沈天慧 - 簡介
沈天慧,女,半導(dǎo)體化學(xué)家,中國科學(xué)院院士。沈天慧任教專業(yè)是理學(xué)-材料科學(xué)類。沈天慧是上海交通大學(xué)信息存儲研究中心研究員、上海交通大學(xué)學(xué)術(shù)委員會委員、上海交通大學(xué)材 料與化工研究院顧問、微納科學(xué)技術(shù)研究院研究員、微納米加工技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室學(xué)術(shù)委員會主任。沈天慧 - 個(gè)人經(jīng)歷
沈天慧1928年生于浙江嘉善魏塘鎮(zhèn),祖籍浙江杭州。童年在嘉善寺弄小學(xué)、文廟高級小學(xué)及縣立初中讀書。1949年上海大同大學(xué)化工系畢業(yè),同年考入中央研究院上海化學(xué)研究所工作。。畢業(yè)后,在中國科學(xué)院從事分析化學(xué)工作。 1957--1959年留學(xué)蘇聯(lián),進(jìn)修半導(dǎo)體材料,為期兩年;刂袊,在中國科學(xué)院長春應(yīng)用化學(xué)研究所工作。 1966--1986年在陜西省臨潼縣航天工業(yè)部七七一研究所兼第七研究室主任。 1987年到2009年1月,任上海交通大學(xué)教授、學(xué)術(shù)委員會委員。 1980年當(dāng)選為中國科學(xué)院院士(學(xué)部委員)。1949年,畢業(yè)后于上海大同大學(xué)化工系。解放后,進(jìn)入中央研究院(中國科學(xué)院前身)。在我國著名的分析化學(xué)家梁樹權(quán)教授的指導(dǎo)下,從事分析化學(xué)的研究工作,并對鐵礦的分析作出顯著成績。1959-1966年在長春應(yīng)化所工作。 1957年,去蘇聯(lián)科學(xué)院冶金研究所學(xué)習(xí)硅的提純技術(shù),在兩年的學(xué)習(xí)階段,學(xué)會了整套的制備純硅技術(shù);貒,她和中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所的科研人員一起,用元坩鍋區(qū)熔法拉出了單晶硅,為祖國的半導(dǎo)體科學(xué)技術(shù)作出重大的貢獻(xiàn)。1980年當(dāng)選為中國科學(xué)院院士(學(xué)部委員)。1974年起,沈天慧致力于大規(guī)模集成電路的研究,F(xiàn)在她在上海交通大學(xué)121研究所從事超大規(guī)模集成電路的研制工作,曾獲國家級獎勵(lì)三項(xiàng),部委級獎勵(lì)四項(xiàng)。她是全國17名女院士之一。到2009年1月為止,仍然從事微機(jī)電、系統(tǒng)研究。沈天慧 - 科學(xué)歷程
沈天慧1987年調(diào)入上海交通大學(xué)信息中心,現(xiàn)為上海交通大學(xué)術(shù)委員會委員、中國科學(xué)院上海冶金所信息材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室學(xué)術(shù)委員會主任。70年代研制出大規(guī)模集成電路,獲中國國家級獎勵(lì)三項(xiàng)、部委級獎勵(lì)四項(xiàng),曾任航天部科技委員會委員、宇航學(xué)會第一屆理事。在科學(xué)的道路上,有時(shí),特別是婦女工作者,可能會遇到不應(yīng)有的壓抑和歧視,但只要有信心,有腳踏實(shí)地的忘我工作精神,保守的枷鎖和禁錮是打得破的。研究領(lǐng)域:半導(dǎo)體化學(xué)、半導(dǎo)體材料及器件,目前從事的研究方向?yàn)槲⑵骷、微機(jī)電系統(tǒng)、微加工工藝,尤其是硅材料的體、表面微加工工藝研究,以及其它薄膜材料及其器件。探索之苦
沈天慧在調(diào)到上海之前,沈天慧在艱苦的東北、西北工作了35年,把最美好的青春獻(xiàn)給了新中國剛剛起步的宇航事業(yè)。特別是在陜西臨潼呆的那17年,回憶起來,那真是一段驕傲和艱辛并存的創(chuàng)業(yè)史。
1969年,由于當(dāng)時(shí)中國國內(nèi)形勢的需要,汪師俊、沈天慧夫婦所在的研究所從北京遷址三線臨潼。大孩子在當(dāng)?shù)氐拇逍∽x書,教室里的門窗到處是一個(gè)個(gè)的窟窿,冬天冷得不行。小一點(diǎn)的孩子沒有幼兒園可上,只得關(guān)在家里,一生病,兩人就輪流利用半天10分鐘的休息時(shí)間回家照看一下。沈天慧對半導(dǎo)體材料及硅集成電路的研究就在這樣艱苦的環(huán)境下慢慢起步了。由于研制集成電路對于工作環(huán)境有相當(dāng)高的要求,需要空氣干燥、氣候恒定,因此,她日復(fù)一日、年復(fù)一年在一個(gè)類似“套子”一樣的房子里工作,以至于后來得了嚴(yán)重的類風(fēng)濕關(guān)節(jié)炎,手發(fā)抖并嚴(yán)重變形,腿發(fā)顫,行走不便。
