿吾 （1933.9.18--) 半導(dǎo)體材料專家。湖北省武漢市人。1955年畢業(yè)于 武漢大學(xué)，1960年獲原蘇聯(lián)科學(xué)院冶金研究所副博士學(xué)位。中國科學(xué)院 半導(dǎo)體研究所研究員。60年代解決了高純區(qū)熔硅的關(guān)鍵技術(shù)。1964年制備出室溫激光器用GaAs 液相外延材料。1979年研制成功為大規(guī)模集成電路用的無位錯(cuò)、無旋渦、低微缺陷、低碳、可控氧量的優(yōu)質(zhì)硅區(qū)熔單晶。80年代首創(chuàng)了摻氮中子嬗變硅單晶，解決了硅片的完整性和均勻性的問題。90年代初研究MOCVD生長超晶格量子阱材料，在晶體完整性、電學(xué)性能和超晶格結(jié)構(gòu)控制方面，將中國超晶格量子阱材料推進(jìn)到實(shí)用水平。主持“七五”、“八五”重點(diǎn)硅外延攻關(guān)，完成了微機(jī)控制、光加熱、低壓硅外延材料生長和設(shè)備的研究。獲國家科委科技成果二等獎(jiǎng)一次、中國科學(xué)院科技進(jìn)步獎(jiǎng)一等獎(jiǎng)1次、中國科學(xué)院重大成果一等獎(jiǎng)兩次，以及其它國家部級獎(jiǎng)勵(lì)多次。
1997年當(dāng)選為 中國工程院院士。
工作簡歷
1960-1969，半導(dǎo)體研究所，副室主任；助研
1970-1978，湖北宜昌半導(dǎo)體廠，助理研究員
1978-，半導(dǎo)體研究所，研究員
2011-受聘哈工大合約教授
學(xué)術(shù)或?qū)I(yè)團(tuán)體任職
1984-，中國電子學(xué)會(huì)電子材料分會(huì)，副主任委員
1991-，中國材料研究學(xué)會(huì)，理事
1985-，中國電子學(xué)會(huì)，會(huì)士
個(gè)人其它信息
專業(yè)領(lǐng)域
半導(dǎo)體材料
研究成就：
1978-1980，解決VLSI用硅單晶，主持
1983-1988，首創(chuàng)摻氮中子單晶，主持
1985-1995，硅外延材料制備，主持
1990-1994，生長超晶格量子阱材料，主持
獲獎(jiǎng)：
1964，高純區(qū)溶硅單晶，國家科學(xué)技術(shù)委員會(huì)，科學(xué)技術(shù)成果獎(jiǎng)，二等
1980,16K位MOS動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲器，中國科學(xué)院，科學(xué)技術(shù)成果獎(jiǎng)，一等
1988，摻氮中子嬗變硅單晶，中國科學(xué)院，科學(xué)技術(shù)進(jìn)步獎(jiǎng)，一等
1985,LPE GaAlAs/GaAs異質(zhì)結(jié)構(gòu)缺陷研究，晶體生長雜志，
1990，半導(dǎo)體，化工出版社，
1991，水平式外延系統(tǒng)的計(jì)算機(jī)模擬，電子學(xué)報(bào)19,30,
成果
1、減壓薄層硅外延片
