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  • 張碩

    張碩(教授)

    張碩,男,博士,云南大學材料科學與工程學院教授(四級)、碩士生導師。以Chen-M?bius多重晶格反演數(shù)論方法,主要從事基于第一原理計算的離子晶體、稀土金屬間化合物、過渡金屬、化合物半導體、核反應堆器壁材料及Ge-Sb-Te相變存儲材料和超硬材料晶體結構演變相關的原子間相互作用勢方向的計算模擬研究開發(fā)工作。


    人物經(jīng)歷

    教育背景

    學歷時間畢業(yè)學校專業(yè)學位
    本科1986.9—1990.7華中理工大學*半導體物理與器件學士
    碩士1990.9—1993.7華中理工大學半導體器件與微電子技術工學碩士
    博士1999.3—2003.3清華大學凝聚態(tài)物理學理學博士

    *現(xiàn)為華中科技大學

    出國研修經(jīng)歷

    1999年到日本岡上理科大學光藤實驗室進行環(huán)境功能材料研修;2005年獲國家基金委基礎課教師出國研修經(jīng)費支持,到美國伊利諾伊大學進行教學法研修,獲合格證書。

    研究課題

    1.2011-2015,年作為學術骨干參與973項目:面向性能的材料集成設計的科學基礎問題中的課題名稱:材料原子勢庫創(chuàng)新服務系統(tǒng)(編號:2006CB605101);2. 2006-2010,年作為學術骨干參與973項目:基于集成計算的材料設計基礎科學問題中的課題:復雜材料原子間相互作用勢庫的創(chuàng)新與拓展(課題編號:2011CB606401)。

    榮譽記錄

    獲云南大學2006年伍達觀優(yōu)秀教師獎。

    學術成果

    第一作者發(fā)表文章:

    1. Shuo Zhang, Nanxian Chen, (2002),Ab initio interionic potentials for NaCl by multiple lattice inversion, Physical Review B66, 064106

    張碩

    2. Shuo Zhang, Nanxian Chen, (2003),Lattice inversion for interionic pair potentials, Journal of Chemical Physics118, 3974

    3. Shuo Zhang, (2003),Nanxian Chen, Determination of the B1-B2 transition path in RbCl by Mobius pair potentials, Philosophical Magaazine 83(12),1451

    4. Shuo Zhang, Nanxian Chen, (2003),Energies and stabilities of sodium chloride lusters based on inversion pair potentials, Physica B325, 172

    5. Shuo Zhang, Nanxian Chen, (2003),Molecular dynamics simulations for high-pressure induced B1-B2 transition in NaCl by Mobius pair potentials , Modelling Simul. Mater. Sci. Eng.11(3):331-338

    6. Shuo Zhang, Nanxian Chen, (2003),Study on the high-pressure properties of KCl crystal by inversion pair potentials, Materials Science and Engineering B99, 588

    7. Shuo Zhang, Nanxian Chen, (2003),Atomistic simulations of B1-B2 phase transition in KCl based on inversion pair potentials, Acta Materilia 51/20, 6151

    8. Shuo Zhang, Nanxian Chen, (2005), Lattice inversion for interatomic potentials in AlN, GaN and InN, Chem. Phys. 309,309-321

    研究方向

    1,;贔innis-Sinclair形式嵌入原子相互作用勢模型,以簡單第一性計算結果作為數(shù)據(jù)源,以雙重晶格反演方法,進行金屬及金屬間化合物的原子間相互作用勢研究;并進行有關的分子力學、分子動力學和晶格動力學計算,提供相穩(wěn)定性、高壓相變及低維納米結構演變相關的原子級圖像,闡述結構性能變化的原子構型關系;

    2. 利用多重晶格反演方法,結合變電荷模型,獲取反映與電荷相關的有效原子間相互作用勢,建立化合物半導體原子間相互作用勢庫,以大規(guī)模的原子級模擬描述低維納米結構的形成機制;

    3. 在經(jīng)驗原子相互作用勢的基礎上,拓展晶格反演方法至間隙結構,獲得有效的Be-W和Fe-He等核反應堆器壁材料原子間相互作用勢,揭示決定核反應堆材料安全的原子擴散機制;

    4.在低維原子結構材料的皺褶及應力結構演變基礎上,進一步運用晶格反演方法獲取可反映sp3→sp2化學鍵性質的原子間相互作用勢,展現(xiàn)不同尺度和邊界條件的低維材料原子結構演變的規(guī)律。

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