基本內(nèi)容
一、個(gè)人簡(jiǎn)介:1970年畢業(yè)于北方交通大學(xué)電信系無(wú)線通訊專(zhuān)業(yè)。一直從事半導(dǎo)體材料的研究與開(kāi)發(fā)工作,相繼晉升講師、副教授、教授職稱(chēng)并擔(dān)任半導(dǎo)體研究所副所長(zhǎng)、碩導(dǎo)。作為負(fù)責(zé)人領(lǐng)導(dǎo)并創(chuàng)建了河北省半導(dǎo)體壓阻力敏傳感器生產(chǎn)基地和世界上最大的中日合資、香港合資太陽(yáng)能硅單晶生產(chǎn)基地并任技術(shù)顧問(wèn),與中科院半導(dǎo)體所、上海交通大學(xué)、北京太陽(yáng)能研究所均有碩士課題實(shí)驗(yàn)交流,與國(guó)外有一定程度業(yè)務(wù)和技術(shù)交流。
二、研究方向:
半導(dǎo)體光電子技術(shù)研究,半導(dǎo)體光電子材料及光電子器件,硅光電源研究大直徑低氧碳硅單晶的晶體生長(zhǎng)工藝及硅片加工工藝研究大直徑硅單晶的微缺陷研究,有限元在CZSi生長(zhǎng)上的應(yīng)用。
三、承擔(dān)的科研項(xiàng)目及獲獎(jiǎng)情況
承擔(dān)國(guó)家及省市科研項(xiàng)目20余項(xiàng),獲國(guó)家四等發(fā)明獎(jiǎng)一項(xiàng),省科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)二項(xiàng)、二等獎(jiǎng)一項(xiàng)、三等獎(jiǎng)四項(xiàng),獲河北省優(yōu)秀產(chǎn)學(xué)研獎(jiǎng)一項(xiàng)。
目前承擔(dān)的科研項(xiàng)目:
1、國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目:
太陽(yáng)能硅單晶快速生長(zhǎng)中結(jié)晶潛熱釋放速率與母相熔體結(jié)構(gòu)關(guān)系的研究
2、河北省自然科學(xué)基金項(xiàng)目
高效非晶硅/多晶硅異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)電池工藝與界面匹配機(jī)理研究
四、論文及著作
在國(guó)內(nèi)外重要學(xué)術(shù)期刊《中國(guó)科學(xué)》《半導(dǎo)體學(xué)報(bào)》《太陽(yáng)能學(xué)報(bào)》《化學(xué)學(xué)報(bào)》《Rare Metals》《Semiconductor Technology》等共計(jì)發(fā)表學(xué)術(shù)論文50余篇,《硅外延生長(zhǎng)技術(shù)》譯著一部。
“直拉硅缺陷控制與利用”1995年國(guó)家發(fā)明四等獎(jiǎng)
“中子嬗變摻雜直拉硅片生產(chǎn)線”
1996年河北省經(jīng)貿(mào)委優(yōu)秀產(chǎn)學(xué)研獎(jiǎng)
“NTDCZ硅中子輻照施主的形成機(jī)理與結(jié)構(gòu)”
1997年河北省科技進(jìn)步三等獎(jiǎng)
“直拉硅中子輻照技術(shù)與內(nèi)吸除技術(shù)的結(jié)合在壓阻力敏傳感器中的應(yīng)用”
1999年河北省科技進(jìn)步二等獎(jiǎng)