人物經(jīng)歷
學(xué)習(xí)經(jīng)歷
2001.03-2004.05西北工業(yè)大學(xué)凝固技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 攻讀博士學(xué)位
1999.09-2001.03 西北工業(yè)大學(xué)凝固技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 攻讀碩士學(xué)位
1995.09-1999.07 西北工業(yè)大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院 本科
工作履歷
2010.02-今 華南理工大學(xué)材料學(xué)院 教授
2007.04-2010.02牛津大學(xué)材料系 皇家學(xué)會(huì)研究員、牛津大學(xué)研究員
2005.05-2007.04 東京大學(xué)生產(chǎn)技術(shù)研究所 JSPS外國(guó)人特別研究員
2004.05-2005.05 通用電氣全球研發(fā)中心 高級(jí)研究員
研究方向
主要研究領(lǐng)域包括以下幾個(gè)方向：
1. 化合物半導(dǎo)體的外延生長(zhǎng)及缺陷控制
2. 化合物半導(dǎo)體的化學(xué)合成
3. 化合物半導(dǎo)體器件（LED及太陽(yáng)能電池）制備
4. 化合物半導(dǎo)體材料的微觀結(jié)構(gòu)與器件的性能模擬
5. 非晶態(tài)材料的原子結(jié)構(gòu)（實(shí)驗(yàn)及理論計(jì)算）
主要貢獻(xiàn)
研究成果
1. 提出了改進(jìn)的垂直布里奇曼法并生長(zhǎng)出大直徑高質(zhì)量CdZnTe單晶。建立了II-VI 族化合物中缺陷對(duì)紅外光的吸收機(jī)理，提出了一種無(wú)損的對(duì)該類(lèi)晶體的光學(xué)和電學(xué)性能進(jìn)行綜合評(píng)價(jià)的方法。發(fā)明了此類(lèi)晶體的液相介質(zhì)退火改性工藝。該成果獲得2006年“全國(guó)百篇優(yōu)秀博士論文”。
2. 首次實(shí)現(xiàn)低缺陷密度非極性氮化物單晶薄膜在LGO襯底上的成長(zhǎng)及相關(guān)器件的研制。該研究結(jié)果被國(guó)際著名期刊Chemical Communications 作為封面報(bào)道進(jìn)行發(fā)表；并首次實(shí)現(xiàn)了高質(zhì)量氮化物薄膜在尖晶石和金屬鎢襯底上的室溫生長(zhǎng)及相關(guān)器件的研制。
3. 深入研究了化合物半導(dǎo)體的缺陷形成及控制機(jī)理。
學(xué)術(shù)論文
主持在研項(xiàng)目包括國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目及華南理工大學(xué)中央高�；究蒲袠I(yè)務(wù)費(fèi)人才引進(jìn)重點(diǎn)項(xiàng)目。在國(guó)際學(xué)術(shù)刊物上發(fā)表學(xué)術(shù)論文30余篇，其中SCI 期刊收錄論文34篇，EI檢索35篇。近5年內(nèi)發(fā)表論文30余篇，獲省部級(jí)科技獎(jiǎng)2 項(xiàng)。是美國(guó)MRS、ACS、IEEE，英國(guó)IoP、RMS，日本JSAP 及JEMS 會(huì)員，并擔(dān)任多個(gè)國(guó)際學(xué)術(shù)期刊審稿人。
課題組與英國(guó)牛津大學(xué)、York大學(xué)、Strathclyde大學(xué)保持密切的合作關(guān)系。
榮譽(yù)記錄
獲中國(guó)國(guó)家發(fā)明專(zhuān)利2項(xiàng)。研究成果曾獲2006年“全國(guó)百篇優(yōu)秀博士論文”；作為主要參與者，獲得“教育部提名國(guó)家科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)自然科學(xué)二等獎(jiǎng)”、“陜西省科技進(jìn)步二等獎(jiǎng)”等，曾獲“日本學(xué)術(shù)振興會(huì)”及“英國(guó)皇家學(xué)會(huì)”資金資助。
