人物經(jīng)歷
教育背景
| 學(xué)歷 | 時(shí)間 | 畢業(yè)學(xué)校 | 專(zhuān)業(yè) | 學(xué)位 |
| 本科 | 1986.9—1990.7 | 華中理工大學(xué)* | 半導(dǎo)體物理與器件 | 學(xué)士 |
| 碩士 | 1990.9—1993.7 | 華中理工大學(xué) | 半導(dǎo)體器件與微電子技術(shù) | 工學(xué)碩士 |
| 博士 | 1999.3—2003.3 | 清華大學(xué) | 凝聚態(tài)物理學(xué) | 理學(xué)博士 |
*現(xiàn)為華中科技大學(xué)
出國(guó)研修經(jīng)歷
1999年到日本岡上理科大學(xué)光藤實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行環(huán)境功能材料研修；2005年獲國(guó)家基金委基礎(chǔ)課教師出國(guó)研修經(jīng)費(fèi)支持，到美國(guó)伊利諾伊大學(xué)進(jìn)行教學(xué)法研修，獲合格證書(shū)。
研究課題
1．2011-2015，年作為學(xué)術(shù)骨干參與973項(xiàng)目：面向性能的材料集成設(shè)計(jì)的科學(xué)基礎(chǔ)問(wèn)題中的課題名稱(chēng)：材料原子勢(shì)庫(kù)創(chuàng)新服務(wù)系統(tǒng)（編號(hào)：2006CB605101）；2. 2006-2010，年作為學(xué)術(shù)骨干參與973項(xiàng)目：基于集成計(jì)算的材料設(shè)計(jì)基礎(chǔ)科學(xué)問(wèn)題中的課題：復(fù)雜材料原子間相互作用勢(shì)庫(kù)的創(chuàng)新與拓展（課題編號(hào)：2011CB606401）。
榮譽(yù)記錄
獲云南大學(xué)2006年伍達(dá)觀優(yōu)秀教師獎(jiǎng)。學(xué)術(shù)成果
第一作者發(fā)表文章：
1． Shuo Zhang, Nanxian Chen, (2002)，Ab initio interionic potentials for NaCl by multiple lattice inversion, Physical Review B66, 064106
2． Shuo Zhang, Nanxian Chen, (2003)，Lattice inversion for interionic pair potentials, Journal of Chemical Physics118, 3974
3． Shuo Zhang, (2003)，Nanxian Chen, Determination of the B1-B2 transition path in RbCl by Mobius pair potentials, Philosophical Magaazine 83(12),1451
4． Shuo Zhang, Nanxian Chen, (2003)，Energies and stabilities of sodium chloride lusters based on inversion pair potentials, Physica B325, 172
5． Shuo Zhang, Nanxian Chen, (2003)，Molecular dynamics simulations for high-pressure induced B1-B2 transition in NaCl by Mobius pair potentials , Modelling Simul. Mater. Sci. Eng.11(3):331-338
6． Shuo Zhang, Nanxian Chen, (2003)，Study on the high-pressure properties of KCl crystal by inversion pair potentials, Materials Science and Engineering B99, 588
7． Shuo Zhang, Nanxian Chen, (2003)，Atomistic simulations of B1-B2 phase transition in KCl based on inversion pair potentials, Acta Materilia 51/20, 6151
8． Shuo Zhang, Nanxian Chen, (2005), Lattice inversion for interatomic potentials in AlN, GaN and InN, Chem. Phys. 309，309-321
研究方向
1,�；贔innis-Sinclair形式嵌入原子相互作用勢(shì)模型，以簡(jiǎn)單第一性計(jì)算結(jié)果作為數(shù)據(jù)源，以雙重晶格反演方法，進(jìn)行金屬及金屬間化合物的原子間相互作用勢(shì)研究；并進(jìn)行有關(guān)的分子力學(xué)、分子動(dòng)力學(xué)和晶格動(dòng)力學(xué)計(jì)算，提供相穩(wěn)定性、高壓相變及低維納米結(jié)構(gòu)演變相關(guān)的原子級(jí)圖像，闡述結(jié)構(gòu)性能變化的原子構(gòu)型關(guān)系；
2. 利用多重晶格反演方法，結(jié)合變電荷模型，獲取反映與電荷相關(guān)的有效原子間相互作用勢(shì)，建立化合物半導(dǎo)體原子間相互作用勢(shì)庫(kù)，以大規(guī)模的原子級(jí)模擬描述低維納米結(jié)構(gòu)的形成機(jī)制；
3. 在經(jīng)驗(yàn)原子相互作用勢(shì)的基礎(chǔ)上，拓展晶格反演方法至間隙結(jié)構(gòu)，獲得有效的Be-W和Fe-He等核反應(yīng)堆器壁材料原子間相互作用勢(shì)，揭示決定核反應(yīng)堆材料安全的原子擴(kuò)散機(jī)制；
4．在低維原子結(jié)構(gòu)材料的皺褶及應(yīng)力結(jié)構(gòu)演變基礎(chǔ)上，進(jìn)一步運(yùn)用晶格反演方法獲取可反映sp3→sp2化學(xué)鍵性質(zhì)的原子間相互作用勢(shì)，展現(xiàn)不同尺度和邊界條件的低維材料原子結(jié)構(gòu)演變的規(guī)律。
