肖紅領(lǐng)，男，1976年9月生，博士�，F(xiàn)在中科院半導(dǎo)體所材料科學(xué)中心半導(dǎo)體信息功能材料與器件課題組工作，目前主要從事III-氮化物材料的生長(zhǎng)、物理、及器件研制等工作。

在國(guó)內(nèi)首先在(0001)藍(lán)寶石和(111)硅襯底上生長(zhǎng)了出質(zhì)量較高的單晶InN和高銦組分InGaN合金外延材料，部分材料參數(shù)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，在國(guó)內(nèi)首次研制出了InGaN P-N結(jié)及InGaN P-N原型太陽(yáng)能電池器件。"十五"期間作為主要研究骨干之一協(xié)助課題組完成了多項(xiàng)有關(guān)氮化物材料和器件的研究工作，包括中科院知識(shí)創(chuàng)新工程重要方向項(xiàng)目，自然科學(xué)基金重點(diǎn)項(xiàng)目，863項(xiàng)目，973項(xiàng)目和軍工項(xiàng)目。作為主要研究骨干參加的中科院知識(shí)創(chuàng)新工程重要方向項(xiàng)目"高性能氮化鎵外延材料研究"于2006年8月2日通過(guò)中科院組織的專家鑒定〔中科院成鑒字2006第020號(hào)〕，鑒定意見為：該項(xiàng)目取得了突破性進(jìn)展，全面出色完成了合同規(guī)定的任務(wù)，并取得了具有國(guó)內(nèi)領(lǐng)先、國(guó)際先進(jìn)水平的突出成果，其中AlGaN/GaN HEMT結(jié)構(gòu)材料的二維電子氣遷移率達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平.