人物經(jīng)歷
曾留學(xué)韓國(guó)科學(xué)院和日本東北大學(xué)。先后在美國(guó)Ansoft公司、意大利電工所、俄羅斯ELMA、烏克蘭CARAT、韓國(guó)KIST、日本東北大學(xué)進(jìn)行科研合作及學(xué)術(shù)交流。
社會(huì)兼職
兼任歐洲《J.Vacuum》、美國(guó)《J. THz Science and Technology>》、《電子學(xué)報(bào)》、《硅酸鹽學(xué)報(bào)》等學(xué)術(shù)刊物編委�，F(xiàn)任電子薄膜與集成器件國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室副主任，磁學(xué)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室學(xué)術(shù)委員會(huì)委員，國(guó)務(wù)院學(xué)位委員會(huì)電子科學(xué)與技術(shù)分委會(huì)委員，教育部高等學(xué)校電子科學(xué)與技術(shù)專業(yè)教學(xué)指導(dǎo)委員會(huì)委
員，電子信息材料與器件國(guó)家級(jí)實(shí)驗(yàn)教學(xué)示范中心主任。
科研成果
長(zhǎng)期致力于電子信息科學(xué)與技術(shù)領(lǐng)域的基礎(chǔ)理論、材料、器件、系統(tǒng)研究工作。在微波通信用大尺寸單晶生長(zhǎng)理論和提拉技術(shù)方面取得了突破，使我國(guó)成為少數(shù)擁有此技術(shù)的國(guó)家；提出高密度抗毀傷磁光信息存儲(chǔ)理論，成功研制出磁光信息器件并實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)化；突破了新型節(jié)能磁性材料及低溫共燒復(fù)合雙性能磁電材料的瓶頸技術(shù)，對(duì)我國(guó)磁性材料與器件從第三代過(guò)渡到第四代具有極大的促進(jìn)作用。作為首席科學(xué)家承擔(dān)特大工程“代號(hào)XXX”項(xiàng)目2項(xiàng)，國(guó)家自然科學(xué)重大項(xiàng)目、重點(diǎn)項(xiàng)目和國(guó)家973、863項(xiàng)目多項(xiàng)。
基于以上成果，于“九五”期間，建成了國(guó)內(nèi)第一條磁光盤生產(chǎn)線；2006年建成國(guó)內(nèi)和四川省第一條LTCC型集成片式濾波器生產(chǎn)線，年產(chǎn)4億只器件；2009年建成光通信和微波通信用晶體生產(chǎn)線，繼美國(guó)、俄羅斯、烏克蘭后在國(guó)際上成功拉制出4英寸GGG晶體，發(fā)明了3英寸無(wú)鉛超厚磁光通信晶體外延技術(shù)，使我國(guó)在該類晶體研制方面邁入世界前列；寬頻雙性抗EMI材料、低功耗鐵氧體磁性材料與器件自主創(chuàng)新技術(shù)已在國(guó)內(nèi)多家企業(yè)技術(shù)推廣應(yīng)用，累計(jì)已獲產(chǎn)值36億。
發(fā)表SCI收錄論文289篇；取得國(guó)家授權(quán)發(fā)明專利22項(xiàng)；培養(yǎng)碩士研究生50余人、博士研究生20余人。出版著有《電子薄膜》、《抗電磁干擾材料與元器件》、《現(xiàn)代印制電路原理與工藝》、《自旋電子學(xué)》4本專著。擔(dān)任”電子材料”國(guó)家精品課程負(fù)責(zé)人，“電子科學(xué)與技術(shù)”國(guó)家級(jí)特色專業(yè)負(fù)責(zé)人。
榮譽(yù)記錄
曾獲國(guó)家技術(shù)發(fā)明二等獎(jiǎng)1項(xiàng)，國(guó)家科技進(jìn)步二等獎(jiǎng)1項(xiàng)，國(guó)際科學(xué)工程榮譽(yù)獎(jiǎng)1項(xiàng)，教育部自然科學(xué)獎(jiǎng)一等獎(jiǎng)1項(xiàng)，省部級(jí)科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)4項(xiàng)，二等獎(jiǎng)6項(xiàng)，三等獎(jiǎng)11項(xiàng)。
2017年8月1日，2017年中國(guó)科學(xué)院院士增選初步候選人名單公布，張懷武在列。
