張殿琳 - 個(gè)人簡(jiǎn)介
張殿琳，物理學(xué)家。生于陜西三原，原籍陜西臨潼。1956年畢業(yè)于西北大學(xué)物理系。中國(guó)科學(xué)院物理研究所研究員。從事實(shí)驗(yàn)?zāi)蹜B(tài)物理學(xué)的基礎(chǔ)研究，取得了多項(xiàng)成果。在準(zhǔn)晶物理性質(zhì)研究中，首先發(fā)現(xiàn)了D相準(zhǔn)晶多種輸運(yùn)性質(zhì)的強(qiáng)烈各向異性。發(fā)現(xiàn)了沿準(zhǔn)周期方向電子—聲子相互作用的質(zhì)量增強(qiáng)效應(yīng)。在D相準(zhǔn)晶的隧道譜中發(fā)現(xiàn)了一系列低能尖峰，有可能顯示了準(zhǔn)晶長(zhǎng)程序的能譜效應(yīng)。首次在電荷密度波材料NbSe3中觀測(cè)到在通過(guò)第一相變點(diǎn)時(shí)，其電子態(tài)密度是連續(xù)變化的。首次在遠(yuǎn)高于相變點(diǎn)直接觀察到贗能隙的存在。在研究工作中發(fā)展了相關(guān)的實(shí)驗(yàn)技術(shù)。
張殿琳 - 主要研究方向
低溫下凝聚態(tài)的電子基態(tài)、低能激發(fā)態(tài)、以及各類(lèi)相互作用的研究。
過(guò)去的主要工作及獲得的成果：從事實(shí)驗(yàn)?zāi)蹜B(tài)物理學(xué)的基礎(chǔ)研究，取得了多項(xiàng)成果。在準(zhǔn)晶物理性質(zhì)研究中，首先發(fā)現(xiàn)了D相準(zhǔn)晶多種輸運(yùn)性質(zhì)的強(qiáng)烈各向異性。發(fā)現(xiàn)了沿準(zhǔn)周期方向電子—聲子相互作用的質(zhì)量增強(qiáng)效應(yīng)。在D相準(zhǔn)晶的隧道譜中發(fā)現(xiàn)了一系列低能尖峰，有可能顯示準(zhǔn)晶長(zhǎng)程序的能譜效應(yīng)。首次在電荷密度波材料NbSe3中觀測(cè)到在通過(guò)第一相變點(diǎn)時(shí)，其電子態(tài)密度是連續(xù)變化的。首次在遠(yuǎn)高于相變點(diǎn)直接觀察到贗能隙的存在。在研究工作中發(fā)展了相關(guān)的實(shí)驗(yàn)技術(shù)。發(fā)表論文一百余篇，其中在Phys.Rev.Lett.發(fā)表六篇。獲獎(jiǎng)：國(guó)家自然科學(xué)三等獎(jiǎng)一項(xiàng)，中國(guó)科學(xué)院自然科學(xué)一等獎(jiǎng)、二等獎(jiǎng)各一項(xiàng)，以及中國(guó)物理學(xué)會(huì)胡剛復(fù)獎(jiǎng)。
目前的研究課題及展望：電-聲子質(zhì)量增強(qiáng)引起的電導(dǎo)重整化；電子退相位時(shí)間的低溫行為；電荷密度波相變過(guò)程的隧道譜觀察。
