左玉華，博士，副研究員，碩士生導(dǎo)師。1997年、2000年分獲清華大學(xué)材料科學(xué)與工程系學(xué)士及碩士學(xué)位，2003年獲中國科學(xué)院半導(dǎo)體所微電子學(xué)與固體電子學(xué)博士學(xué)位，師從王啟明院士。同年9月進(jìn)入中國科學(xué)院半導(dǎo)體所集成光電子學(xué)國家重點(diǎn)實(shí)驗室工作，從事Si基光電子材料與器件的研究。在Si基光電子器件方面，實(shí)現(xiàn)了寬頻域調(diào)諧的MEMS可調(diào)諧濾波器和熱光可調(diào)諧平頂濾波器，并初步用于新型非致冷紅外探測器；研制成功具有高速、高線性和高響應(yīng)的消逝場耦合的水平波導(dǎo)光電探測器以及Si基鍵合型高速、高飽和輸出的共振腔增強(qiáng)型光電探測器；在Si基新材料研究方面，利用UHV/CVD設(shè)備，通過低溫亞穩(wěn)態(tài)生長，制備出界面平整清晰的厚層Si0.75Ge0.25/Si/Si0.5Ge0.5超晶格，并首次采用保偏光纖Mach-Zehnder干涉儀對該材料的電光系數(shù)進(jìn)行了直接測量，在1.55微米處的電光系數(shù)約0.24pm/V，僅比GaAs體材料小一倍，驗證了電光改性的效果，同時實(shí)現(xiàn)了直接電光效應(yīng)的器件驗證。作為項目負(fù)責(zé)人和主要完成人承擔(dān)和完成了自然科學(xué)基金和973等項目。發(fā)表SCI和EI收錄論文50余篇，獲得授權(quán)專利5項。目前作為課題負(fù)責(zé)人承擔(dān)多項國家任務(wù)。