基本信息
2005年4月赴日本廣島大學(xué)（Hiroshima University）從事博士后研究，2005年9月至2007年8月得到日本學(xué)術(shù)振興會的資助，在廣島大學(xué)以JSPS研究員的身份從事科研工作。在Applied Physics Letters，Chemical Physics Letters，Journal of Applied Physics 等期刊發(fā)表論文30篇，被SCI引用近300次，申請專利1項。
主要從事ZnO、BN等寬禁帶半導(dǎo)體光電薄膜材料與器件以及電阻式隨機(jī)存儲器(RRAM)材料與器件的研究。
研究方向
半導(dǎo)體光電薄膜材料與器件、憶阻器材料與器件、神經(jīng)突觸仿生器件、碳基納米材料；
論文
1. S.S. Peng, F. Zhuge*, X.X. Chen, X.J. Zhu, B.L. Hu, L. Pan, B. Chen, and R.W. Li*, Mechanism for resistive switching in an oxide-based electrochemical metallization memory, Applied Physics Letters
2. B.L. Hu, F. Zhuge*, X.J. Zhu, S.S. Peng, X.X. Chen, L. Pan, Q. Yan, and R. W. Li*, Nonvolatile bistable resistive switching in a new polyimide bearing 9-phenyl-9H-carbazole pendant, Journal of Materials Chemistry
3. F. Zhuge, B.L. Hu, C.L. He, X.F. Zhou, Z.P. Liu, and R.W. Li*, Mechanism of nonvolatile resistive switching in graphene oxide thin films, Carbon
4. F. Zhuge, S.S. Peng, C.L. He, X.J. Zhu, X.X. Chen, Y.W. Liu, R.W. Li*, Improvement of resistive switching in Cu/ZnO/Pt sandwiches by weakening the randomicity of the formation/rupture of Cu filaments, Nanotechnology
5. F. Zhuge, W. Dai, C.L. He, A.Y. Wang, Y.W. Liu, M. Li, P. Cui, and R.W. Li*, Nonvolatile resistive switching memory based on amorphous carbon, Applied Physics Letters
專利
1. 諸葛飛、曹鴻濤、陳浩；一種氮摻雜多孔碳薄膜的制備方法及其產(chǎn)品
2. 諸葛飛、陳浩、曹鴻濤；一種電阻型隨機(jī)存儲器的存儲單元及其制備方法
3. 諸葛飛、李潤偉；一種高純碳化硼粉體的制備方法
研究項目
1.氧化物半導(dǎo)體納米線中可逆巨電致電阻效應(yīng)的機(jī)理研究 國家自然科學(xué)面上基金；
2. 非晶碳薄膜中可逆巨電致電阻效應(yīng)的研究 國家自然科學(xué)青年基金 ；