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  • 若列斯·伊萬諾維奇·阿爾費羅夫

    若列斯·伊萬諾維奇·阿爾費羅夫

    若列斯·伊萬諾維奇·阿爾費羅夫(Жоре?с Ива?нович Алфёров,1930年3月15日-2019年3月1日),畢業(yè)于圣彼得堡國立電子科技大學,俄羅斯半導體物理學家,俄羅斯科學院院士。

    他致力于Ⅲ-Ⅴ族半導體異質(zhì)結(jié)構領域的研究,對物理學和Ⅲ-Ⅴ族半導體異質(zhì)結(jié)構技術做出了杰出貢獻,榮獲2000年度諾貝爾物理學獎。


    人物經(jīng)歷

    教育經(jīng)歷

    1952年畢業(yè)于列寧格勒的烏里揚諾夫電子技術學院電子系;

    1953年起,擔任約飛物理技術研究所的科研人員;

    1961年,取得技術科學候補學位;

    1970年獲得物理和數(shù)學博士學位(皆由約飛研究所授予);

    工作經(jīng)歷

    1970-1971年間成為美國伊利諾伊大學訪問學者。

    若列斯·伊萬諾維奇·阿爾費羅夫

    1971年,成為美國富蘭克林研究所終身會員;

    1973年接任列寧格勒電子工程大學光電子學教授;

    1979年當選俄羅斯科學院院士。

    1987年開始,成為列寧格勒約飛物理技術學院的院長;

    1990年,當選美國科學院、美國工程院外籍院士。

    1991年,他被選為俄羅斯科學院副院長以及俄羅斯科學院圣彼得堡研究中心主任。

    重要經(jīng)歷

    自1962年起,他致力于Ⅲ-Ⅴ族半導體異質(zhì)結(jié)構領域的研究。他對于物理學和Ⅲ-Ⅴ族半導體異質(zhì)結(jié)構技術做出了杰出貢獻(特別是在注入特性、激光器的開發(fā)、太陽能電池、發(fā)光二極管、取向生長過程等方面),現(xiàn)代異質(zhì)結(jié)構物理學和電子學因此而創(chuàng)立。由于他在這方面所取得的成就,而獲得了前蘇聯(lián)、俄羅斯及國際許多獎項和榮譽會員稱號。并且同赫伯特·克勒默與杰克·基爾三人共同獲得了2000年的諾貝爾物理學獎。

    人物逝世

    2019年3月2日在俄羅斯圣彼得堡逝世,享年89歲。

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