若爾斯·阿爾費羅夫 - 基本介紹

若爾斯-阿爾費羅夫，來自俄羅斯圣彼得堡約飛物理技術學院，1930年3月15日出生于白俄羅斯的維捷布斯克，1952年畢業(yè)于列寧格勒的烏里揚諾夫電子技術學院電子系。自1953年起，他一直擔任約飛物理技術學院科學委員會委員。他曾經獲得物理學和數學博士學位，并于1970-1971年間成為美國伊利諾伊大學訪問學者。從1962年起，他一直致力于半導體異質結構的研究，任約飛學院院長，俄羅斯科學院副院長。

他獲得了兩個科學學位：1961年技術科學候選人以及1970年物理數學博士學位-兩個學位都是Ioffe研究所授予的。在1970-1971年度，他作為訪問學者在美國伊利諾斯大學學習進修。自1962年開始，他致力于III-V半導體異質結構領域的研究。他對物理學和III-V半導體異質結構技術，特別是在噴射特性、激光器的開發(fā)、太陽能電池、發(fā)光二極管、取向方法等方面作出了杰出貢獻�，F代異質結構物理學和電子學因此而創(chuàng)立。由于他在這方面所取得的成就，阿爾費羅夫教授獲得蘇聯、俄羅斯與國際許多獎項和榮譽會員稱號以及2000年的諾貝爾獎。

1990年，阿爾費羅夫教授被選為蘇聯科學院(后改名為俄羅斯科學院)的副院長，仍擔任此職。

阿爾費羅夫著有4本專著，發(fā)表了500多篇科學論文，在半導體技術方面有著50多項發(fā)明。

有一顆小行星是以若爾斯?阿爾費羅夫的名字命名的(2001年)。

若爾斯·阿爾費羅夫 - 獲獎理由

瑞典皇家科學院宣布，俄羅斯科學家澤羅斯·阿爾費羅夫、美國科學家赫伯特·克勒默和杰克·基爾比，因在“信息技術方面的基礎性工作”而獲本年度諾貝爾物理學獎。

瑞典皇家科學院發(fā)布的新聞公報說，三位科學家“通過發(fā)明快速晶體管、激光二極管和集成電路”，為現代信息技術奠定了堅實基礎。其中，阿爾費羅夫和克勒默將分享今年一半的諾貝爾物理學獎獎金，以表彰他們在半導體異質結構研究方面的開創(chuàng)性工作。基爾比則因在發(fā)明集成電路中所作的貢獻，而獲得了總額為900萬瑞典克朗（約合100萬美元）的獎金的另一半。      

現代信息技術近幾十年深刻改變了人類社會，它的發(fā)展必須具備兩個簡單但又是基本的先決條件：一是快速，即短時間里傳輸大量信息；二是體積小，攜帶起來方便，在任何場合都能使用。三位科學家的成果滿足了這兩個要求。

阿爾費羅夫與克勒默為滿足上述第一個先決條件作出了重要貢獻。他們發(fā)明的半導體異質結構技術，已廣泛應用于制造高速光電子和微電子元件。所謂異質結構半導體，主要由很多不同帶隙的薄層組成。通信衛(wèi)星和移動電話基站等都采用了異質結構技術制造的快速晶體管。利用異質結構技術制造的激光二極管，也使光纖電纜傳輸因特網信息得以實現。半導體異質結構技術還可用于制造發(fā)光二極管，汽車剎車燈和交通燈等都用到發(fā)光二極管，常用的電燈在未來也有可能被發(fā)光二極管取而代之。 

若爾斯·阿爾費羅夫 - 榮譽獎項

富蘭克林學會Ballantyne獎章(美國，1971年)；

列寧獎(蘇聯，1972年)；Hewlett-Paccard歐洲物理學獎(1978年)；

國家獎(蘇聯，1984年)；GaAs及相關化合物國際研究會獎及Heinrich Welker獎章(1987年)；

A. P. Karpinskii獎(德意志聯邦共和國，1989年)；

A. F. Ioffe 獎(俄羅斯科學院，1996年)；Demidov獎(俄羅斯聯邦，1999年)；

A. S. Popov 獎章(俄羅斯科學院，2000年)；

Nick Holonyak Jr. 獎(美國光學學會，2000年)；

諾貝爾獎(瑞典，2000年)；Kyoto獎(Inamori基金會，日本，2001年)；

國家獎(俄羅斯聯邦，2001年)；

V.I. Vernadskiy獎(烏克蘭國家科學院，2001年)；

金盤獎(美國成就學院，2002年)；

國際光學工程學會金質獎章(國際光學工程學會，2002年)；

全球能源獎(俄羅斯聯邦，2005年)

若爾斯·阿爾費羅夫 - 成果介紹

阿爾費羅夫和克勒默發(fā)明了用于快速光電和微電子元件的半導體異質結構技術。異質結構是由具有不同禁帶寬度的半導體材料薄層構成（如砷化鎵、鋁鎵砷化合物、磷化鋁、鋁鎵砷磷化合物、硅、鍺硅合金等）。這些薄層，可薄至單原子層，也可厚至幾個微米。通常人們用晶體結構互相匹配的材料構成異質結構。

異質結構技術非常重要。通信衛(wèi)星和移動電話基站等采用了異質結構技術制造的快速晶體管。利用異質結構技術制造的激光二極管，可應用于光纖通訊網絡和光數據存儲（CD和DVD）。半導體異質結構技術還可用于制造發(fā)光二極管，汽車剎車燈和交通燈等都用到發(fā)光二極管。異質結構對科學研究也具有非常重要的意義，在半導體接觸層中形成的二維電子氣所具有的特性是研究量子霍爾效應的出發(fā)點。

基爾比是集成電路的發(fā)明者之一，第一塊集成電路就由他研制成功。由于集成電路的發(fā)明，微電子已成為所有現代技術發(fā)展的基礎。由于微電子技術的廣泛應用，電子設備的體積大大縮小，功能和速度大大加強，對環(huán)境的污染也得到減輕。