1992年7月畢業(yè)于安徽大學(xué)物理系，獲物理學(xué)專業(yè)理學(xué)學(xué)士學(xué)位，并被免試推薦為安徽大學(xué)和日本崎玉工業(yè)大學(xué)聯(lián)合培養(yǎng)碩士研究生。

1995年5月赴日本崎玉工業(yè)大學(xué)電子工學(xué)系學(xué)習(xí)。

1996年8月獲得理論物理專業(yè)理學(xué)碩士學(xué)位，并被免試推薦為中國科學(xué)院上海硅酸鹽研究所博士研究生。

1998年7月獲得無機非金屬材料專業(yè)工學(xué)博士學(xué)位(Dr.Eng.)，同時獲中國科學(xué)院院長獎優(yōu)秀獎．

1998 年8 月至2001年1 月在日本電子株式會社（JEOL，東京）技術(shù)總括部任博士后工程師，負責(zé)X 射線分析裝置的研制和開發(fā)。

2001 年2月至2004年3月，獲丹麥國家科學(xué)技術(shù)委員會的“半導(dǎo)體量子點”項目的資助，在丹麥技術(shù)大學(xué)通訊、光學(xué)和材料研究中心和哥本哈根大學(xué)尼耳斯－波爾研究所,從事半導(dǎo)體量子點的分子束外延生長和光學(xué)表征，以及半導(dǎo)體量子點激光器的研制工作。

2004年3 月, 從丹麥技術(shù)大學(xué)獲得光電子學(xué)專業(yè)哲學(xué)博士學(xué)位(PhD)．2004 年4 月至9 月，獲美國能源部的“半導(dǎo)體材料的X射線分析”的項目資助，在美國佛蒙特大學(xué)物理系和布魯海文國家實驗室國家同步輻射光源，研究半導(dǎo)體量子點生長過程中的原位X 射線分析。

2004 年9月至2010年11月任南開大學(xué)物理科學(xué)學(xué)院和泰達應(yīng)用物理學(xué)院教授，組建了納米光子學(xué)實驗室（已于2006年5月9日在天津新聞中被介紹過）。

2006年11月 - 2007年1月 日本早稻田大學(xué)理工學(xué)部，客員研究員

2010年12月 - 2012年3月 南昌航空大學(xué)測試與光電工程學(xué)院院長，教授。

2012年4月 - 現(xiàn)在 天津工業(yè)大學(xué)，教授

至今已經(jīng)在Applied Phyiscs Letters, Journalof Crystal Growth, Journal of Physics: Condensed Matters, Nanotechnology等雜志和國內(nèi)外學(xué)術(shù)會議上發(fā)表論文40 余篇，申請了日本專利2 項�，F(xiàn)主持國家自然科學(xué)基金2項，教育部留學(xué)回國人員啟動基金1項，以及紅外物理國家重點實驗室開放基金1項，日本丸文國際交流基金1項。

納米光子學(xué)，納米材料與器件。

1. Zhangcheng Xu, Dan Birkedal, Michael Juhl and Jørn M. Hvam, "Sub-monolayer InGaAs/GaAs quantum-dot lasers with high modal gain and zero line-width enhancement factor", Applied Physics Letters, 85(2004)3259; Selected for inclusion in Virtual Journal of Nanoscale Science & Technology, October 11, 2004, Volume 7, Issue 23 ( Printed in USA)

在國際上首次研制成功室溫下工作的、高增益960nm　InGaAs/GaAs 亞單層量子點激光器．

2. Zhangcheng Xu, Dan Birkedal, Jørn M. Hvam et al., “Structure and Optical Anisotropy of vertically correlated Submonolayer InAs/GaAs Quantum Dots”, Applied Physics Letters, 82(2003)3859; Selected for inclusion in Virtual Journal of Nanoscale Science & Technology--June 9, 2003, Volume 7, Issue 23 ( Printed in USA)

在國際上首次闡明了亞單層量子點的結(jié)構(gòu)：量子點鑲嵌在量子阱中．

3. Zhangcheng Xu, et al., ”Effect of annealing on the structure and optical properties of InGaAs/GaAs quantum dots”, Journal of Crystal Growth, 2003, vol 251/1-4,177(Printed in Netherland)

4. Zhangcheng Xu, et al., ”InGaAs/GaAs Quantum-dot-quantum-well heterostructure formed by Submonolayer Deposition”, Nanotechnology, (2003), 14, 1259( Printed in UK)

5. Zhangcheng Xu, C.L Guo, Z.Y. Zhao, et. al., "The fluorescence emission from perfect GaAs in the Laue case”, Journal of Alloys and Compounds， 286(1999)265 (Printed in Netherland)

6. Zhangcheng Xu, C.L.Guo, Z.Y.Zhao, et. al.,“The relationship of the Poynting vector and the dispersion surface in the Bragg case”, J.Phys:Condens. Matter， letters to the editor 9(1997)L275 ( Printed in UK)

7. Zhangcheng Xu, Z.Y Zhao, C.L.Guo, “The relationship of the Poynting Vector and the dispersion surface in the absorbing crystal”, J.Phys:Condens. Matter 8(1996) 5977 ( Printed in UK)

8. Zhangcheng Xu, Z.Y Zhao, C.L.Guo, et. al. “Bragg Reflection and Transmission induced by the imaginary part of atomic scattering factor”, J.Phys:Condens. Matter 7(1995) 8089 ( Printed in UK)

9.Zhangcheng Xu, C.L.Guo, Z.Y.Zhao,“The relationship between negative extinction and anomalous transmission in the Bragg case”, FIZIKA, A 6(1997), 103 (Printed in Croatia)

10. 徐章程， 郭常霖，趙宗彥等， “原子吸收限附近完整晶體內(nèi)的能流方向”， 物理學(xué)報， 46(1997)2188

11. 徐章程， 郭常霖，趙宗彥等， “吸收限附近GaAs在勞厄情況下的熒光溢出”， 物理學(xué)報， 47(1998)0252

12. 徐章程， 郭常霖，趙宗彥等， “測定溫度因子的共振X射線動力學(xué)衍射法”， 物理學(xué)報， 47(1998)1520

13. 徐章程， 郭常霖，趙宗彥等， “吸收限附近非對稱反射條件下X射線的異常透射”， 物理學(xué)報， 47(1998)1918

14. 徐章程， 郭常霖，黃繼頗，趙宗彥等， “用同步輻射X射線反射率法研究薄膜結(jié)構(gòu)”，功能材料與器件學(xué)報， 4(1998)273