1982年畢業(yè)于東北大學。

1982至1988年在鋼鐵研究總院難熔金屬研究室工作。

1988年作為國家教委公派留學生赴日本留學，

1991獲日本山形大學工學研究科應用化學專業(yè)工學碩士學位，

1994年獲日本大阪大學理學研究科無機物理化學專業(yè)理學博士學位。

1994至2001年在日本村田制作所任高級研究員。

2002年 3月獲中國科學院“百人計劃”基金。

1.博士期間（1991-1994）：

48號

① 人工晶體的分子束外延生長(Epitaxy)的物理化學過程及結(jié)晶生長機制。

② 分子束外延人工晶體的物理特性，特別是超導特性及異常反磁性。

③ 人工晶體的微量元素添加方法及微量元素對人工晶體物理性質(zhì)的影響。

④ 設(shè)計出了Ba-Ca-Cu-O系新型人工晶體結(jié)構(gòu)，并應用以上方法制出了該新型人工晶體薄膜。對該人工晶體進行了晶體結(jié)構(gòu)分析及超導電性測試，證明其與設(shè)計的晶體結(jié)構(gòu)相一致，并得到了預期的超導電性。

2. 日本公司工作期間（1994-2001）：

① 介電體材料（TiO2、SrTiO3）、鐵電體材料(PbTiO3、Pb(Zr,Ti)O3)的CVD（化學氣相沉積）合成法及等離子CVD合成法的研究。

② 激光熔射薄膜生長裝置的設(shè)計。

③ 各種單晶薄膜、多晶薄膜（TiN 、TiN-AlN、MgO、Pt、Ir）的激光分子束外延生長方法及其性能的研究。

④ 各種單晶薄膜、多晶薄膜（TiN 、MgO、Pt）的離子束濺射生長方法及其性能的研究。

⑤ Pb(Zr,Ti)O3鐵電體薄膜的晶體生長方法、生長方向的控制及其鐵電性、熱釋電性及壓電性的研究。

⑥ 單晶硅底板上鐵電薄膜的合成及微型電子元器件（鐵電體不揮發(fā)性存儲器、微型熱釋電敏感器、微型壓電麥克風、微型電子開關(guān)）的研究開發(fā)。 3362 3039

2002～2005 “高性能陶瓷薄膜材料的結(jié)晶過程及其應用” 中科院“百人計劃”項目

2002～2007 “集成信息功能陶瓷系統(tǒng)的基礎(chǔ)問題研究” 國家重點基礎(chǔ)研究發(fā)展規(guī)劃（973）項目

2004～2006 “單晶氧化鋅納米線的摻雜及其相關(guān)物理特性研究” 國家自然科學基金項目

2004～2007 “納米和梯度熱電材料與太陽能光電、熱電、風力發(fā)電系統(tǒng)” 自然科學基金重大國際合作項目

2002～2004 “新型藍紫光發(fā)光器件用ZnO薄膜的研制” 上海市科技發(fā)展基金項目

2004～2005 “氧化鋅基材料摻雜機理、光學性能及熱電性能的研究” 上海硅酸鹽研究所創(chuàng)新項目