基本內(nèi)容
徐稼遲 男，1940年出生，上海人。高級(jí)工程師，民盟盟員。1963年畢業(yè)于清華大學(xué)。1992年至今任中山集團(tuán)系統(tǒng)工程公司副總經(jīng)理。主要業(yè)績(jī)：1963年畢業(yè)后分配到國(guó)防科委并參軍，從事軍事科學(xué)研究。1963-1965年參加了放射性元素示蹤原子法測(cè)定半導(dǎo)體硅中磷的摻雜分布實(shí)驗(yàn)。1965年所在部隊(duì)集體轉(zhuǎn)業(yè)，1965-1968年用自己改進(jìn)的方法測(cè)定了高純硅中的微量雜質(zhì)元素。1969-1971年負(fù)責(zé)重點(diǎn)工程所需的“PIN管的反外延片生長(zhǎng)”，該項(xiàng)目在1978年獲得全國(guó)科學(xué)大會(huì)獎(jiǎng)。1970年在硅反外延工藝中，用SiC包石墨工藝的技術(shù)革新成功，獲得國(guó)防科委通令嘉獎(jiǎng)。1980年參與高壓?jiǎn)尉t的研制，負(fù)責(zé)單晶爐的工藝設(shè)計(jì)，高壓?jiǎn)尉t研制成功后，生長(zhǎng)出磷化銦單晶，該項(xiàng)目獲得南京市科技進(jìn)步二等獎(jiǎng)、江蘇省三等獎(jiǎng)。1986年被聘為高級(jí)工程師，曾參與指導(dǎo)兩名碩士研究生。發(fā)表各種學(xué)術(shù)論文40多篇，其中1981年在日本召開(kāi)的GaAs及其有關(guān)化合物材料會(huì)議上發(fā)表了《磷化銦單晶高壓直接合成》的報(bào)告。1984年任大型工具書《電子工業(yè)生產(chǎn)技術(shù)手冊(cè)》半導(dǎo)體卷編輯部負(fù)責(zé)人，半導(dǎo)體材料篇的副主編，該書于1986年出版。1989年轉(zhuǎn)入經(jīng)營(yíng)管理工作，任中山集團(tuán)電子元器件公司常務(wù)副總經(jīng)理。