人物簡介
理學(xué)學(xué)士（四川大學(xué)）
哲學(xué)碩士（香港大學(xué)）
哲學(xué)博士（香港大學(xué)）
現(xiàn)任四川大學(xué)物理學(xué)院應(yīng)用物理系教授
長期從事化合物半導(dǎo)體材料的研究，并已經(jīng)在 Physical Review B, Journal of Applied Physics, Nuclear Instrument and Methods in Physics Research B 等國際著名學(xué)術(shù)刊物上發(fā)表論文 10 多篇。
培養(yǎng)畢業(yè)研究生 1 名，現(xiàn)已招收研究生 6 名。在凝聚態(tài)物理專業(yè)（半導(dǎo)體材料方向）招收碩士研究生。
研究方向
近年來的主要研究方向是：
1 、用正電子湮沒方法研究化合物半導(dǎo)體的缺陷特征以及它們的輻照效應(yīng)；
2 、與中科院半導(dǎo)體所合作研究高溫退火形成非摻雜半絕緣磷化銦的機(jī)制；
3 、關(guān)于正電子湮沒壽命譜解譜方法的研究。
個人生平
學(xué)歷和研究工作簡歷：
1982.09--1986.07 四川大學(xué)應(yīng)用物理系讀本科
1986.07--1994.12 四川大學(xué)應(yīng)用物理系教師
1994.12--1997.01 香港大學(xué)物理系攻讀碩士學(xué)位
1997.01--2000.02 香港大學(xué)物理系攻讀博士學(xué)位
2000.02--2002.02 四川大學(xué)應(yīng)用物理系教授
2002.02--2002.09 加拿大 McMaster 大學(xué)作訪問研究
2002.09--至今 四川大學(xué)應(yīng)用物理系教授
學(xué)術(shù)論文
近期發(fā)表的主要學(xué)術(shù)論文：
A.H. Deng, P. Mascher, Y. W. Zhao, L. Y. Yin, “Effects of annealing ambience on the formation of compensation defects in InP”, Journal of Applied Physics, 93, 2, 930 (2003).
A. H. Deng, Y. Y. Shan, C. D. Beling, S. Fung, “Application of positron annihilation lifetime technique to the study of deep level transients in semiconductors”, Journal of Applied Physics, 91, 6, 3931 (2002).
Y. Y. Shan, A. H. Deng, C. C. Ling, S. Fung, C. D. Beling,Y. W. Zhao, T. N. Sun, N. F. Sun, “Positron annihilation study of compensation defects responsible for conduction-type conversions in LEC-grown InP”, Journal of Applied Physics, 91, 4, 1998 (2002).
C. C. ling, A. H. Deng, C. D. beling, S. Fung, “Positron lifetime spectroscopic studies of as grown 6H-silicon carbide”, Applied Physics A, 70, 33 (2000).
A. H. Deng, B. K. Panda, S. Fung , C. D. Beling, “Positron lifetime analysis using the matrix inverse Laplace transformation method”, Nuclear instruments and methods in Physics Research”, B, 140, 3-4, 439 (1998).
C. D. Beling, A. H. Deng, Y. Y. Shan, Y.W. Zhao, S. Fung, N. F. Sun, T. N. Sun, X. D. Chen, “Postron lifetime study of compensation defects in undoped semi-insulating InP”, Physical Review B, 58, 20, 13648 (1998).
