1960年靜岡縣濱松市出生

1983年名古屋大學(xué)工學(xué)部電子工學(xué)科畢業(yè)

1988年 名古屋大學(xué)大學(xué)院博士課程結(jié)束

1988年 名古屋大學(xué)助手

1989年 取得名古屋大學(xué)工學(xué)博士學(xué)位

1992年 名城大學(xué)理工學(xué)部講師

1998年 名城大學(xué)助教授

2002年 名城大學(xué)教授

2010年 名古屋大學(xué)教授

1986年，赤崎勇和天野浩首次制成高質(zhì)量的氮化鎵晶體，他們所采用的方法是在藍(lán)寶石襯底上涂上一層氮化鋁材料，并在上面生長(zhǎng)氮化鎵晶體。到了1980年代末，他們?cè)趧?chuàng)設(shè)p層的工作上取得突破性進(jìn)展。當(dāng)赤崎勇和天野浩在掃描電鏡下觀察培養(yǎng)出的氮化鎵晶體時(shí)，他們無(wú)意間注意到在用電鏡觀察時(shí)晶體的發(fā)光強(qiáng)度似乎增強(qiáng)了，這說(shuō)明掃描電鏡產(chǎn)生的電子流能夠提升p層的效率。到了1992年，他們終于制成第一個(gè)發(fā)藍(lán)光的二極管。

2014年10月7日，赤崎勇、天野浩和中村修二因發(fā)現(xiàn)新型節(jié)能光源而獲得2014年度諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)，他們將平分800萬(wàn)瑞典克朗（約合111萬(wàn)美元）的獎(jiǎng)金。

1991年 電氣學(xué)會(huì)發(fā)表論文獎(jiǎng)

1994年 光電子會(huì)議特別獎(jiǎng)

1996年 美國(guó)IEEE/LEOS工程功績(jī)獎(jiǎng)

1998年 應(yīng)用物理學(xué)會(huì)獎(jiǎng)

1998年 英國(guó)排名獎(jiǎng)

2001年 文學(xué)術(shù)賞獎(jiǎng)

2002年武田獎(jiǎng)

2003年 SSDM Award

2008年 日本結(jié)晶成長(zhǎng)學(xué)會(huì)論文獎(jiǎng)

2014年 諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)