劉志偉于2010年8月獲得美國中佛羅里達(dá)大學(xué)電子工程專業(yè)博士學(xué)位。目前是電子科技大學(xué)微電子與固體電子學(xué)院副教授。劉志偉在半導(dǎo)體器件靜電保護(hù)方面有著將近10年的研究經(jīng)驗(yàn)，曾經(jīng)在美國ADI，Intersil等知名公司工作或?qū)嵙?xí)，所開發(fā)的ESD保護(hù)方案在多家半導(dǎo)體公司的芯片上大規(guī)模生產(chǎn)，獲得美國專利授權(quán)1項(xiàng)，中國國家發(fā)明專利1項(xiàng)。作為項(xiàng)目負(fù)責(zé)人承擔(dān)國家自然科學(xué)基金青年基金，國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室開放基金以及多項(xiàng)橫向合作項(xiàng)目。劉志偉的研究成果在國內(nèi)外專業(yè)期刊上發(fā)表論文20余篇(包括EDL 3篇，TED 2篇)，翻譯ESD相關(guān)專著1本。參加ICSICT2013和IEEE EDSSC 2013以及IEDMs 2014國際會議并做受邀報(bào)告。擔(dān)任多家期刊(IEEE EDL, IEEE TED, Microelectronic Reliability)的評審，2013年被授予IEEE EDL金牌審稿人。

2005.09－2010.08 美國中佛羅里達(dá)大學(xué)，微電子器件，博士學(xué)位

2001.09－2003.06 華中科技大學(xué)，微電子科學(xué)與技術(shù)，碩士學(xué)位

1997.09－2001.06 華中科技大學(xué)，電子工程，學(xué)士學(xué)位

2011-現(xiàn)在，電子科技大學(xué)微電子與固體電子學(xué)院，副教授

2010-2011，北京大學(xué)深圳SOC重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，芯片ESD相關(guān)研究。

2003.07-2004.12，美國模擬器件公司(ADI)北京設(shè)計(jì)中心，任芯片設(shè)計(jì)工程師

IEEE Member,

擔(dān)任IEEE EDL, TED, Micro-electronic等多種刊物的評審

擔(dān)任IEEE電子器件協(xié)會成都分會的秘書

擔(dān)任2012 IEEE電子器件的小型座談會主席

擔(dān)任2016 IEEE國際納米電子學(xué)會議主席

擔(dān)任2014 IEEE電子器件和固態(tài)電路會議秘書

擔(dān)任ESDA學(xué)生分會---成都分會顧問

榮譽(yù)獎勵(lì)

2014年1月，獲得微固學(xué)院優(yōu)秀綜合導(dǎo)師制指導(dǎo)老師獎。

2007年獲IEEE Orlando區(qū)域杰出研究生獎。

2005-2009獲美國中佛羅里達(dá)大學(xué)校長獎學(xué)金。

Jizhi Liu,Zhiwei Liu, Ze Jia and Juin J. Liou, “A novel DTSCR with a variation lateral base doping structure to improve turn-on speed for ESD protection”,Journal of Semiconductors, Vol. 35, 2014

Linfeng He, T.K. Chiang, Juin J. Liou, Wenchao Zheng andZhiwei Liu, “A new analytical subthreshold potential/current model for quadruple-gate junctionless MOSFETs”,IEEE Transactions on Electron Device, Vol. 61, pp. 1972-1978 ,2014.

Ze Jia, Gong Zhang, Jizhi Liu,Zhiwei Liuand Juin J. Liou, “Reference voltage generation scheme enhancing speed and reliability for 1T1C-type FRAM”,Electronics Letters, Vol. 50, pp. 154-156, 2014.

Shurong Dong, Meng Miao, Jian Wu, Jie Zeng,Zhiwei Liuand Juin J. Liou, “Low-capacitance SCR structure for RF I/O Application”,IEEE Transactions on Electromagnetic Compatibility, Vol. 55, pp. 241-247, 2013.

