人物簡介
賈海強：1991年 西安交通大學電子工程系半導體器件專業(yè)畢業(yè)，獲得學士學位，1994年電子工業(yè)部第十三研究所微電子專業(yè)畢業(yè)，獲得碩士學位。2001年 中國科學院物理研究所凝聚態(tài)物理專業(yè)畢業(yè)，獲得博士學位。2001年至今中國科學院物理研究所工作， 從事化合物半導體材料與器件研究。在國外主要刊物上發(fā)表論文30多篇，申請專利10多項。
研究方向
1、GaAs基、GaN基發(fā)光二極管外延材料MOCVD生長技術研究。 2、新型LED器件工藝研究。
獲得成果
我們研發(fā)了新的紅光發(fā)光二極管結構及外延生長技術，解決了紅光LED結構、物性測量、外延生長和器件結構等問題，得到了高質量的紅光LED外延片。 我們根據(jù)富In量子點受應力調控的特點，設計了含InGaN應力調制層的有源區(qū)結構。通過控制插入的InGaN應力調制層的馳豫度，實現(xiàn)了對InGaN/GaN多量子阱的應力調制和控制，使之形成不同In組分的局域區(qū)域，成功研制出單芯片白光發(fā)光器件。
研究課題
目前主要承擔國家自然基金、863課題、產業(yè)化應用研究等課題。主要的研究方向包括： 1、GaAs基、GaN基發(fā)光二極管外延材料與器件工藝研究。 2、GaN基單芯片白光發(fā)光二極管機理研究。 3、GaAs基化合物材料的MOCVD生長技術研究。