人物經(jīng)歷
教育經(jīng)歷
吉林大學(xué)半導(dǎo)體化學(xué)專業(yè)本科、碩士
清華大學(xué)材料學(xué)博士
工作經(jīng)歷
先后服務(wù)于北京大學(xué)、名古屋大學(xué)和奈良先端科學(xué)技術(shù)大學(xué)院大學(xué)，現(xiàn)大連理工大學(xué)教授，博士生導(dǎo)師（微電子、控制、凝聚態(tài)物理）。
學(xué)術(shù)成果
發(fā)表論文
Zhang, Yi-Jie,Yin, Zhi-Peng,Su, Yan,Wang, De-Jun.Passivation of carbon dimer defects in amorphous SiO2/4H-SiC(0001) interface: A first-principles study[J],CHINESE PHYSICS B,2018,27(4)
Haipeng Zhang,王德君.A GaN/InGaN/AlGaN MQW RTD for versatile MVL applications with improved logic stability[J],Journal of Semiconductors,2018,39(7):7400401-7400411
楊超,王德君.Capacitanceu2013Voltage Measurements and Bias Temperature Stress Induced Flatband Voltage Instability in 4H-SiC MOS Capacitors[A],Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials (APCSCRM 2018),2018,2018(July):13-26
Zhang Haipeng,Wang Dejun,Geng Lu,Lin Mi,Zhang Zhonghai,Lu Weifeng,Wang Xiaoyuan,Wang Ying,Zhang Qiang,Bai Jianling.High voltage InGaN/GaN/AlGaN RTD suitable for ESD protection applications of GaN/InGaN-based devices and ICs validated by simulation results[A],2018 25TH IEEE INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON THE PHYSICAL AND FAILURE ANALYSIS OF INTEGRATED CIRCUITS (IPFA),2018
Wu, Zijian,Cai, Jian,Wang, Qian,Wang, Junqiang,Wang, Dejun.Wafer-Level Hermetic Package by Low-Temperature Cu/Sn TLP Bonding with Optimized Sn Thickness[J],JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS,2017,46(10):6111-6118
王德君,何淼,秦芝,黃慶,都時禹.碳化鈾核燃料缺陷結(jié)構(gòu)的研究現(xiàn)狀[J],核技術(shù),2017,40(7):83-94
授權(quán)專利
一種降低SiC MOS界面態(tài)密度的表面預(yù)處理方法
鍍金金屬襯底上的氮化鋁鎵銦/二硫化鉬鎢膜及制備方法
石墨烯改性圖形化金屬襯底上的氮化鎵基薄膜及制備方法
一種柔性聚酰亞胺襯底上的氮化鎵基薄膜及其制備方法
一種自感知便攜式圖像無線監(jiān)控設(shè)備及使用方法
一種降低SiO<sub>2</sub>/SiC界面態(tài)密度的方法
代表著作
半導(dǎo)體材料與器件表征技術(shù)
科研項(xiàng)目
SiC MOS器件界面缺陷及其鈍化研究,國家自然科學(xué)基金項(xiàng)目, 2014/09/01, 完成
系統(tǒng)級封裝技術(shù)工藝加工, 企事業(yè)單位委托科技項(xiàng)目, 2011/11/03-2011/12/31, 進(jìn)行
新一代半導(dǎo)體SiC材料表面處理技術(shù), 省、市、自治區(qū)科技項(xiàng)目, 2007/01/01-2009/12/31, 完成
SiC半導(dǎo)體MOS結(jié)構(gòu)界面態(tài)研究, 主管部門科技項(xiàng)目, 2007/01/01-2009/03/31, 完成
2006年度教育部新世紀(jì)優(yōu)秀人才支持計(jì)劃, 主管部門科技項(xiàng)目, 2006/12/31-2009/12/31, 完成
SiC MOS器件近界面氧化物缺陷與閾值電壓漂移抑制技術(shù)研究,國家自然科學(xué)基金項(xiàng)目, 2018/08/16, 進(jìn)行
