1991畢業(yè)于吉林大學(xué)物理系。1998年七月畢業(yè)于中科院長春物理所獲博士學(xué)位。 1998年8月－2000年8月在中國科學(xué)院物理研究所做博士后。 2000年9月－2001年9月獲得日本科技興業(yè)集團(tuán)（JST）獎(jiǎng)學(xué)金資助在日本東京大學(xué)工學(xué)部電子工程系做博士后研究工作。 2001－2006年在德國Rossendof研究中心離子束物理和材料研究所工作。2006年10月以來被聘為南開大學(xué)物理學(xué)院教授，博士生導(dǎo)師。2007年入選教育部新世紀(jì)優(yōu)秀人才計(jì)劃。

工作經(jīng)歷

1991年到1998年間從事電子束蒸發(fā)、磁控濺射等多種真空發(fā)光薄膜沉積和平板顯示件技術(shù)的研究，曾研制出國內(nèi)首個(gè)640×480 VGA ZnS:Mn薄膜電致發(fā)光計(jì)算機(jī)顯示屏，同時(shí)開始研究多孔硅、含硅納米微晶的SiO2和SiNx薄膜、Si/SiO2、Si/SiNx非晶態(tài)超晶格等多種硅基納米結(jié)構(gòu)薄膜器件的交流電致發(fā)光。

1998年8月－2001年9月年間主要從事III-V族半導(dǎo)體的高真空分子束外延技術(shù)以及半導(dǎo)體微腔半導(dǎo)體光折變器件、電光調(diào)制器件、激光器以及稀磁半導(dǎo)體材料的研究工作。

2001年9月至今主要從事硅材料電注入發(fā)光照明器件和光子集成的研究工作。

科研成果

實(shí)現(xiàn)高效率的硅基發(fā)光對(duì)于發(fā)展集成光電子芯片具有十分重要的意義。從1991年開始從事多孔硅、Si/SiO2超晶格等各種硅納米結(jié)構(gòu)電致發(fā)光的研究。近年來研制出高效率的硅基MOS結(jié)構(gòu)電致發(fā)光器件，其中紅外、可見光和紫外區(qū)的硅MOS電致發(fā)光器件的最高量子效率分別達(dá)到14%、16%和5%以上，是目前硅材料電致發(fā)光器件的世界最好結(jié)果，在國際上首次研制出硅材料紫外電致發(fā)光器件和紅/藍(lán)可變色的電致發(fā)光器件。此外提出了利用硼離子注入缺陷工程改變硅的能帶結(jié)構(gòu)，將硅pn結(jié)發(fā)光二極管的量子效率提高了三個(gè)量級(jí)，達(dá)到0.15 %。

在德國工作期間由于在硅基發(fā)光器件方面的突出成績，榮獲2004年度德國國家級(jí)研究機(jī)構(gòu)Rossendorf研究中心的先進(jìn)科研獎(jiǎng)勵(lì)。研制出的高效率的硅MOS彩色電致發(fā)光顯示器件曾代表德國Rossendorf研究中心多次參加慕尼黑國際工程產(chǎn)品世界專業(yè)展等國際高科技展覽會(huì)。2004年10月1日國際著名的媒體《Laser Focus World》發(fā)表了題為《Silicon UV light emitters are fabricated via CMOS》的文章專題介紹了申請(qǐng)人研制的世界首個(gè)SiO2:Gd硅基材料紫外發(fā)光器件。2007年5月27日國際著名的《Science Daily》刊登了題為《Switchable Two-color Light Source On A Silicon Chip》的文章，專題介紹了申請(qǐng)人主持研制的由紅到藍(lán)可變色的SiO2:Eu發(fā)光器件。

目前在國際內(nèi)外核心期刊發(fā)表論文70余篇，被SCI他引100多次。申請(qǐng)德國專利2項(xiàng)。目前承擔(dān)國家自然科學(xué)基金、973項(xiàng)目和教育部新世紀(jì)人才項(xiàng)目等多項(xiàng)國家課題，教育部留學(xué)回國人員基金等多項(xiàng)課題。