Zhiwei Liu, Cao Yu, Chenyue Ma, Wen Wu, Wenping Wang, Ruonan Wang, Jin He, “FinFET Reliability Issue Analysis by Forward Gated-Diode Method”,NSTI Nanotech, Vol. 2, pp. 168-171, 2011.

Zhiwei Liu, Juin J. Liou, Shurong Dong and Yan Han, “Stacked Silicon Controlled Rectifier Structure for High-Holding Voltage ESD Protection Applications”,IEEE Electron Device Letter, vol. 31, no.8, August 2010, pp. 845-847, 2010

Zhiwei Liu, Juin J. Liou and Jim Vinsion, “Novel Silicon-Controlled Rectifier (SCR) for high- voltage Electrostatic Discharge (ESD) applications”,IEEE Electron Device Letter,vol. 29, no.7, July 2008

Zhiwei Liu, Jim Vinson, Lifang Lou, Juin J. Liou, “An improved bi-directional SCR structure for low-triggering voltage ESD protection application”,IEEE Electron Device Letter,vol. 29, no.4, pp. 360-362, April 2008

Javier A. Salcedo, Juin J. Liou,Zhiwei Liuand James E. Vinson, “TCAD methodology for design of SCR devices for Electrostatic Discharge (ESD) applications”,IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 54, no. 4, pp. 822-832, April 2007

Guoyan Zhang, Aihua Dong, Nie Liu, Rui Tian, Xuejiao Yang,Zhiwei Liu, Kohui Lee, Horng-Chih Lin, Juin J. Liou and Yuxin Wang, “Failure analysis of gate-all-around nanowire field effect transistor under TLP test”,2014 IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits (EDSSC2014), Jun. 18-20, Chengdu, China, 2014.

Z. Jia, J. L. Xu, N. W. Zhang, J. Z. Liu,Zhiwei Liuand Juin J. Liou, “Effects of La and Mn dopants on BiFeO3 applied in FeFETs”, 2013International Electron Devices and Material Symposium, National Chi Nan University, Nantou, Taiwan, Nov. 28-29, 2013 (invited paper)

Zhiwei Liu，Aihua Dong, Zhuoyu Ji, Long Wang, Linfeng He, Wei Liang, Jiabin Miao and Juin J. Liou, “Evaluation of Electrostatic Discharge (ESD) Characteristics for Organic Thin Film Transistor”,2013 IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits (EDSSC2013), Jun.3-5, Hong Kong, China, 2013 (invited paper)

Zhiwei Liu, Jin He, Juin J. Liou, Jizhi Liu, “Segmented SCR for High Voltage ESD Protection”,11th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, Oct. 29 u2013 Nov. 1, Xiu2019an, China, 2012 (invited paper)

Juin J. Liou, Javier A. Salcedo, andZhiwei Liu, “Robust ESD protection solutions in CMOS/BiCMOS Technologies”,IEEE Symposium on Microelectronics Technology and Devices, Rio de Janerio, Brazil, Sept. 3-6, 2007 (invited Paper)

J. A. Salcedo,Zhiwei Liu, J.J. Liou and J.E. Vinson, “Computer-aided design methodology for electrostatic discharge (ESD) protection applications,”IEEE International Caribbean Conference on Devices, Circuits and Systems,Carmen, Mexico, April 26-28, 2006

U.S. Patent:

Zhiwei Liu, J.J. Liou and Jim Vinson, “Silicon-controlled rectifier (SCR) for high-voltage Electrostatic Discharge (ESD) applications”, 2010, No.7842971

指導(dǎo)2014級碩士研究生2名，2012級碩士研究生2名，2013級碩士研究生2名。

從2011年開始，每年指導(dǎo)綜合導(dǎo)師制本科生5名，本科畢業(yè)設(shè)計(jì)5名。

目前指導(dǎo)的本科生中，有5名已經(jīng)拿到國外全額獎學(xué)金出國，有1名獲得2014年成電杰出學(xué)生稱號。

畢業(yè)的研究生大多去集成電路相關(guān)公司工作：華為海思，蘇州瑞晟微電子, 杭州矽力杰等。