男,博士;湖北黃石人,1981 年10 月出生 , 2000年考入武漢大學(xué)材料物理專(zhuān)業(yè),2004年6月獲得武漢大學(xué)物理學(xué)士學(xué)位,2004年開(kāi)始做為武漢大學(xué)博士生攻讀物理系博士學(xué)位,期間參加教育部訪學(xué)計(jì)劃赴中國(guó)科學(xué)院物理研究所學(xué)習(xí)兩年,2007-2009年作為研究助理在新加坡南洋理工做訪問(wèn)研究。2009年獲得武漢大學(xué)博士學(xué)位。2009年至今在加州大學(xué)洛杉磯分校進(jìn)行博士后工作。2004年獲得湖北省優(yōu)秀本科論文,2005年獲得武漢大學(xué)安泰創(chuàng)新獎(jiǎng)學(xué)金,2006年獲得武漢大學(xué)珈瑋獎(jiǎng)學(xué)金,2007年獲得全國(guó)寶鋼優(yōu)秀特等獎(jiǎng)學(xué)金,2008年獲得新加坡千禧獎(jiǎng),2008年獲得武漢大學(xué)華為獎(jiǎng)學(xué)金,2009年獲得武漢大學(xué)五四青年獎(jiǎng)?wù),以及武漢大學(xué)優(yōu)秀博士畢業(yè)生! 〗诘闹饕芯款I(lǐng)域是二維石墨烯,一維 ZnO,過(guò)渡族氧化物以及碳納米管等納米結(jié)構(gòu)、物性和晶體場(chǎng)效應(yīng)管,傳感器等研究。在國(guó)外學(xué)術(shù)刊物Nature,PNAS,Nano Letters等上發(fā)表論文 60 多篇! election Publication 1. L. Liao,Y. C. Lin, M. Q. Bao, R.Cheng, J. W. Bai, Y. Liu, Y. Q. Qu, K.. L.Wang, Y. Huang, X. F. Duan Highspeed graphene transistors with aself-aligned nanowire gate Nature (In press,doi:10.1038/nature09405) 2. L. Liao, J. W. Bai, R. Cheng, Y.C. Lin, Y. Q. Qu, Y. Huang, X. F. Duan Sub-100 nm Channel length graphenetransistors Nano Lett. (In press doi:10.1021/nl101724k) 3. L. Liao,J. W. Bai, R. Cheng, Y.C. Lin, S. Jiang, Y. Huang, and X. F. DuanTop-gated graphene nanoribbontransistors with ultra-thin high-kdielectrics Nano Lett. 10, 1917,(2010). 4.L. Liao,J.W. Bai, Y. Q. Qu, Y. C. Lin, Y. J. Li, Y. Huang, and X. F. Duan High-kOxideNanoribbons as Gate Dielectrics for High Mobility Top-gatedGrapheneTransistors Proc. Natl. Acad. Sci. U.S.A. (PNAS) 107, 6711 (2010). 5. L. Liao,M. B. Zheng, Z. Zhang,B. Yan, Z. X. Shen, and T. Yu Thecharacterizationand application of P-type semiconducting mesoporous carbonnanofibers Carbon 47, 1841 (2009). 6. L.Liao, K. H. Liu, W. L. Wang, X. D. Bai and E. G. WangMultiwall BCN/C nanotube junction and its rectification behavior J. Am.Chem. Soc. 129, 9562 (2007).