徐稼遲 男，1940年出生，上海人。高級工程師，民盟盟員。1963年畢業(yè)于清華大學。1992年至今任中山集團系統(tǒng)工程公司副總經(jīng)理。主要業(yè)績：1963年畢業(yè)后分配到國防科委并參軍，從事軍事科學研究。1963-1965年參加了放射性元素示蹤原子法測定半導體硅中磷的摻雜分布實驗。1965年所在部隊集體轉業(yè)，1965-1968年用自己改進的方法測定了高純硅中的微量雜質元素。1969-1971年負責重點工程所需的“PIN管的反外延片生長”，該項目在1978年獲得全國科學大會獎。1970年在硅反外延工藝中，用SiC包石墨工藝的技術革新成功，獲得國防科委通令嘉獎。1980年參與高壓單晶爐的研制，負責單晶爐的工藝設計，高壓單晶爐研制成功后，生長出磷化銦單晶，該項目獲得南京市科技進步二等獎、江蘇省三等獎。1986年被聘為高級工程師，曾參與指導兩名碩士研究生。發(fā)表各種學術論文40多篇，其中1981年在日本召開的GaAs及其有關化合物材料會議上發(fā)表了《磷化銦單晶高壓直接合成》的報告。1984年任大型工具書《電子工業(yè)生產(chǎn)技術手冊》半導體卷編輯部負責人，半導體材料篇的副主編，該書于1986年出版。1989年轉入經(jīng)營管理工作，任中山集團電子元器件公司常務副總經(jīng)理。