個人履歷
郭常新, 男，漢族，1942年9月出生，福建省福州市人。
從業(yè)經(jīng)歷
1964年畢業(yè)于中國科學技術(shù)大學物理系。現(xiàn)任中國科學技術(shù)大學物理系教授、博士生導(dǎo)師，中國稀土學會發(fā)光材料專業(yè)委員會副主任，中國物理學會發(fā)光分會委員會委員，發(fā)光學報編委和中國物理快報特約評審。曾任2006年全國納米發(fā)光材料學術(shù)會議程序委員會委員，2005年全國稀土學會發(fā)光材料學術(shù)會議程序委員會副主任，94年第七屆國際電致發(fā)光學會議和87年第七屆國際發(fā)光學會議組織委員會委員、85年第一屆國際稀土應(yīng)用和開發(fā)會議程序委員會委員、92年第六屆全國發(fā)光學會議組織委員會副主席。82-85年和98-2000年在美國西北大學物理系DVXα分離變分法理論計算室，85年在德國 DESY同步輻射實驗室真空紫外光譜實驗站作訪問學者。
學術(shù)貢獻
從事凝聚態(tài)物理中發(fā)光物理和發(fā)光材料的研究和教學工作40多年。講授過"發(fā)光學"、"群論和晶場光譜"，"光躍遷過程"，"固體物理實驗方法（發(fā)光學部分）"，"量子力學" 和 "原子物理" 等研究生和大學生課近十門。在高壓光譜、發(fā)光材料和發(fā)光物理，以及團簇和固體的DVXα分離變分法理論計算等方面有精深研究。 在國內(nèi)首先制成氦循環(huán)低溫高壓金剛石顯微光譜系統(tǒng)，在國際上首先用無機原料在室溫下制成納米ZnS:Mn熒光材料，確定了粉末ZnS:Mn在原子尺度上立方和六角相共格連生以及微量稀土和過渡族元素對 ZnS相變溫度的強烈影響規(guī)律，并首先將 DVXα方法引入固體中稀土離子光譜計算。
榮譽獲獎
主持了國家急需的《陰極射線熒光粉發(fā)光特性測試儀》的研制，獲78年全國科學大會、中國科學院和吉林省重大科技成果獎各一項。獲87、94年安徽省自然科學優(yōu)秀論文三等獎三項，99年安徽省高校科技進步三等獎一項。
論文著作
在國內(nèi)外共發(fā)表學術(shù)論文170余篇，主要有《 ZnS:Tm3+的能級、發(fā)光和電子結(jié)構(gòu)的計算》,《用高壓顯微光譜系統(tǒng)研究非晶態(tài)As2S3光學折射率隨流體靜壓力的變化規(guī)律》, 《低溫高壓下Na5Eu(WO4)4 光譜和晶場參數(shù) 》,《低溫高壓金剛石對頂砧顯微光譜系統(tǒng) 》,《ZnS磷光體制備過程中摻入微量Cu和Mn對微晶結(jié)構(gòu)的影響》,《室溫下用無機原料制備的納米ZnS:Mn的發(fā)光》,《室溫陰極射線激發(fā)下濺射ZnO薄膜的紫外超輻射發(fā)光》，《GdVO4:Eu的高分辨光譜研究》，《晶體ZnO亞微米和微米棒的生長和發(fā)光研究》，《Au催化下化學汽相沉積法制備閃鋅礦和鉛鋅礦結(jié)構(gòu)的ZnS納米帶及其發(fā)光研究》和《Lu2O2S:Ce and Y2O2S:Ce在室溫下的紅色發(fā)光》等。
發(fā)表論文情況
(1) "Red luminescence of Lu2O2S:Ce and Y2O2S:Ce at room temperature", J.Alloys and Compounds, 436 (2007) 174. (2) "Au-catelyst growth and photoluminescence, 122123 (2007) 172. (3) "The preparation and luminescence, 26(4) (2005) 521. (7) "The synthesis of one-dimensional controllable ZnO microrods", Chinese Physics, 14(3)(2005) 586. (8) "Photoluminescence, 22(5) (2005) 83-88. (10) "Study on luminescence properties of high density phosphors BiTaO4:Pr3+ and BiTaO4"，Chin. J. Rare Earth，21(1) (2003)。 (11) "高密度發(fā)光材料BiTaO4:Pr3+和 BiTaO4的發(fā)光特性研究"，中國稀土學報，20(1) (2002) 22-25。 (12)"Oxide-oxide interfaces: atomistic and density functional study of cubic- ZrO2(100)//NiO(111)"，J. of the American Ceramic Society, 84(11) (2001) 2677-2684. (13) "GdVO4:Eu 的真空紫外光譜研究"，中國稀土學報，19(1) (2001) 1-4。 (14) "Study on VUV and UV excitation spectrum of GdVO4:Eu3+"，J.of Rare Earth，19(3) (2001) 168-171. (15) "納米ZnS:Mn熒光粉的余輝研究"，發(fā)光學報，22(3) (2001) 223-226. (16) "高密度發(fā)光材料gamma-Bi2WO6:Pr的發(fā)光性質(zhì)研究"，無機材料學報, 16(5) (2001) 797-803. (17) "高密度發(fā)光材料Pb2MgWO6的制備和發(fā)光特性研究"，中國科學技術(shù)大學學報，31(5) (2001) 577-584. (18) "High-resolution photoliminescence spectrum of GdVO4:Eu3+"，J. Allo. & Comp.，309 (2000) 10-15. (19) "Spectral properties and thermoluminescence of PbWO4 crystals annealed in different atmospheres"，Chin. Phys. Lett.，328 (2000) 1-4. (20) "GdVO4:Eu的激發(fā)光譜特性研究"，發(fā)光學報，21(4) (2000) 353. (21) "Ultraviolet super-radiation luminescence of sputtering ZnO film under cathod-ray excitation at room"，Chin. Phys. Lett.，16(2) (1999) 146. (22) "The electronic energy states of PbWO4 crystal in UV-VUV region"，J. of Electron Spectroscopy and Related Phenomena，101-103 (1999) 637-640. (23) "UV luminescence and spectral properties of ZnO films deposited on Si substrates"，J. of Electron Spectroscopy and Related Phenomena, 101-103 (1999) 629-632. (24) "UV luminescence super-radiation luminescence form sputtered ZnO film"，Inter. Workshop on Zinc Oxide (Dayton, USA, 1999), No.30. (26) "PbWO4電子結(jié)構(gòu)的理論計算"，物理學報，48(10), (1999)1923-1929. (27) "PbWO4閃爍體的光譜特性與本征態(tài)"，發(fā)光學報，20(Supp.) (1999)124. (28) "氧化鋅半導(dǎo)體薄膜的發(fā)光光譜特性", 半導(dǎo)體學報, 20(9) (1999) 827-830. (29) "Cathodoluminescence of ZnO films"，Chin. Phys. Lett.，15(6) (1998) 457. (30) "PbWO4:Pr3+ 閃爍體的發(fā)光特性", 中國稀土學報 of PbWO4 crystals annealed at different conditions"，Inter. Conf. on Inorg. Scintillators and Application（1997）。 (33) "藍光發(fā)射和紅光發(fā)射多孔硅的XPS分析"，發(fā)光學報,1997年第2期127頁。