求學(xué)辛酸
沈天慧與居里夫人一樣,沈天慧的求學(xué)之路也充滿艱辛。1937年“八·一三”事變后,一把大火把老家浙江嘉善的房子燒得精光?开剬W(xué)金和做家教,她在上海讀完了初中和高中,畢業(yè)后,因家境困難,沈天慧在上海藥廠做了三年工,然后繼續(xù)在大同大學(xué)化工系半工半讀,堅(jiān)持到大學(xué)畢業(yè)。
沈天慧的愛人汪師俊是她的大學(xué)同學(xué),據(jù)他介紹,當(dāng)時(shí)沈天慧既在學(xué)校兼文書職務(wù),又當(dāng)家庭教師,而她的成績在班里仍屬佼佼者,她的秘密就在于利用每一分可利用的時(shí)間。
收獲之甜
沈天慧的研究為中國研制成功大規(guī)模集成電路打下了基礎(chǔ)。16位制的中國國產(chǎn)微機(jī)誕生也和她的研究息息相關(guān)。1980年,她光榮地當(dāng)選為中國科學(xué)院學(xué)部委員,成為中國寥寥科學(xué)女星中的一顆。1987年,她作為上海最需要的人才之一被引進(jìn)到上海交通大學(xué)工作,開始了新的研究領(lǐng)域。
沈天慧 - 學(xué)術(shù)成就
沈天慧教授主要致力于分析化學(xué)、半導(dǎo)體化學(xué)方面的研究工作,曾參加過硫酸根的測定、包頭含稀土鐵礦的全分析、鉬礦的全分析、地下水的全分析等項(xiàng)科學(xué)研究。70年代初開始從事大規(guī)模集成電路的研究工作。 曾采用三氯氫硅法制備超純硅,進(jìn)行了磁疊片存儲器、玻璃半導(dǎo)體記憶材料等研究,取得了成果。參與了等平面N溝硅柵工藝制備MOS大規(guī)模集成電路的研究,特別是薄氧化層的研究,為超大規(guī)模集成電路的制備作出了貢獻(xiàn)。沈天慧從蘇聯(lián)回中國后開展用三氯氫硅法制純硅的研究工作。 1966--1986年從事半導(dǎo)體材料及大規(guī)模集成電路的研制。 1978年成功地用等平面N溝硅柵MOS工藝研制出大規(guī)模集成電路數(shù)種,當(dāng)時(shí)在中國國內(nèi)處于領(lǐng)先地位。從事超大規(guī)模集成電路工藝——光化學(xué)氣相淀積氮化硅的研究及其在集成電路上的應(yīng)用,化學(xué)鍍鎳磷——磁表面保護(hù)故鐵硼的研究,繼續(xù)作出貢獻(xiàn)。1987年到2009年1月注重磁頭磁盤的研制工作。沈天慧從事的磁頭磁盤及電磁型微馬達(dá)的研制工作,能制出具有國際水平的直徑為2mm的微馬達(dá)。
主要論著目錄
1、《包頭白云鄂博稀土鐵礦全分析方法的研究》(與梁樹權(quán)合作),1954年在中國稀土鐵礦會議上學(xué)術(shù)交流。
2、《三氯氫硅法制取半導(dǎo)體超純硅的研究》,1963年在全國半導(dǎo)體材料會議上學(xué)術(shù)交流。
3、《化學(xué)在集成電路中的作用》,載《化學(xué)通報(bào)》1984年第10期。
4、《化學(xué)氣相淀積技術(shù)》(專題技術(shù)講座連載1—22),載《半導(dǎo)體雜志》1985年第6期至1992年第4期。
5、《超大規(guī)模集成電路工藝概況》,載《微電子學(xué)與計(jì)算機(jī)》1986年第3期。
6、《超大規(guī)模集成電路工藝:薄層硅外延》,載《微電子學(xué)與計(jì)算機(jī)》1987年第4期。
7、《超大規(guī)模集成電路工藝:超微細(xì)加工》,載《微電子學(xué)與計(jì)算機(jī)》1988年第5期。
8、《超大規(guī)模集成電路工藝:4氏溫工藝》,載《微電子學(xué)與計(jì)算機(jī)》1989年第4期。
9、《超大規(guī)模集成電路工藝:金屬化工藝》,載《微電子學(xué)與計(jì)算機(jī)》1991年第川期。
10、《光化學(xué)在超大規(guī)模集成電路中的應(yīng)用》,載《真空應(yīng)用》1986年第3期。
11、《硬磁盤化學(xué)鍍非晶體Ni—P襯底的研究》,載《薄膜科學(xué)與技術(shù)》1992年第2期。
12、《Nd—Fe—B永磁體化學(xué)鍍抗腐蝕保護(hù)層的研究》,載1992年《中國第三屆固體薄膜學(xué)術(shù)會議論文集》。
13、《光化學(xué)氣相淀積氮化硅的工藝研究》,載《微電子學(xué)與計(jì)算機(jī)》1993年第2期。
14、《光化學(xué)氣相淀積氮化硅薄膜應(yīng)用于提高器件的可靠性》,載《微電子學(xué)與計(jì)算機(jī)》1993年第9期。
15、《用多晶硅吸雜和Si02背封工藝提高硅片質(zhì)量》,載《微電子學(xué)與計(jì)算機(jī)》1997年第2期。